Ge capとは 意味・読み方・使い方

The channel layer 40 comprises a Ge granular crystal formed on the drift layer 30 and a cap layer covering the Ge granular crystal.例文帳に追加

チャネル層４０は、ドリフト層３０上に形成されたＧｅ粒状結晶と該Ｇｅ粒状結晶を覆うキャップ層とで構成される。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a gradient concentration type SiGe film having concentration inclination of Ge on a substrate whose surface is formed of silicon, a process for forming a cap semiconductor film on the gradient concentration type SiGe film, a process for performing ion implantation for the substrate and a process for annealing the substrate.例文帳に追加

表面がシリコンからなる基板上にGeの濃度勾配をもつ傾斜濃度型SiGe膜を形成する工程と、傾斜濃度型SiGe膜上にキャップ半導体膜を形成する工程と、基板にイオン注入する工程と、基板をアニールする工程を備える。 - 特許庁

In a channel layer 103 made of SiGe containing C, a Ge composition is linearly changed from 0 to 50% from the end section of a silicon buffer layer side 102 toward that of the side of a silicon cap layer 104, and C is selectively contained by 0.5% in a region with 40 to 50% Ge composition, namely, a region where the Ge composition exceeds 30%.例文帳に追加

Ｃを含むＳｉＧｅからなるチャネル層１０３において、Ｇｅ組成は、シリコンバッファ層側１０２の端部からシリコンキャップ層１０４側の端部に向かって０％から５０％に直線的に変化し、ＣはＧｅ組成が４０％から５０％の領域（つまり３０％を越える領域）に選択的に０．５％含有されている。 - 特許庁

Moreover, in January 2007, the U.S. Climate Action Plan, signed by 10 major companies including GE and DuPont and environmental organizations in the U.S., advocated an early enactment of the climate change legislation, including the introduction of a cap and trade scheme, by the Congress. There are companies in the U.S. that are positive in introducing cap and trade systems.例文帳に追加

また、GEやデュポンなど米国における大手企業10社と環境団体からなるUS Climate Action Planで、2007年1月に、連邦議会にキャップ・アンド・トレードの導入等を盛り込んだ気候変動対策法案の早期制定を提言しているなど、米国企業の中にはキャップ・アンド・トレード導入に積極的な企業も存在している。 - 経済産業省

Further, the barrier film 74 prevents Ge from diffusing to the surface of the cap silicon film 75, and aggregating of the metal silicide layer 12 formed on the surface of the cap silicon film 75 is prevented, thereby forming a uniform and low-resistance metal silicide layer.例文帳に追加

また、バリア膜７４によってＧｅがキャップシリコン膜７５の表面にまで拡散することが防止でき、キャップシリコン膜７５の表面に形成する金属シリサイド層１２の凝集を防止し、均一でかつ低抵抗な金属シリサイド層が形成可能となる。 - 特許庁

A cap rubber part G1 of tread rubber G is formed of hard rubber of rubber hardness of 70-75°, and a distance LA in the tire axial direction between an outer end Ge in the tire axial direction of the cap rubber part G1 and an outer end 7e in the tire axial direction of a belt layer 7 is set to be 5-15 mm.例文帳に追加

トレッドゴムＧのキャップゴム部Ｇ１は、ゴム硬度が７０〜７５°の硬質のゴムからなるとともに、キャップゴム部Ｇ１のタイヤ軸方向外端Ｇｅと、ベルト層７のタイヤ軸方向外端７ｅとの間のタイヤ軸方向距離ＬＡを５〜１５ｍｍとした。 - 特許庁

A flash memory (500) has three layer structure (512) consisting of quick thermal oxide, germanium (Ge) nanocrystal (510) in silicon dioxide (SiO_2), and sputtered SiO_2 cap (516) and measurements of capacity vs voltage (C-V) shows memory hysteresis due to a Ge nanocrystal (510) in the central layer of the three layer structure (512).例文帳に追加

フラッシュメモリ（５００）は、急速熱酸化物と、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2）におけるゲルマニウム（Ｇｅ）ナノ結晶（５１０）と、スパッタリングされたＳｉＯ_2キャップ（５１６）とからなる３層構造（５１２）を有し、容量対電圧（Ｃ−Ｖ）測定値により３層構造（５１２）の中央層のＧｅナノ結晶（５１０）によるメモリヒステリシスを有することで示される。 - 特許庁