「Ion Current Density」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an ion source that generates an ion beam having a large effective diameter with an ion beam current density of 10 mA/cm2 or more, an ion beam uniformity of ±3% or less and a reproducibility (change with the passage of time) of ion beam current density of ±1% or less.例文帳に追加

本発明は、イオンビーム電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^2 以上、イオンビームの均一性±３％以内、イオンビーム電流密度の再現性（経時変化）±１％以内で、有効径の大きいイオンビームを発生するイオン源を提供する。 - 特許庁

To improve a deposition speed without increasing the current density of an ion beam.例文帳に追加

イオンビームの電流密度を上げることなく、成膜スピードの向上を可能とする。 - 特許庁

NEGATIVE ION SOURCE FORMING NEGATIVE ION OF HIGH CURRENT DENSITY IN HIGH EFFICIENCY BY REDUCING GAS PRESSURE OF BEAM PASSAGE REGION例文帳に追加

ビーム通過領域のガス圧を低減し、高い電流密度の負イオンを高効率で生成する負イオン源 - 特許庁

To provide an ion beam having constantly uniform current density even at a short distance from an ion source.例文帳に追加

イオン源から近距離であっても、常に均一な電流密度を有するイオンビームを得ることができるようにする。 - 特許庁

In ion beam processing using ion beams 3 for processing an optical element material 5, a current density measuring means 6 having an opening member formed of an insulating material is first irradiated with the ion beams 3 and electron beams 8 to measure the current density distribution of the ion beams 3.例文帳に追加

イオンビーム３によって光学素子材料５を加工するイオンビーム加工において、まず、絶縁性材料からなる開口部材を有する電流密度測定手段６に、イオンビーム３と電子ビーム８を照射してイオンビーム３の電流密度分布を測定する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device in which a uniformity of a beam current density distribution in a Y direction of the ion beam can be improved even if a plasma density distribution is not uniform in a plasma generator of an ion source.例文帳に追加

イオン源のプラズマ生成部内におけるプラズマ密度分布が均一でない場合でも、イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くする。 - 特許庁

Furthermore, the ion beam irradiation device includes beam current density distribution adjustment mechanisms 70a, 70b for respectively adjusting beam current density distributions in the vicinity of an end of ion beams 54a, 54b.例文帳に追加

更に、イオンビーム５４ａ、５４ｂの一端付近のビーム電流密度分布をそれぞれ調整するビーム電流密度分布調整機構７０ａ、７０ｂを備えている。 - 特許庁

A microcomputer 30 controls the current density of the argon ions emitted by the ion gun 20, based on the current density of transmitted electrons measured by a current detector 40.例文帳に追加

また、マイコン３０は、電流検出器４０が測定した透過電子の電流密度を基にして、イオン銃２０が放出するアルゴンイオンの電流密度を制御する。 - 特許庁

The ion beams having the uniform current density by thereby differentiating a distance between electrodes in response to the plasma density, the devergence of the ion beams is controlled.例文帳に追加

そしてこれにより電極間距離をプラズマ密度に応じて実質的に異ならせ、イオンビームの発散性を制御して均一な電流密度を有するイオンビームを得る。 - 特許庁

To provide a measuring method of current density distribution of ion beam in which the ion injection quantity can be nearly uniformed throughout the whole face of a semiconductor board when carrying out ion injection on the semiconductor board, and an ion injection method using this measuring method, and an ion injection device.例文帳に追加

半導体基板にイオン注入を行なう場合に、イオン注入量を半導体基板全面にわたって略均一化できるイオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The M plasma parameters are selected from a group including wafer voltage, ion density, etch rate, wafer current, etch selectivity, ion energy, and ion mass.例文帳に追加

Ｍ個のプラズマパラメータはウェハ電圧、イオン密度、エッチング速度、ウェハ電流、エッチング選択性、イオンエネルギー及びイオン質量を含む群から選択される。 - 特許庁

To adjust a current density distribution of an ion implantation apparatus with precision by finely bending a part of a stripe type ion beam in a surface of the stripe type ion beam.例文帳に追加

イオン注入装置において、帯状イオンビームの一部分を帯状イオンビームの面内で小さく曲げて電流密度分布を精度よく調整する。 - 特許庁

To efficiently adjust a beam current density distribution of each ion beam in an ion-beam-superposed region on a glass substrate irradiated with a plurality of ion beams.例文帳に追加

ガラス基板上に照射された複数本のイオンビームによる重ね合わせ領域において、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。 - 特許庁

Further, the area ratio of the respective electrode couples is made inversely proportional to ion current density, thus the oxygen pump having high reliability can be realized.例文帳に追加

また、各部の電極対に面積をイオン電流密度に反比例した構成にすることにより、信頼性の高い酸素ポンプを実現できる。 - 特許庁

To improve the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate.例文帳に追加

基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させる。 - 特許庁

In this constitution, the superior uniformity is realized even if the distance between the antenna 5 and the substrate 9 is diminished, and high ion saturation current density is also obtained.例文帳に追加

この構成により、アンテナ５と基板９との距離を小さくしても均一性が良く、かつ、高いイオン飽和電流密度が得られた。 - 特許庁

In the adjustment step, the ion beam is adjusted based on the beam current density calculated in the calculation step.例文帳に追加

調整工程では、前記算出工程によって算出された前記ビーム電流密度に基づいて前記イオンビームを調整する。 - 特許庁

To practically ease deviation of an ion beam current density distribution due to the influence of a magnetic field for a filter.例文帳に追加

フィルタ用の磁界の影響によるイオンビーム電流密度分布の偏りを実質的に緩和する。 - 特許庁

The lens element 40 is set so that the current density distribution of the ion beam can be adjusted in a region near a focusing position 52 of the ion beam.例文帳に追加

レンズ要素４０は、イオンビームの収束位置５２の近傍の領域で、イオンビームの電流密度分布が調整されるようにレンズ要素４０が設けられている。 - 特許庁

To provide an ion implanting device capable of improving the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate.例文帳に追加

基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Electrons optically released from negative ion in the plasma 10 by irradiating are collected by the probe 3, and a density of the negative ion is measured by measuring the collected optically released electron current.例文帳に追加

照射によってプラズマ１０中の負イオンから光離脱した電子を、プローブ３によって捕集し、捕集した光離脱電子電流を計測することによって、負イオンの密度を計測する。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus capable of improving uniformity of a beam current density distribution in the Y-direction of an ion beam in a ribbon shape at an injection position.例文帳に追加

注入位置でのリボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を高めることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To enhance uniformity of a beam current density distribution in the y-direction (longitudinal direction) of an ion beam without having an adverse influence to parallelism and the divergence angle of the ion beam.例文帳に追加

イオンビームの平行度や発散角に悪影響を与えることなく、イオンビームのｙ方向（長手方向）のビーム電流密度分布の均一性を向上させる。 - 特許庁

The current density of the ion beam 2 is favorably at most 65 μA/cm^2, and the magnetic material thin film can be irradiated with the ion beam during the deposition of the thin film.例文帳に追加

イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ^2以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 - 特許庁

To realize an ion injection device which is easy to handle and can reduce power consumption with a simple structure by an assembly which can adjust uniformity of the current density of a ribbon form continuous ion beam.例文帳に追加

リボン状連続イオンビームの電流密度の均一性を調整可能とする組立体で操作が簡単で、単純な構造の電力消費量を削減できるイオン注入装置が望ましい。 - 特許庁

To excellently circulate an electrolyte in the electrode compartment of a large-sized aqueous alkali metal salt solution electrolytic cell of the ion- exchange membrane process and to maintain the current density in long-period electrolysis and the service life of the ion-exchange membrane.例文帳に追加

大型のイオン交換膜法アルカリ金属塩水溶液電解槽の電極室内電解液の内部循環を良好にし、長期間の電解における電流効率の維持とイオン交換膜寿命の維持を図る - 特許庁

To irradiate an ion beam having sufficiently uniform current density distribution against a semiconductor substrate even when energy reduction of the ion beam is advanced.例文帳に追加

イオンビームの低エネルギー化が進んだ場合においても、半導体基板に対して十分に均一な電流密度分布を有するイオンビームを照射することを主たる目的としている。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of coping with enlargement of a board while suppressing reduction of homogeneity of a beam current density distribution in a width direction of an ion beam, aggravation of a parallel degree, and reduction of a treatment speed of the board.例文帳に追加

イオンビームの幅方向におけるビーム電流密度分布の均一性の低下、平行度の悪化および基板処理速度の低下を抑制しつつ、基板の大型化に対応可能なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a new target distribution for adjusting the beam current density distribution of the m-th ion beam is set in accordance with a difference between the distribution for which adjustment results for the respective ribbon-like ion beams are totaled and the distribution for which the target distributions set for m lines of the ion beams are totaled, and the m-th beam current density distribution is adjusted so as to be within a second allowable range for the new target distribution.例文帳に追加

その後、各リボン状イオンビームに対する調整結果を合算した分布とｍ本のイオンビームに対して設定された目標分布を合算した分布との差に応じて、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する為の新たな目標分布を設定し、この新たな目標分布に対して第２の許容範囲内に入るように、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する。 - 特許庁

To easily obtain the constantly uniform current density of ion beams in a wide range of a plasma density region without complicated work.例文帳に追加

煩雑な作業を要することもなく、広範なプラズマ密度領域において常に均一なイオンビームの電流密度を容易に得ることができるようにする。 - 特許庁

To provide an ion source achieving improvement in uniformity of a beam current density distribution in a Y-direction of ribbon-like ion beams and a given uneven distribution, by making partially controllable a plasma density in the Y-direction inside a plasma generating vessel.例文帳に追加

プラズマ生成容器内のＹ方向におけるプラズマ密度を部分的に制御可能にして、リボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くすることや、所定の不均一な分布を実現可能にしたイオン源を提供する。 - 特許庁

To provide a beam source and a beam treatment device capable of uniformly irradiating various beams like positive ion, negative ion, neutral particles or the like on a treated object in a large ion current density and in a large diameter, and realizing a large caliber and longer life of a grid electrode.例文帳に追加

正イオン、負イオン、中性粒子等の各種ビームを低エネルギ、大イオン電流密度で、かつ、大口径で均一に被処理物に照射することができると共に、グリッド電極の大口径化、および長寿命化ができるビーム源、およびビーム処理装置を提供する。 - 特許庁

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction to generate plasma 12, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current density distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、Ｙ方向に走査される電子ビーム１３８を放出してプラズマ１２４を生成する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。 - 特許庁

When there are the data that coincide with the ion implantation condition in the adjustment target setting data, the adjustment target of the beam current density of at least one of the respective ribbon-like ion beams is set using the value of a beam current read from the adjustment target setting data.例文帳に追加

調整目標設定データ内にイオン注入条件と合致するデータがある場合には、各リボン状イオンビームのうち少なくとも１本のリボン状イオンビームのビーム電流密度の調整目標を、調整目標設定データから読み出したビーム電流の値を用いて設定する。 - 特許庁

A target distribution to be an adjustment target of a beam current density distribution is set for the respective ribbon-like ion beams, and first to (m-1)th ribbon-like ion beams are adjusted such that the beam current density distribution is within a first allowable range for the target distribution.例文帳に追加

各リボン状イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整目標とする目標分布を設定し、予め決められた順番従って、１本目からｍ−１本目までのリボン状イオンビームに対して、ビーム電流密度分布が目標分布に対して第１の許容範囲内に入るように調整する。 - 特許庁

Furthermore, it is provided with a beam measuring instrument 46 measuring a beam current density distribution in the Y-direction of the ion beam 4, and a control device 50 controlling each flow regulator 36 based on the measured information and uniformalizing the beam current density distribution in the Y-direction of the ion beam 4 at an injection position.例文帳に追加

更に、イオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を測定するビーム測定器４６と、それによる測定情報に基づいて各流量調節器３６を制御して、注入位置でのイオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を均一化する制御装置５０とを備えている。 - 特許庁

The problem is solved by an electrodeposited copper foil manufacturing process including the following stages: a stage for preparaing a copper deposition bath containing water, copper ion, sulfate ion and < about 20 ppm chlorine ion and a stage for applying a current to the bath at about 200 to 3,000 A/ft2 current density to electrodeposit copper from the bath.例文帳に追加

次の工程を包含する電着銅箔の製造方法により上記課題が達成される：水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有し、約２０ｐｐｍ未満の塩素イオンを含有する銅析出浴を調製すること；および上記浴に、１平方フィートあたり約２００から３０００アンペアの割合の電流密度で電流を付与して上記浴から銅を電着させること。 - 特許庁

Oxygen ion beams are emitted against the substrate from an ion beam generator 23 with the ion current density of ≥5 μA/cm^2 and ≤20 μA/cm^2 and the acceleration voltage of ≥50 V and ≤300 V, oxygen ion beams are non-charge gasified by a neutralizer 24, and the vaporized film deposition material is accelerated by non-charge gasified oxygen and deposited on the substrate.例文帳に追加

又は、イオン電流密度を５μＡ／ｃｍ^２以上、２０μＡ／ｃｍ^２以下、加速電圧５０Ｖ以上、３００Ｖ以下でイオンビーム発生装置２３から酸素イオンビームを基板に向けて出射すると共にニュートライザー２４により酸素イオンビームを無帯電気体化し、気化させた成膜材料を無帯電気体化した酸素で加速して基板に付着させる。 - 特許庁

By irradiating ion beam on the semiconductor board, the secondary electrons emitted from the semiconductor board are detected by the secondary-electron detectingsensor, and based on the detected quantity of the secondary electrons, the current density distribution of the ion beam irradiated is measured.例文帳に追加

半導体基板にイオンビームを照射することにより同半導体基板から放出された２次電子を２次電子検出センサで検出し、２次電子の検出量に基づいて照射したイオンビームの電流密度分布を測定する。 - 特許庁

To eliminate problems that in an ion beam source device, when a space charge is formed by extracted ions and an extracted current density becomes large, a proportionally large electric field is generated, and as a result, an ion beam is self-divergent.例文帳に追加

本発明はイオンビーム源装置において、引き出されたイオンによって空間電荷が形成され、引き出し電流密度が大きくなると、それに比例した大きな電場が発生し、その結果イオンビームが自己発散するような問題点を除去することを課題とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of a magnetic material thin film, the magnetic material thin film is deposited to be a specimen 3, and then the specimen 3 is irradiated with an ion beam 2 at a current density in a value range at which a perpendicular magnetic anisotropy coefficient value becomes positive by the irradiation of the ion beam 2.例文帳に追加

磁性材料薄膜の製造方法は、磁性材料薄膜を成膜した後、それを試料３として、垂直磁気異方性定数の値がイオンビーム２の照射によって正となるような数値範囲の電流密度でイオンビーム２を試料３に照射する。 - 特許庁

The method of depositing palladium is carried out by using a composition essentially comprising one or more palladium sources, ammonium ion and urea as the palladium electroplating bath and generating current density of at least 10 A/dm^2.例文帳に追加

パラジウム電気めっき浴として、パラジウム源の１種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも１０アンペア/ｄｍ２の電流密度を発生させてパラジウムを堆積させる方法。 - 特許庁

To provide an all-solid lithium ion secondary battery having high power output, which can extract high current density by improving the shape of a solid electrolyte constituting an electrode, and to provide a method of manufacturing electrodes therefor.例文帳に追加

電極を構成する固体電解質の形状を改良することで、高い電流密度を取り出すことができる出力の高い全固体リチウムイオン二次電池およびその電極の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and apparatus for realizing high ion saturation current density and superior uniformity even if a distance between an antenna and a substrate is diminished.例文帳に追加

アンテナと基板との距離を小さくしても均一性が良く、かつ、高いイオン飽和電流密度が得られるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

More particularly, it is preferable to execute copper plating or nickel plating of high ion concentration or high current density, and to form the rough surface having the above roughness on the surface of the electrode 2.例文帳に追加

具体的には高イオン濃度あるいは高電流密度の銅メッキもしくはニッケルメッキを施して電極２の表面に上記の粗さの粗面を形成することが好ましい。 - 特許庁