「DBR laser」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The optical wavelength conversion device includes a DBR laser 101, an optical wavelength conversion element 102, and a control means 103 to control a current injected into the DBR laser 101 according to a modulation signal per period to control its oscillation wavelength and optical output.例文帳に追加

光波長変換装置は、DBRレーザ101と、光波長変換素子102と、変調信号に応じてDBRレーザ101への注入電流を周期ごとに制御してその発振波長と光出力を制御する制御手段103を含む。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser element comprises an upper DBR part 7, a lower DBR part 3, and an active layer 5 provided between the upper DBR part 7 and the lower DBR part 3.例文帳に追加

本発明の面発光半導体レーザ素子は、上部ＤＢＲ部７と、下部ＤＢＲ部３と、上部ＤＢＲ部７と下部ＤＢＲ部３との間に設けられた活性層５と、を備える。 - 特許庁

The polarization modulating laser device includes a resonator structure having a DBR (Distributed Bragg Reflector) layer 102 and a DBR layer 112 disposed opposite each other, and an active layer 103 disposed between the DBR layer 102 and DBR layer 112.例文帳に追加

本発明は、対向して配置されたＤＢＲ層１０２及びＤＢＲ層１１２と、ＤＢＲ層１０２とＤＢＲ層１１２との間に配置された活性層１０３とを有する共振器構造を備える。 - 特許庁

The surface light emitting semiconductor laser 100 includes a lower DBR portion 3 provided on an n-type GaAs substrate 1, an upper DBR portion 7 provided on the lower DBR portion 3, and an active layer 5 provided between the lower DBR portion 3 and upper DBR portion 7.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に設けられた下部ＤＢＲ部３と、下部ＤＢＲ部３上に設けられた上部ＤＢＲ部７と、下部ＤＢＲ部３と上部ＤＢＲ部７との間に設けられた活性層５とを備える。 - 特許庁

The modulation light source 1 comprises a DBR laser 2 including a DBR 5, a phase 6 and the active portion 7, a light wavelength converting element 3 which outputs SHG light by receiving a base wave from the DBR laser 2, and a control means 4 for controlling the DBR laser 2.例文帳に追加

変調光源1は、ＤＢＲ部5と位相部6と活性部7とを有するＤＢＲレーザー2と、ＤＢＲレーザー2から基本波を受けてＳＨＧ光を出す光波長変換素子3と、ＤＢＲレーザー2を制御する制御手段4とを有する。 - 特許庁

The scanner has also a DBR control means for changing the wavelength of laser light in the DBR area in each scanning and the laser light of the wavelength changed by the DBR control means is deflected by the photonic crystal to execute main scanning.例文帳に追加

更に、ＤＢＲ領域における波長を一走査毎に可変するＤＢＲ制御手段を有し、このＤＢＲ制御手段によって可変された波長のレーザ光をフォトニック結晶により偏向して主走査する。 - 特許庁

The surface light-emitting laser element 10 is constituted by forming a DBR layer 12, an active layer 15, and a DBR layer 18 or the like on a substrate 11 and a resonator for laser oscillation is constituted of the DBR layers 12, 18.例文帳に追加

面発光レーザ素子10は、基板11上にＤＢＲ層12、活性層15およびＤＢＲ層18等が形成されたものであり、レーザ発振させるための共振器がＤＢＲ層12，18により構成されている。 - 特許庁

The optical wavelength conversion element 102, on which fundamental harmonic light emitted from the DBR laser 101 is made incident, outputs the second harmonic light.例文帳に追加

光波長変換素子102は、DBRレーザ101から発せられる基本波光を入射して、その第2高調波光を出力する。 - 特許庁

A surface-emitting laser element comprises a substrate 101, a lower semiconductor DBR 103, a resonator structure, an upper semiconductor DBR 107, a contact layer 109, and so on.例文帳に追加

基板１０１、下部半導体ＤＢＲ１０３、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。 - 特許庁

The surface emitting semiconductor laser 11 has an active layer 17 provided between a first DBR 13 and a second DBR 15.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１１では、活性層１７は、第１のＤＢＲ１３と第２のＤＢＲ１５との間に設けられる。 - 特許庁

The surface emitting semiconductor laser includes a temperature compensation DBR layer 17 and a traverse-mode adjustment layer 22 on an upper DBR layer 16.例文帳に追加

上部ＤＢＲ層１６上に温度補償ＤＢＲ層１７および横モード調整層２２を備えている。 - 特許庁

The active layer 14 of the semiconductor laser has a DBR reflecting layer 15 on the emission-edge side, while a space for phase adjustment, where no DBR reflecting layer is formed, is provided between the emission edge 16 and the end of the emission-edge side of the DBR reflecting layer 15.例文帳に追加

活性層１４は出射側にＤＢＲ反射層１５を有し、出射端１６とＤＢＲ反射層１５の出射端側の端部との間にＤＢＲ反射層が形成されていない位相調整用の空間を設ける。 - 特許庁

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER HAVING DIELECTRIC DBR MIRROR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

誘電体ＤＢＲミラーを有する面発光半導体レーザおよびその製造方法 - 特許庁

One process evaluates the aging characteristics of a distribution Bragg reflector(DBR) laser.例文帳に追加

１つのプロセスが、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）レーザのエージング特性を評価する。 - 特許庁

To provide a surface-emitting semiconductor laser of improved low heat radiation characteristics caused by dielectrics DBR.例文帳に追加

誘電体ＤＢＲに起因する低い放熱性を改善する面発光半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser 11 has an active layer 15 provided on a first DBR 13.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１１では、活性層１５は、第１のＤＢＲ１３上に設けられる。 - 特許庁

A semiconductor laser 30 has an active area 10 and a DBR area 8.例文帳に追加

半導体レーザ３０は、活性領域１０とＤＢＲ領域８とを有している。 - 特許庁

In a surface-emitting semiconductor laser 11, an active layer 15 is prepared on a first DBR 13.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１１では、活性層１５は、第１のＤＢＲ１３上に設けられている。 - 特許庁

The process comprises a step in which a Bragg diffraction lattice of the distribution Bragg reflector(DBR) laser is irradiated with light while the DBR laser is supplied with a synchronization current with no laser radiation.例文帳に追加

そのプロセスは、ＤＢＲレーザに同調電流が供給されているが、レーザが放射されていない間に、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）レーザのブラッグ回折格子を光で照明するステップを含む。 - 特許庁

A surface emitting laser 1 includes a DBR portion 5 in which a DBR semiconductor layer 5a and a DBR semiconductor layer 5b are alternately arranged; a DBR portion 9; a mesa portion 19 provided between the DBR portions 5 and 19, and including an active layer 13; and a group III-V compound semiconductor layer 17 provided on a side surface 9a of the mesa portion 9.例文帳に追加

面発光レーザ１は、ＤＢＲ半導体層５ａとＤＢＲ半導体層５ｂとが交互に配列されたＤＢＲ部５と、ＤＢＲ部１９と、ＤＢＲ部５とＤＢＲ部１９との間に設けられ活性層１３を含むメサ部９と、メサ部９の側面９ａ上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１７とを備える。 - 特許庁

A laser rosonator 100 is provided with mutually aligned distribution Bragg reflection(DBR) laser element 150 and grating fiber 160.例文帳に追加

レーザ共振器１００は，相互にアラインメントされたＤＢＲレーザ素子１５０とグレーティングファイバ１６０とを備えている。 - 特許庁

A surface-emitting laser element includes: a resonator structure including an active layer 105, and a lower semiconductor DBR 103 and an upper semiconductor DBR 107 which are disposed through the resonator structure.例文帳に追加

活性層１０５を含む共振器構造体、該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ１０３と上部半導体ＤＢＲ１０７を備えている。 - 特許庁

The surface light-emitting laser element has a resonator structural body including an active layer 105, a lower semiconductor DBR 103 and an upper semiconductor DBR 107 which are provided with the resonator structural body sandwiched therebetween.例文帳に追加

活性層１０５を含む共振器構造体と、該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ１０３及び上部半導体ＤＢＲ１０７とを有している。 - 特許庁

The surface emission semiconductor laser comprises an N-type lower DBR 106 formed on a substrate, an active region 108, and a P-type upper DBR formed on the active region 108.例文帳に追加

基板上に形成されたＮ型の下部ＤＢＲ１０６と、活性領域１０８と、活性領域１０８上に形成されたＰ型の上部ＤＢＲとを含む。 - 特許庁

The semiconductor laser is constructed in such manner that a lower DBR mirror layer 11, an active layer 13 having a light emitting center area, an upper DBR mirror layer 15, and a transverse mode adjusting layer 17 are laminated in the above order.例文帳に追加

下部ＤＢＲミラー層１１、発光中心領域を有する活性層１３、上部ＤＢＲミラー層１５および横モード調整層１７がこの順に積層されている。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is comprised of an n-type DBR layer 12, an n-type clad layer 13, an active layer 14 having a light emitting area 14A, a p-type clad layer 15, a p-type DBR layer 16, and a p-type contact layer 17.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｎ型ＤＢＲ層１２、ｎ型クラッド層１３、発光領域１４Ａを有する活性層１４、ｐ型クラッド層１５、ｐ型ＤＢＲ層１６およびｐ型コンタクト層１７とを有する。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor laser includes a lower DBR 14 formed on a VCSEL 10 and a substrate 12, including a current construction layer 32, consisting of Al, an active region 16, and an upper DBR 18 fabricated on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする電流狭窄層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

The surface-emitting laser device 100 has a buffer layer 102, a lower part semiconductor DBR 103, a lower part spacer layer 104, an active layer 105, an upper spacer layer 106, an upper part semiconductor DBR 107, and a contact layer 109 stacked on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。 - 特許庁

The surface-emitting laser 10 has a DBR 24 including a plurality of dielectric layers 24a, a DBR 14, and an active layer 18 comprising a semiconductor material and interposed between the DBRs 14, 24.例文帳に追加

面発光レーザ１０は、複数の誘電体層２４ａを含むＤＢＲ部２４と、ＤＢＲ部１４と、ＤＢＲ部２４とＤＢＲ部１４との間に設けられ半導体材料からなる活性層１８とを備える。 - 特許庁

A lower DBR mirror layer 11 and an upper DBR mirror layer 15 are provided with an active layer 13 sandwiched, and a laser beam is emitted in a vertical direction through the layer 15.例文帳に追加

活性層１３を間にして下部ＤＢＲミラー層１１および上部ＤＢＲミラー層１５が設けられており、上部ＤＢＲミラー層１５を通して垂直方向にレーザ光が出射される。 - 特許庁

The laser element is composed of an n-DBR mirror 302, an active region 303, and a p-DBR mirror 304 formed on the substrate; and has a post-shaped columnar laminated structure 305 in which a side wall is covered with an insulating film 306.例文帳に追加

レーザ素子は、基板上に形成された、ｎ−ＤＢＲミラー３０２、活性領域３０３、及びｐ−ＤＢＲミラー３０４からなり、側壁が絶縁膜３０６で被覆されたポスト状円柱状積層構造３０５を備える。 - 特許庁

In a tunable DBR laser 200, a shunt capacitor 250 is located parallel with a DBR electrode 220 of a tuning part 212 and a common ground 215.例文帳に追加

同調可能なＤＢＲレーザ２００では、同調部２１２のＤＢＲ電極２２０及び共通接地２１５と並列に、分路コンデンサ２５０が配置される。 - 特許庁

The surface emission laser element 100 has an active layer 4 and an upper DBR mirror 7 as a dielectric multilayer film mirror 7 which are laminated on a substrate 1 wherein the upper DBR mirror 7 has a surface roughness exhibiting a predetermined reflectivity for a laser beam emitted from the surface emission laser element 100 at least on one interface in a dielectric multilayer film constituting the upper DBR mirror.例文帳に追加

面発光レーザ素子１００は、基板１上に積層された活性層４と誘電体多層膜ミラーとしての上部ＤＢＲミラー７とを備え、上部ＤＢＲミラー７は、それを構成する誘電体多層膜内の少なくとも１つの界面に、面発光レーザ素子１００が射出するレーザ光に対して上部ＤＢＲミラー７が所定反射率となる表面粗さを有する。 - 特許庁

To provide a DBR laser capable of changing oscillation wavelengths, obtaining the oscillation wavelengths over a wide range and easily manufacturing a diffraction grating for selecting an oscillation wavelength.例文帳に追加

発振波長が可変であって、かつ広い範囲で得られ、かつ発振波長を選択する回折格子の製造も容易なＤＢＲレーザを提供する。 - 特許庁

To provide a surface emission semiconductor laser element having a DBR part exhibiting high reflectivity, even with few layers.例文帳に追加

積層数が少なくても高い反射率を有するＤＢＲ部を備えた面発光半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a surface light emitting semiconductor laser having a DBR of high reflectivity and low thermal resistance.例文帳に追加

本発明は、高反射率で熱抵抗の低いＤＢＲを有する面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The output of the DBR laser is outputted through a multi-mode interference coupler 104 and a waveguide 107 for light output.例文帳に追加

ＤＢＲレーザの出力は、多モード干渉結合器１０４及び光出力用導波路１０７を介して出力される。 - 特許庁

The second surface emission-type semiconductor laser structure part has a GaInNAs system quantum well active layer 70 and nondope DBR mirrors 66 and 74.例文帳に追加

第２の面発光型半導体レーザ構造部は、ＧａＩｎＮＡｓ系量子井戸活性層７０と、ノンドープＤＢＲミラー６６、７４を有する。 - 特許庁

A DBR laser is constituted by arranging bend waveguide areas 102 and 106 on both sides of an active area 201.例文帳に追加

ＤＢＲレーザは、活性領域２０１の両側に曲がり導波路領域１０２，１０６を配置して構成されている。 - 特許庁

To provide a highly reliable surface emission semiconductor laser element by reducing strain (stress) occurring in a DBR mirror.例文帳に追加

ＤＢＲミラーで発生する歪（応力）を低減して、信頼性の良好な面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The DBR region is not required to be formed on a semiconductor laser, so that the coherent light source is capable of controlling its wavelength stably and carrying out modulation controls at a low cost.例文帳に追加

ＤＢＲ領域を半導体レーザ上に形成する必要がないため、低コストで安定な波長制御、変調制御を実現できる。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser 1 includes an n-type DBR layer 12 to a p-type contact layer 17, stacked in this order, on a substrate 11.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１は基板１１上にｎ型ＤＢＲ層１２〜ｐ型コンタクト層１７をこの順に積層したものである。 - 特許庁

These distributed Bragg reflectors form a DBR laser having a cavity length defined by the length of the active layer 21.例文帳に追加

これらの分布ブラッグ反射器により、活性層２１の長さを共振器長とするＤＢＲレーザが形成される。 - 特許庁

To provide a DBR laser having a narrow oscillation line width, capable of stably performing a single mode oscillation operation even under a high output state.例文帳に追加

高出力状態でも安定して単一モード発振動作が可能で、かつ狭発振線幅を有するＤＢＲレーザの提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a surface light emitting semiconductor laser that suppresses diffusion of Al of a DBR including an AlGaAs layer and also suppresses a decrease in light emission intensity.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層を含むＤＢＲにおけるＡｌの拡散を抑え、発光強度の低下を抑制できる面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁