GaAlAs laserとは 意味・読み方・使い方

An amorphous silicon 3 is crystallized by casting incident light at 60° to a normal line raised in a treatment surface by arranging a semiconductor laser beam source 4 formed of GaAlAs laser to the amorphous silicon layer 3 and using an optical fiber 5 from the semiconductor laser light source 4.例文帳に追加

ＧａＡｌＡｓレーザーからなる半導体レーザー光源４を非晶質シリコン層３に対して斜めに配置し、半導体レーザー光源４から光ファイバー５を用いて、被処理面に立てた法線に対して６０度の角度で入射光を照射して非晶質シリコン３の結晶化を行なう。 - 特許庁

A light source 11 is composed of an InGaAlP-based laser diode 11a and a GaAlAs-based laser diode 11b which emit laser beams having different wavelengths and planes of polarization and also is regarded as one light source because these laser diodes are arranged in parallel at the interval of nearly 100 μm.例文帳に追加

光源１１は、波長および偏光面が異なるレーザビームを出射するＩｎＧａＡｌＰ系レーザダイオード１１ａおよびＧａＡｌＡｓ系レーザダイオード１１ｂから構成されていると共に、これらのレーザダイオードが約１００μｍの間隔で並列配置されているので、一つの光源と見做すことができる。 - 特許庁

To provide: a method of manufacturing a nitride-based semiconductor laser which replaces local impurity diffusion carried out so far for such materials that an impurity is not easily diffused like nitride-based semiconductor materials, for example, GaAlAs-based and AlGaInP-based materials, the manufacturing method being effective, good in precision, and suitable for mass production; and nitride-based semiconductor laser manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

窒化物半導体材料のような不純物の拡散が容易で無い材料系において、ＧａＡｌＡｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系などで従来行われてきた局所的不純物拡散に代わる、効果的で、精度の良い、量産化に適した、窒化物系半導体レーザの製造方法およびその製造方法で製造される窒化物系半導体レーザを提供することを目的とする。 - 特許庁