Fermi potentialとは 意味・読み方・使い方

The linear quasi-Fermi potential setting means 52 sets a linearly changing quasi- Fermi potential of carriers in the generated lattices.例文帳に追加

線形擬フェルミポテンシャル設定手段５２は、生成された格子の内部のそれぞれに、線形に変化するキャリアの擬フェルミポテンシャルを設定する。 - 特許庁

Yoshioka, in 1957, attempted to estimate the Fourier coefficients of the phenomenological imaginary potential by using the Fermi-Thomas model.発音を聞く 例文帳に追加

1957年、吉岡は、Fermi-Thomasモデルを使って、現象論的虚数ポテンシャルのフーリエ係数を評価することを試みた。 - 科学技術論文動詞集

One embodiment is a Schottky barrier diode (10) made from GaN based material whose Fermi level (or surface potential) is not pinned.例文帳に追加

本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位（または表面ポテンシャル）がピン止めされないＧａＮ系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード（１０）である。 - 特許庁

In field emission, electron waves near the Fermi energy are reflected at the potential barrier but penetrate with an exponential decrease of their amplitude ψ into the barrier.発音を聞く 例文帳に追加

電界放出では、フェルミエネルギー近くの電子波はポテンシャル障壁で反射されるが、電子波の振幅ψの指数関数的な減少を伴いながら障壁の中に浸透する。 - 科学技術論文動詞集

A simulation method for a semiconductor device has a step for determing a Fermi energy of the semiconductor device when assuming that it has no potential and the neutrality condition of its charge is satisfied, and ignoring any quantum many-body effect in it; and a step for using the Fermi energy to determine the ionization rates of its donor and acceptor when considering the quantum many-body effect in it.例文帳に追加

電位が無く、かつ電荷の中性条件が成立すると仮定し、量子多体効果を無視した場合のフェルミエネルギーを求めるステップと、前記フェルミエネルギーを用いて、量子多体効果を考慮したドナーおよびアクセプターのイオン化率を求めるステップと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

At least at a part 4 of the tunnel insulation film 5 in the vicinity of an interface with the semiconductor substrate 1, there provided is an electric charge trap level at which an electronic potential is higher than a Fermi level of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

トンネル絶縁膜５のうち少なくとも半導体基板１との界面付近の一部４には、電子ポテンシャルが半導体基板１のフェルミレベルよりも高い電荷トラップ準位が設けられている。 - 特許庁

Means 73 for calculating the electric characteristics of elements in a device simulator 70 comprises at least a lattice generating means 51, a linear quasi-Fermi potential setting means 52, a bias setting means 53, a coefficient matrix and residual vector setting means 54, and a matrix calculating means 55.例文帳に追加

格子生成手段５１、線形擬フェルミポテンシャル設定手段５２、バイアス設定手段５３，係数行列と残差ベクトル設定手段５４及び行列計算手段５５とを少なくとも有する。 - 特許庁