Compound semiconductor transistorsとは 意味・読み方・使い方

The transistors 9, 11, for example, can be a III-V compound semiconductor field effect transistors having a source, a drain, and a gate.例文帳に追加

トランジスタ９および１１は、例えば、ソース、ドレインおよびゲートを有するIII−Ｖ化合物半導体電界効果トランジスタであることができる。 - 特許庁

The invention further relates to an organic semiconductor material for thin film transistors composed of the metallocene compound.例文帳に追加

また、本発明は、前記メタロセン化合物からなる薄膜トランジスタ用有機半導体材料に関する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a pMOS transistor and nMOS transistor are provided on an identical semiconductor substrate, and gate electrodes of the MOS transistors are made of a metal or metallic compound.例文帳に追加

同一半導体基板上にｐＭＯＳトランジスタとｎＭＯＳトランジスタとを有し、これらＭＯＳトランジスタのゲート電極が金属あるいは金属化合物からなる材料で形成された半導体装置である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate electrode of each of MOS transistors is made of a metal or metallic compound, which can easily adjust threshold voltages of the transistors separately.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート電極４２、４７を金属あるいは金属化合物からなる材料で形成した半導体装置において、それぞれのトランジスタに対してそのしきい値電圧を別々にしかも容易に調整したものの提供が望まれている。 - 特許庁

The semiconductor device includes: field effect transistors formed above a single crystal semiconductor substrate; first conductive layers formed on the field effect transistors; an organic compound layer formed on the first conductive layers; and a second conductive layer formed on the organic compound layer.例文帳に追加

単結晶半導体基板上に形成された電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタの上に設けられた第１の導電層と、第１の導電層上に設けられた有機化合物層と、有機化合物層上に設けられた第２の導電層とを有し、第１の導電層と有機化合物と前記第２の導電層とで記憶素子を構成する。 - 特許庁

The display device having thin film transistors and pixel electrodes electrically connected with the thin film transistors is characterized in that the thin film transistors and the pixel electrodes are electrically connected via metallic electrodes in contact with the pixel electrodes, and the pixel electrodes are an oxide semiconductor film containing a chemical compound of an indium oxide and a zinc oxide.例文帳に追加

薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極を有する表示装置において、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極は、該画素電極に接した金属電極を介して電気的に接続され、前記画素電極は、酸化インジウムと酸化亜鉛の化合物を含む酸化物半導体膜であることを特徴とするものである。 - 特許庁

Switching elements used for switching between a transmission connection mode and a reception connection mode are composed of high frequency compound semiconductor transistors Tr1 to Tr6.例文帳に追加

そして、送信接続モードと受信接続モードとの切り替えに使用するスイッチ素子を、高周波用化合物半導体トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６にて構成する。 - 特許庁