Ge cap layerとは 意味・読み方・使い方

The channel layer 40 comprises a Ge granular crystal formed on the drift layer 30 and a cap layer covering the Ge granular crystal.例文帳に追加

チャネル層４０は、ドリフト層３０上に形成されたＧｅ粒状結晶と該Ｇｅ粒状結晶を覆うキャップ層とで構成される。 - 特許庁

In a channel layer 103 made of SiGe containing C, a Ge composition is linearly changed from 0 to 50% from the end section of a silicon buffer layer side 102 toward that of the side of a silicon cap layer 104, and C is selectively contained by 0.5% in a region with 40 to 50% Ge composition, namely, a region where the Ge composition exceeds 30%.例文帳に追加

Ｃを含むＳｉＧｅからなるチャネル層１０３において、Ｇｅ組成は、シリコンバッファ層側１０２の端部からシリコンキャップ層１０４側の端部に向かって０％から５０％に直線的に変化し、ＣはＧｅ組成が４０％から５０％の領域（つまり３０％を越える領域）に選択的に０．５％含有されている。 - 特許庁

Further, the barrier film 74 prevents Ge from diffusing to the surface of the cap silicon film 75, and aggregating of the metal silicide layer 12 formed on the surface of the cap silicon film 75 is prevented, thereby forming a uniform and low-resistance metal silicide layer.例文帳に追加

また、バリア膜７４によってＧｅがキャップシリコン膜７５の表面にまで拡散することが防止でき、キャップシリコン膜７５の表面に形成する金属シリサイド層１２の凝集を防止し、均一でかつ低抵抗な金属シリサイド層が形成可能となる。 - 特許庁

A flash memory (500) has three layer structure (512) consisting of quick thermal oxide, germanium (Ge) nanocrystal (510) in silicon dioxide (SiO_2), and sputtered SiO_2 cap (516) and measurements of capacity vs voltage (C-V) shows memory hysteresis due to a Ge nanocrystal (510) in the central layer of the three layer structure (512).例文帳に追加

フラッシュメモリ（５００）は、急速熱酸化物と、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2）におけるゲルマニウム（Ｇｅ）ナノ結晶（５１０）と、スパッタリングされたＳｉＯ_2キャップ（５１６）とからなる３層構造（５１２）を有し、容量対電圧（Ｃ−Ｖ）測定値により３層構造（５１２）の中央層のＧｅナノ結晶（５１０）によるメモリヒステリシスを有することで示される。 - 特許庁

A cap rubber part G1 of tread rubber G is formed of hard rubber of rubber hardness of 70-75°, and a distance LA in the tire axial direction between an outer end Ge in the tire axial direction of the cap rubber part G1 and an outer end 7e in the tire axial direction of a belt layer 7 is set to be 5-15 mm.例文帳に追加

トレッドゴムＧのキャップゴム部Ｇ１は、ゴム硬度が７０〜７５°の硬質のゴムからなるとともに、キャップゴム部Ｇ１のタイヤ軸方向外端Ｇｅと、ベルト層７のタイヤ軸方向外端７ｅとの間のタイヤ軸方向距離ＬＡを５〜１５ｍｍとした。 - 特許庁