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Distributed Bragg Reflectorとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 分布Bragg反射器
「Distributed Bragg Reflector」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 55件
DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR (DBR) SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
ＤＢＲ半導体レーザ及びその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, AND PLANE EMISSION SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加
半導体分布ブラッグ反射鏡および面発光型半導体レーザ - 特許庁
The semiconductor laser diode comprises a resonator having an n-type distributed Bragg reflector, a p-type distributed Bragg reflector and an active layer disposed between the n-type distributed Bragg reflector and the p-type distributed Bragg reflector; and a concavo-convex pattern provided on an outer circumference of a side of the resonator.例文帳に追加
半導体レーザ・ダイオードであって、ｎ型分散ブラッグ反射器と、ｐ型分散ブラッグ反射器と、前記ｎ型分散ブラッグ反射器とｐ型分散ブラッグ反射器との間に配置される活性層とを含む共振器と、前記共振器の側面の外周囲に備わる凹凸パターンとを有する。 - 特許庁
The vertical cavity surface emitting laser comprises a distributed Bragg reflector made from semiconductor material 3 and a distributed Bragg reflector 4, superposed thereon, made from dielectric material.例文帳に追加
垂直空洞表面放出形レーザはその構成が、半導体材料３で作られた分散Bragg反射器と、誘電体材料で作られた重ねられた分散形Bragg反射器４とで成る。 - 特許庁
SAMPLED GRATING DISTRIBUTED FEEDBACK VARIABLE WAVELENGTH SEMICONDUCTOR LASER CONNECTED TO SAMPLED GRATING BRAGG REFLECTOR例文帳に追加
抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザ - 特許庁
To provide an n-type semiconductor distributed bragg reflector that can reduce an electrostatic capacitance.例文帳に追加
静電容量の低減を図ることの可能なｎ型半導体分布ブラッグ反射器を提供する。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「Distributed Bragg Reflector」の意味 |
Distributed Bragg reflector
出典:『Wikipedia』 (2011/05/28 05:40 UTC 版)
「Distributed Bragg Reflector」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 55件
By this constitution, the semiconductor distributed bragg reflector of the low resistance is obtained.例文帳に追加
このような構成では、低抵抗な半導体分布ブラッグ反射器を提供することができる。 - 特許庁
To provide a semiconductor distributed bragg reflector where resistance is low and an optical absorption loss is small.例文帳に追加
低抵抗で、かつ、光吸収損失が小さい半導体分布ブラッグ反射器を提供する。 - 特許庁
A semiconductor laser has a Distributed Bragg Reflector (DBR) region 11 where diffraction gratings 10 are provided and a Fabry-Perot (FP) region 12 where no diffraction grating 10 is provided.例文帳に追加
半導体レーザは、回折格子１０が設けられたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）領域１１と、回折格子１０が設けられていないＦＰ（Fabry-Perot）領域１２とを有する。 - 特許庁
In the surface emission semiconductor laser 11, a semiconductor mesa 15 is located between a first distributed Bragg reflector 13 and a second distributed Bragg reflector 17.例文帳に追加
面発光半導体レーザ１１では、半導体メサ１５は、第１の分布ブラッグリフレクタ１３と第２の分布ブラッグリフレクタ１７との間に位置する。 - 特許庁
To provide a method to control a carbon doping level in a DBR (Distributed Bragg Reflector) of a VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser).例文帳に追加
垂直キャビティ表面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavirty Surface Emitting Laser ）の分散ブラグ・リフレクタ（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）における炭素ドーピング・レベルを制御する方法を提供する。 - 特許庁
The first quantum wires 17 and the buried semiconductor regions 23 constitute a first distributed Bragg reflector 18, and the second quantum wires 19 and the buried semiconductor regions 25 constitute a second distributed Bragg reflector 20.例文帳に追加
第１の量子細線１７と埋め込み半導体領域２３とは、第１の分布ブラッグ反射器１８を構成し、第２の量子細線１９と埋め込み半導体領域２５とは、第２の分布ブラッグ反射器２０を構成する。 - 特許庁
To provide a high-luminance light-emitting diode which reduces the emission of infrared light in a distributed Bragg reflector to a negligible level and further reduces the absorptivity of light in the distributed Bragg reflector.例文帳に追加
分布ブラッグ反射器での赤外光の発光を無視し得るレベルまで低減し、更には分布ブラッグ反射器での光の吸収率を低くした高輝度の発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁
To provide a light-emitting diode that is provided with a DBR (Distributed Bragg Reflector) formed below a p-type electrode pad so as to reduce light absorption and optical loss due to the light absorption and diffuses light around itself.例文帳に追加
ｐ型電極パッドの下方に、光の吸収、及びそれによる光損失を減らし、自身の周辺に光を拡散させることができるＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）を備える発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁
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