DBR laserとは 意味・読み方・使い方

The polarization modulating laser device includes a resonator structure having a DBR (Distributed Bragg Reflector) layer 102 and a DBR layer 112 disposed opposite each other, and an active layer 103 disposed between the DBR layer 102 and DBR layer 112.例文帳に追加

本発明は、対向して配置されたＤＢＲ層１０２及びＤＢＲ層１１２と、ＤＢＲ層１０２とＤＢＲ層１１２との間に配置された活性層１０３とを有する共振器構造を備える。 - 特許庁

The surface light emitting semiconductor laser 100 includes a lower DBR portion 3 provided on an n-type GaAs substrate 1, an upper DBR portion 7 provided on the lower DBR portion 3, and an active layer 5 provided between the lower DBR portion 3 and upper DBR portion 7.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に設けられた下部ＤＢＲ部３と、下部ＤＢＲ部３上に設けられた上部ＤＢＲ部７と、下部ＤＢＲ部３と上部ＤＢＲ部７との間に設けられた活性層５とを備える。 - 特許庁

The modulation light source 1 comprises a DBR laser 2 including a DBR 5, a phase 6 and the active portion 7, a light wavelength converting element 3 which outputs SHG light by receiving a base wave from the DBR laser 2, and a control means 4 for controlling the DBR laser 2.例文帳に追加

変調光源1は、ＤＢＲ部5と位相部6と活性部7とを有するＤＢＲレーザー2と、ＤＢＲレーザー2から基本波を受けてＳＨＧ光を出す光波長変換素子3と、ＤＢＲレーザー2を制御する制御手段4とを有する。 - 特許庁

The scanner has also a DBR control means for changing the wavelength of laser light in the DBR area in each scanning and the laser light of the wavelength changed by the DBR control means is deflected by the photonic crystal to execute main scanning.例文帳に追加

更に、ＤＢＲ領域における波長を一走査毎に可変するＤＢＲ制御手段を有し、このＤＢＲ制御手段によって可変された波長のレーザ光をフォトニック結晶により偏向して主走査する。 - 特許庁

The surface light-emitting laser element 10 is constituted by forming a DBR layer 12, an active layer 15, and a DBR layer 18 or the like on a substrate 11 and a resonator for laser oscillation is constituted of the DBR layers 12, 18.例文帳に追加

面発光レーザ素子10は、基板11上にＤＢＲ層12、活性層15およびＤＢＲ層18等が形成されたものであり、レーザ発振させるための共振器がＤＢＲ層12，18により構成されている。 - 特許庁

The optical wavelength conversion element 102, on which fundamental harmonic light emitted from the DBR laser 101 is made incident, outputs the second harmonic light.例文帳に追加

光波長変換素子102は、DBRレーザ101から発せられる基本波光を入射して、その第2高調波光を出力する。 - 特許庁

A surface-emitting laser element comprises a substrate 101, a lower semiconductor DBR 103, a resonator structure, an upper semiconductor DBR 107, a contact layer 109, and so on.例文帳に追加

基板１０１、下部半導体ＤＢＲ１０３、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。 - 特許庁

The surface emitting semiconductor laser 11 has an active layer 17 provided between a first DBR 13 and a second DBR 15.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１１では、活性層１７は、第１のＤＢＲ１３と第２のＤＢＲ１５との間に設けられる。 - 特許庁