HEMT deviceとは 意味・読み方・使い方

HEMT DEVICE WITH INSERTION LAYER BETWEEN BUFFER LAYER AND CHANNEL例文帳に追加

緩衝層とチャネルの間に挿入層を有するＨＥＭＴデバイス - 特許庁

To provide an HEMT device that has a relaxed layer showing high gain and frequency response, as compared with the conventional HEMT device.例文帳に追加

従来技術のＨＥＭＴデバイスの場合より、高いゲインと周波数応答を示す緩衝層を有するＨＥＭＴデバイスを提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor device 100 is an n-type channel vertical HEMT (high electron mobility transistor).例文帳に追加

窒化物半導体装置１００は、ｎチャネル型の縦型のＨＥＭＴである。 - 特許庁

To provide a III-nitride semiconductor device similar to an HEMT having high voltage durability by controlling charge carriers within an conductive region when high voltage is applied.例文帳に追加

高電圧の印加時に、電荷キャリアを導電領域内に抑制して、高電圧耐久性を呈する、HEMTのようなIII族窒化物半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

The insertion layer provides the HEMT device that is less sensitive to impurities in a depositing device, and an interface that easily makes the channel grow on the HEMT device.例文帳に追加

この挿入層は、その蒸着装置中での不純物に対する敏感さの小さいＨＥＭＴデバイスを提供し、そして、その上にチャネルを成長させるのがより容易な界面を提供する。 - 特許庁

In a transistor device 1 wherein a high electron mobility transistor (HEMT) 3 is formed on a GaAs substrate 2 and a heterobipolar transistor (HBT) 4 is formed on the HEMT 3, there is formed a barrier layer 10 in the HEMT 3.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上に高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）３が形成され、該ＨＥＭＴ３上にヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）４が形成されたトランジスタ素子１において、上記ＨＥＭＴ３内にバリア層１０を有する。 - 特許庁

The III-V group semiconductor device may be a high electron mobility transistor (HEMT) 170.例文帳に追加

また、３−５族半導体デバイスは高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）１７０とすることができる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device that can reduce contact resistance and establish high speed performance of an InP-based HEMT even if a double-doped InP-based HEMT or a reverse HEMT InP-based HEMT wherein high reliability can be obtained has a micro-fabricable non-alloy ohmic electrode structure.例文帳に追加

化合物半導体装置に関し、高信頼性を実現可能なダブルドープ構造ＩｎＰ系ＨＥＭＴ又は逆ＨＥＭＴ構造ＩｎＰ系ＨＥＭＴに於いて、微細化が可能なノンアロイオーミック電極構造の場合にも接触抵抗を低減させ、ＩｎＰ系ＨＥＭＴの高速性能を実現する。 - 特許庁