「Distributed Bragg Reflector」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SAMPLED GRATING DISTRIBUTED FEEDBACK VARIABLE WAVELENGTH SEMICONDUCTOR LASER CONNECTED TO SAMPLED GRATING BRAGG REFLECTOR例文帳に追加

抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザ - 特許庁

To provide an n-type semiconductor distributed bragg reflector that can reduce an electrostatic capacitance.例文帳に追加

静電容量の低減を図ることの可能なｎ型半導体分布ブラッグ反射器を提供する。 - 特許庁

By this constitution, the semiconductor distributed bragg reflector of the low resistance is obtained.例文帳に追加

このような構成では、低抵抗な半導体分布ブラッグ反射器を提供することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor distributed bragg reflector where resistance is low and an optical absorption loss is small.例文帳に追加

低抵抗で、かつ、光吸収損失が小さい半導体分布ブラッグ反射器を提供する。 - 特許庁

A semiconductor laser has a Distributed Bragg Reflector (DBR) region 11 where diffraction gratings 10 are provided and a Fabry-Perot (FP) region 12 where no diffraction grating 10 is provided.例文帳に追加

半導体レーザは、回折格子１０が設けられたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）領域１１と、回折格子１０が設けられていないＦＰ（Fabry-Perot）領域１２とを有する。 - 特許庁

In the surface emission semiconductor laser 11, a semiconductor mesa 15 is located between a first distributed Bragg reflector 13 and a second distributed Bragg reflector 17.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１１では、半導体メサ１５は、第１の分布ブラッグリフレクタ１３と第２の分布ブラッグリフレクタ１７との間に位置する。 - 特許庁

To provide a method to control a carbon doping level in a DBR (Distributed Bragg Reflector) of a VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser).例文帳に追加

垂直キャビティ表面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavirty Surface Emitting Laser ）の分散ブラグ・リフレクタ（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）における炭素ドーピング・レベルを制御する方法を提供する。 - 特許庁

The first quantum wires 17 and the buried semiconductor regions 23 constitute a first distributed Bragg reflector 18, and the second quantum wires 19 and the buried semiconductor regions 25 constitute a second distributed Bragg reflector 20.例文帳に追加

第１の量子細線１７と埋め込み半導体領域２３とは、第１の分布ブラッグ反射器１８を構成し、第２の量子細線１９と埋め込み半導体領域２５とは、第２の分布ブラッグ反射器２０を構成する。 - 特許庁

To provide a high-luminance light-emitting diode which reduces the emission of infrared light in a distributed Bragg reflector to a negligible level and further reduces the absorptivity of light in the distributed Bragg reflector.例文帳に追加

分布ブラッグ反射器での赤外光の発光を無視し得るレベルまで低減し、更には分布ブラッグ反射器での光の吸収率を低くした高輝度の発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode that is provided with a DBR (Distributed Bragg Reflector) formed below a p-type electrode pad so as to reduce light absorption and optical loss due to the light absorption and diffuses light around itself.例文帳に追加

ｐ型電極パッドの下方に、光の吸収、及びそれによる光損失を減らし、自身の周辺に光を拡散させることができるＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）を備える発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

In the light emitting element manufactured by using a semiconductor substrate, the near-infrared ray (wavelength of 700-1,100 nm) generated by a distributed Bragg reflector 2 is removed or reduced by a material (a distributed Bragg reflector 10, etc.) having a near-infrared ray absorbing function and installed in an optical passage of the light removed from the distributed Bragg reflector 2 to the outside.例文帳に追加

半導体基板を用いて作製する発光素子において、分布ブラッグ反射器２で発生した近赤外線（波長７００〜１１００ｎｍ）を、分布ブラッグ反射器２から外部へ取り出される光の光路中に設置した近赤外線吸収機能を有する材料（分布ブラッグ反射器１０等）で除去または減少させる構成とする。 - 特許庁

DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR SEMICONDUCTOR LASER DIODE, INTEGRATED SEMICONDUCTOR LASER, SEMICONDUCTOR LASER MODULE, AND OPTICAL NETWORK SYSTEM例文帳に追加

分布ブラッグ反射型半導体レーザ、集積型半導体レーザ、半導体レーザモジュール、光ネットワークシステム - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DECREASING ELECTRIC CROSSTALK AND WAVELENGTH CHIRP INSIDE DISTRIBUTED BRAGG'S REFLECTOR LASER例文帳に追加

分布型ブラッグ反射鏡レーザ内の電気的クロストーク及び波長チャープを減少させる方法及び装置 - 特許庁

The optical waveguide 10 includes a saturable absorption region 11, an optical gain region 12 and a distributed Bragg reflector region 13.例文帳に追加

この光導波路１０は、可飽和吸収領域１１と光利得領域１２と分布ブラッグ反射領域１３とを含む。 - 特許庁

The light emitting device includes a resonant cavity formed by a reflective metal layer and a distributed Bragg reflector.例文帳に追加

発光デバイスは、反射性金属層と分散型ブラッグ反射器とによって形成された共振空洞を含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMISSION LASER ELEMENT, SURFACE EMISSION LASER ARRAY, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射器、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光インターコネクションシステム、および光通信システム - 特許庁

A spacer region 21 is embedding the second distributed Bragg reflector 17 and comprises a second second conductivity type III-V compound semiconductor.例文帳に追加

スペーサ領域２１は、第２の分布ブラッグリフレクタ１７を埋め込んでおり、また第２の第２導電型III−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMITTING LASER ELEMENT, SURFACE EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, AND OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射器および面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム - 特許庁

A lower DBR (distributed Bragg reflector) layer 1, a core layer 2, an upper DBR layer 3, and a dielectric multilayer film 6 are sequentially layered on an n-InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。 - 特許庁

A reflective element, such as a distributed Bragg reflector, can be formed under the coupler and/or the optical waveguide.例文帳に追加

反射要素、例えば、分布ブラッグ反射器が、光カップラ及び／または光導波路の下部に形成されうる。 - 特許庁

To provide a highly reliable surface emitting laser element wherein the occurrence of dislocation is suppressed even when a DBR (Distributed Bragg Reflector) mirror is formed on a substrate.例文帳に追加

基板上にＤＢＲミラーを形成した場合であっても転位の発生を抑制した高信頼性の面発光レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMISSION LASER ELEMENT, SURFACE EMISSION LASER ARRAY, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

分布ブラッグ反射器および面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム - 特許庁

In a vertical resonance type surface light emitting device 11, an active region 17 is provided between distributed bragg reflector (DBR) 13 and DBR 15.例文帳に追加

垂直共振型面発光素子１１では、活性領域１７は、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３とＤＢＲ１５との間に設けられている。 - 特許庁

By using a distributed Bragg reflector-accumulated mode-locked semiconductor laser 31, a large number of continuous light beams with a favorable SN ratio can be generated.例文帳に追加

分布ブラッグ反射器集積モード同期半導体レーザ３１を用いることで、信号対雑音比の良い多数の連続光を発生できる。 - 特許庁

The reflector is a semiconductor distributed Bragg reflector comprising a material layer having a refractive index variable periodically between low and high values and reflects an incident light through light wave interference.例文帳に追加

反射鏡はそれを構成する材料層の屈折率が小／大と周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡とする。 - 特許庁

An embedding region 19 is embedding the semiconductor mesa 15 on the second area 13b of the first distributed Bragg reflector 13 and comprises a first second conductivity type III-V compound semiconductor.例文帳に追加

埋め込み領域１９は、第１の分布ブラッグリフレクタ１３の第２のエリアと１３ｂ上において半導体メサ１５を埋め込んでおり、また第１の第２導電型III−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁

A hetero-spike buffer layer 12 having an intermediate valence band energy is arranged between semiconductor layers 11 and 13, whose band gap energies are different and which constitutes a semiconductor distributed Bragg reflector.例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射器を構成するバンドギャップエネルギーの異なる半導体層１１，１３の間に中間の価電子帯エネルギーを持つヘテロスパイク緩衝層１２を設けた。 - 特許庁

N-TYPE SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, PLANE EMISSION SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, PLANE EMISSION LASER ARRAY, PLANE EMISSION LASER MODULE OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM, AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

ｎ型半導体分布ブラッグ反射器および面発光半導体レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザモジュールおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム - 特許庁

The distributed Bragg reflector has reflectivities of 90% or more for light of a first wavelength in a blue wavelength range, light of a second wavelength in a green wavelength range, and light of a third wavelength in a red wavelength range.例文帳に追加

前記分布ブラッグ反射器は青色波長領域の第１波長の光、緑波長領域の第２波長の光及び赤色波長領域の第３波長の光に対して９０％以上の反射率を有する。 - 特許庁

The distributed Bragg reflector has a reflectivity of at least 90% for light of a first wavelength in a blue wavelength range, light of a second wavelength in a green wavelength range, and light of a third wavelength in a red wavelength range.例文帳に追加

また、分布ブラッグ反射器は、青色波長領域の第１波長の光、緑色波長領域の第２波長の光、及び赤色波長領域の第３波長の光に対して、９０％以上の反射率を有する。 - 特許庁

To provide: a distributed Bragg reflector having high reflectivity over a wide wavelength range; and a light emitting diode chip and a light emitting diode package employing the same.例文帳に追加

広い波長範囲にわたって高い反射率を有する分布ブラッグ反射器、それを採択した発光ダイオードチップ及び発光ダイオードパッケージを提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode chip that has a distributed Bragg reflector having high reflectivity over a wide wavelength range and is improved in luminous efficiency.例文帳に追加

本発明は、広い波長領域に亘って高い反射率を有する分布ブラッグ反射器を有し、発光効率が向上した発光ダイオードチップを提供する。 - 特許庁

The polarization modulating laser device includes a resonator structure having a DBR (Distributed Bragg Reflector) layer 102 and a DBR layer 112 disposed opposite each other, and an active layer 103 disposed between the DBR layer 102 and DBR layer 112.例文帳に追加

本発明は、対向して配置されたＤＢＲ層１０２及びＤＢＲ層１１２と、ＤＢＲ層１０２とＤＢＲ層１１２との間に配置された活性層１０３とを有する共振器構造を備える。 - 特許庁

A combination of an AlGaAs layer and an AlInP layer is used for the distributed Bragg reflector in an AlGaInP light-emitting diode.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードにおける分布ブラッグ反射器にＡｌＧａＡｓ層とＡｌＩｎＰ層の組み合わせを用い、それらの膜厚を、下記（１）（２）（３）式のように定める。 - 特許庁

To provide an optical device which has high efficiency and stable operation, and can be manufactured at a high yield by providing a DBR (Distributed Bragg Reflector) which has high reflectivity and a wide stop-band wavelength width, and is easily manufactured, and also provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高い反射率を有し、ストップバンドの波長幅が広く、製造が容易なＤＢＲを提供することによって、効率が高く、動作が安定しており、歩留まりが高い光素子及びそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

A VCSEL 10 has: a lower DBR(Distributed Bragg Reflector) 14 including a semiconductor oxidized layer 32 formed on a substrate 12 and whose constituent element is Al; an active region 16; and an upper DBR 18 processed on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする半導体被酸化層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

To make robust and reliable an optical function element which functions as an optical switch, etc., by using a difference in coefficient of thermal expansion of crystal, and a DBR (distributed Bragg reflector) mirror.例文帳に追加

結晶の熱膨張係数の差とＤＢＲミラーとを利用して光スイッチ等の機能を持たせた光機能素子において、堅牢であって高い信頼性を得る。 - 特許庁

To provide an oxidized layer constriction-type surface-emitting laser element that controls oxidization of a low refractive point layer of a Distributed Bragg Reflector (DBR) mirror near an active layer, thus reducing a stress strain produced on the active layer.例文帳に追加

酸化層狭窄型の面発光レーザ素子で、活性層近傍のＤＢＲミラーの低屈折率層の酸化を抑制し、活性層に生ずる応力歪みを低減する。 - 特許庁

To provide an optical module having a monitoring function and a semiconductor light-emitting device including a reflector (mirror) arranged clockwise on the end face in one direction of an active layer formed on a distributed Bragg reflector layer (DBR layer) at an angle of about 45 degrees to the active layer.例文帳に追加

分布ブラッグ反射層（ＤＢＲ層）上の活性層の一方向の端面にこの活性層に対して時計回りで略４５度の角度をもって反射鏡（ミラー）が配置された半導体発光素子を有するモニタリング機能付き光モジュールを提供する。 - 特許庁

At least one of the first reflector 102 and the second reflector 108 is a distributed Bragg reflector including an alternate stack of a first translucent conductive film that has a first refractive index and is composed of a non-nitride semiconductor material and a second translucent conductive film that has a second refractive index smaller than the first refractive index and is composed of the non-nitride semiconductor material.例文帳に追加

第１の反射鏡１０２及び第２の反射鏡１０８の少なくとも一方は、第１の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第１の透光性導電膜と、第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第２の透光性導電膜とが交互に積層されてなる分布ブラッグ反射鏡である。 - 特許庁

The semiconductor mesa 15 is provided on the first area 13a of the first distributed Bragg reflector 13 and, in the semiconductor mesa 15, an active region 29 exists between a first conductivity type III-V compound semiconductor layer 25 and a second conductivity type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

半導体メサ１５は、第１の分布ブラッグリフレクタ１３の第１のエリア１３ａ上に設けられており、半導体メサ１５では、活性領域２９は第１導電型III−Ｖ化合物半導体層２５と第２導電型III−Ｖ化合物半導体層２７との間にある。 - 特許庁

To provide a sampled grating distributed feedback variable wavelength semiconductor laser connected to a sampled grating Bragg reflector, which has a comparatively simple structure, advantages for production and mass production, as well as an variable optical range of wavelength and superiority in optical output efficiency.例文帳に追加

比較的単純な構造を有し、製作及び量産に有利であるうえ、光帯域波長可変が可能で出力光効率に優れた、抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザを提供する。 - 特許庁

This light emitting diode chip includes: a substrate; a light emitting structure positioned in an upper portion of the substrate and having an active layer arranged between a first conductivity-type semiconductor layer and a second conductivity-type semiconductor layer; and a distributed Bragg reflector that reflects light emitted from the light emitting structure.例文帳に追加

本発明による発光ダイオードチップは、基板、前記基板の上部に位置し、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層の間に配置された活性層を含む発光構造体及び前記発光構造体から放出された光を反射する分布ブラッグ反射器を含む。 - 特許庁

An LED structure has a substrate having a distributed Bragg reflector, a first-type doped sealing layer, an active layer, a second-type doped sealing layer, current spreading layer, and a meshlike front electrode on one surface and a back electrode on the other surface.例文帳に追加

ＬＥＤ構造は、分布ブラッグ反射、第１の型のドープされた封層、活性層、第２の型のドープされた封層、電流広がり層および網状の正面電極を一の表面に持ち、背面電極を他の表面に持つ基板を有する。 - 特許庁

A lower DBR (distributed bragg reflector) miller layer 11, a lower clad layer 12, an active layer 13 having a light emitting region 13A, an upper clad layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR miller layer 16 and a contact layer 17 are laminated in this sequence from the side of a substrate 10.例文帳に追加

下部ＤＢＲミラー層１１、下部クラッド層１２、発光領域１３Ａを有する活性層１３、上部クラッド層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲミラー層１６およびコンタクト層１７が基板１０側からこの順に積層されている。 - 特許庁