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Compound semiconductor transistorsとは 意味・読み方・使い方
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「Compound semiconductor transistors」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
The transistors 9, 11, for example, can be a III-V compound semiconductor field effect transistors having a source, a drain, and a gate.例文帳に追加
トランジスタ9および11は、例えば、ソース、ドレインおよびゲートを有するIII−V化合物半導体電界効果トランジスタであることができる。 - 特許庁
The invention further relates to an organic semiconductor material for thin film transistors composed of the metallocene compound.例文帳に追加
また、本発明は、前記メタロセン化合物からなる薄膜トランジスタ用有機半導体材料に関する。 - 特許庁
In the semiconductor device, a pMOS transistor and nMOS transistor are provided on an identical semiconductor substrate, and gate electrodes of the MOS transistors are made of a metal or metallic compound.例文帳に追加
同一半導体基板上にpMOSトランジスタとnMOSトランジスタとを有し、これらMOSトランジスタのゲート電極が金属あるいは金属化合物からなる材料で形成された半導体装置である。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a gate electrode of each of MOS transistors is made of a metal or metallic compound, which can easily adjust threshold voltages of the transistors separately.例文帳に追加
MOSトランジスタのゲート電極42、47を金属あるいは金属化合物からなる材料で形成した半導体装置において、それぞれのトランジスタに対してそのしきい値電圧を別々にしかも容易に調整したものの提供が望まれている。 - 特許庁
The semiconductor device includes: field effect transistors formed above a single crystal semiconductor substrate; first conductive layers formed on the field effect transistors; an organic compound layer formed on the first conductive layers; and a second conductive layer formed on the organic compound layer.例文帳に追加
単結晶半導体基板上に形成された電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタの上に設けられた第1の導電層と、第1の導電層上に設けられた有機化合物層と、有機化合物層上に設けられた第2の導電層とを有し、第1の導電層と有機化合物と前記第2の導電層とで記憶素子を構成する。 - 特許庁
The display device having thin film transistors and pixel electrodes electrically connected with the thin film transistors is characterized in that the thin film transistors and the pixel electrodes are electrically connected via metallic electrodes in contact with the pixel electrodes, and the pixel electrodes are an oxide semiconductor film containing a chemical compound of an indium oxide and a zinc oxide.例文帳に追加
薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極を有する表示装置において、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極は、該画素電極に接した金属電極を介して電気的に接続され、前記画素電極は、酸化インジウムと酸化亜鉛の化合物を含む酸化物半導体膜であることを特徴とするものである。 - 特許庁
Switching elements used for switching between a transmission connection mode and a reception connection mode are composed of high frequency compound semiconductor transistors Tr1 to Tr6.例文帳に追加
そして、送信接続モードと受信接続モードとの切り替えに使用するスイッチ素子を、高周波用化合物半導体トランジスタTr1〜Tr6にて構成する。 - 特許庁
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「Compound semiconductor transistors」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
To provide a compound semiconductor laminate enabling a GaN film to be formed on a Si substrate, and capable of industrially providing development of application to electronic devices such as optical devices, transistors or the like, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
Si基板上にGaN膜を形成することを可能にし、光デバイス、トランジスタなどの電子デバイスへの応用展開を工業的に提供可能にする化合物半導体積層体及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
A substrate having an oxygen concentration not larger than 3.0 × 10^16/cm^3 is used as a substrate 1 of an epitaxial wafer for field effect transistors wherein a III-V group compound semiconductor is grown on the semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加
半絶縁性GaAs基板1上にIII−V族化合物半導体をエピタキシャル成長させた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの基板1に、酸素濃度が3.0×10^16/cm^3以下の基板を用いる。 - 特許庁
To provide an epitaxial wafer for compound semiconductor element provided with a nearly ideal n-type InGaAs non-alloy layer not resulting in any influence on the characteristics of transistors, by solving the problems of surface flatness, diffusion into the lower layers and memory effect resulting from an n-type dopant on the InGaAs non-alloy layer of the uppermost layer.例文帳に追加
最上層のInGaAsノンアロイ層へのn型ドーパントが及ぼす表面の平坦性、下層への拡散、及びメモリー効果といった課題を解決して、トランジスタの特性に影響が無い、理想に近いn型のInGaAsノンアロイ層を具備する化合物半導体素子用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁
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