Co junctionとは 意味・読み方・使い方

To provide a salicide process that can form a Co silicide layer having low resistance and little junction leakage current.例文帳に追加

低抵抗で、かつ接合リーク電流の少ないＣｏシリサイド層を形成することのできるサリサイドプロセスを提供する。 - 特許庁

Further, the junction 3 contains at least one element selected from the group consisting of Si, Ni, Mn, Co, Zn, Ge, Au, Ag and Pd.例文帳に追加

また、接合部３は、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ、ＡｇおよびＰｄからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む。 - 特許庁

This ferromagnetic tunnel junction element has such a structure where a compound ferromagnetic layer 14 which contains N1 or a Ni alloy is arranged adjacent to a tunnel barrier layer 13, and a compound ferromagnetic layer 15 which contains Co or a Co alloy is arranged adjacent to Mn ordered alloy anti-ferromagnetic layer 16.例文帳に追加

トンネルバリア層１３と隣接するように、Ｎｉ、またはＮｉを含む合金、またはＮｉを含む化合物強磁性層１４を配置し、かつＭｎ系規則合金反強磁性層１６と隣接するようにＣｏ、またはＣｏを含む合金、またはＣｏを含む化合物強磁性層１５を配置する。 - 特許庁

A method comprises a step for performing an ion implantation S/D IMP for forming a source/drain junction of a transistor into predetermined regions of semiconductor substrates 11, 21; and a step for performing an additional compensation ion implantation CO IMP into a part of the source/drain junction to compensate the deviation of transistor characteristics depending on locations on the semiconductor substrates 11, 21.例文帳に追加

半導体基板１１，２１の所定領域に、トランジスタのソース／ドレイン接合を形成するためのイオン注入Ｓ／Ｄ ＩＭＰを行うステップと、半導体基板１１，２１上の位置に依存するトランジスタ特性の偏差を補償するように、ソース／ドレイン接合の一部に追加の補償イオン注入ＣＯ ＩＭＰを行うステップとを含む。 - 特許庁

Thereby, the solid electrolyte material can be sintered in a sintering temperature range nearly equal to that of a fuel electrode material or an air electrode material, so that an electrolyte-electrode junction comprising the solid electrolyte, the fuel electrode and the air electrode can be manufactured by a co-sintering method.例文帳に追加

これにより燃料極材料、空気極材料とほぼ同じ焼結温度領域で固体電解質材料を焼結することができ、固体電解質、燃料極と空気極からなる電解質電極接合体を共焼結法により製造することが可能となる。 - 特許庁

The ferromagnetic tunnel junction element, the magneto-resistance effect element and the magnetic detection element using the Co-based Heusler alloy have unprecedented high-performance, respectively.例文帳に追加

＜式１＞ Ｃｏ_２−ｘＹ_ｘＡＢ （０＜ｘ＜０．２、 Ｙ：Ｃｅ，Ｐｒ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ又はＬｕ。 Ａ：Ｆｅ又はＭｎ。 Ｂ：Ａｌ，Ｓｉ、Ｇａ，Ｇｅ又はＳｎ） このＣｏ基ホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合素子、磁気抵抗効果素子及び磁気検出素子の、それぞれ従来にはない高性能なものが得られた。 - 特許庁

The junction-type voltage-dependent resistor has a joined structure composed of a semiconductor ceramic (ZnO semiconductor ceramic block) 1a whose main component is ZnO and a metal oxide compound (metal oxide compound block) 2a containing Sr and/or Ba and Mn and/or Co which are joined together.例文帳に追加

ＺｎＯを主成分とする半導体セラミック（ＺｎＯ半導体セラミックブロック）１ａと、Ｓｒ及びＢａのうち少なくとも一方と、Ｍｎ及びＣｏのうち少なくとも一方とを含む金属酸化化合物（金属酸化化合物ブロック）２ａとが接合された構造とする。 - 特許庁