Integrated Injection Logicとは 意味・読み方・使い方

To promote high speed operation by optimizing an ion injection angle in the case of forming a pocket region in a logic part concerning a semiconductor integrated circuit device having a memory part and the logic part on the same wafer.例文帳に追加

同一半導体基板上にメモリ部とロジック部とを有する半導体集積回路装置において、ロジック部にポケット領域を形成する際のイオン注入角度を最適化することによって、高速動作を推進する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a bipolar linear element such as npn transistor and an IIL (Integrated Injection Logic) element are formed on one and the same semiconductor substrate, and which has a high breakdown voltage with the IIL element having an excellent operating property.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタ等のバイポーラリニア素子とＩＩＬ素子とを同一の半導体基板上に備えた半導体装置であって、高耐圧であるとともに、動作特性の優れたＩＩＬ素子を有するものを提供すること。 - 特許庁

Inverters 11, 14, and 17 of IIL(integrated injection logic) constitution are connected in series between the collector of a PNP type transistor(TR), which allows and inhibits the oscillation of the oscillation circuit and the base of an NPN type TR which discharges accumulated electric charges of a capacitor 2.例文帳に追加

発振回路の発振の許可及び禁止を制御するＰＮＰ型トランジスタ１０のコレクタと、コンデンサ２の蓄積電荷の放電を行うＮＰＮ型トランジスタ７のベースとの間に、ＩＩＬ構成のインバータ１１，１４，１７を直列接続した。 - 特許庁

A semiconductor device, which is provided with an integrated injection logic (IIL1) formed on a semiconductor substrate 11 and has the PNP bipolar transistor construction, has a layer at least of insulating films 17 formed on the base region 20 of the PNP bipolar transistor structure being made of a silicon film 16.例文帳に追加

半導体基板１１に形成されたものでＰＮＰバイポーラトランジスタ構造を有してなるインテグレーテッド・インジェクション・ロジック（ＩＩＬ１）を備えた半導体装置において、ＰＮＰバイポーラトランジスタ構造のベース領域２０上に形成された絶縁膜１７のうちの少なくとも１層は窒化シリコン膜１６からなるものである。 - 特許庁