Ion Current Densityとは 意味・読み方・使い方

NEGATIVE ION SOURCE FORMING NEGATIVE ION OF HIGH CURRENT DENSITY IN HIGH EFFICIENCY BY REDUCING GAS PRESSURE OF BEAM PASSAGE REGION例文帳に追加

ビーム通過領域のガス圧を低減し、高い電流密度の負イオンを高効率で生成する負イオン源 - 特許庁

To provide an ion beam having constantly uniform current density even at a short distance from an ion source.例文帳に追加

イオン源から近距離であっても、常に均一な電流密度を有するイオンビームを得ることができるようにする。 - 特許庁

In ion beam processing using ion beams 3 for processing an optical element material 5, a current density measuring means 6 having an opening member formed of an insulating material is first irradiated with the ion beams 3 and electron beams 8 to measure the current density distribution of the ion beams 3.例文帳に追加

イオンビーム３によって光学素子材料５を加工するイオンビーム加工において、まず、絶縁性材料からなる開口部材を有する電流密度測定手段６に、イオンビーム３と電子ビーム８を照射してイオンビーム３の電流密度分布を測定する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device in which a uniformity of a beam current density distribution in a Y direction of the ion beam can be improved even if a plasma density distribution is not uniform in a plasma generator of an ion source.例文帳に追加

イオン源のプラズマ生成部内におけるプラズマ密度分布が均一でない場合でも、イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くする。 - 特許庁

Furthermore, the ion beam irradiation device includes beam current density distribution adjustment mechanisms 70a, 70b for respectively adjusting beam current density distributions in the vicinity of an end of ion beams 54a, 54b.例文帳に追加

更に、イオンビーム５４ａ、５４ｂの一端付近のビーム電流密度分布をそれぞれ調整するビーム電流密度分布調整機構７０ａ、７０ｂを備えている。 - 特許庁

A microcomputer 30 controls the current density of the argon ions emitted by the ion gun 20, based on the current density of transmitted electrons measured by a current detector 40.例文帳に追加

また、マイコン３０は、電流検出器４０が測定した透過電子の電流密度を基にして、イオン銃２０が放出するアルゴンイオンの電流密度を制御する。 - 特許庁

The ion beams having the uniform current density by thereby differentiating a distance between electrodes in response to the plasma density, the devergence of the ion beams is controlled.例文帳に追加

そしてこれにより電極間距離をプラズマ密度に応じて実質的に異ならせ、イオンビームの発散性を制御して均一な電流密度を有するイオンビームを得る。 - 特許庁

To provide a measuring method of current density distribution of ion beam in which the ion injection quantity can be nearly uniformed throughout the whole face of a semiconductor board when carrying out ion injection on the semiconductor board, and an ion injection method using this measuring method, and an ion injection device.例文帳に追加

半導体基板にイオン注入を行なう場合に、イオン注入量を半導体基板全面にわたって略均一化できるイオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁