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マイクロソフト用語集での「Ldd.」の意味

LDD

対訳 LDD


「Ldd.」を含む例文一覧

該当件数 : 428



例文

Print the version number of ldd .発音を聞く 例文帳に追加

ldd のバージョン番号を表示する。 - JM

The standard version of ldd発音を聞く 例文帳に追加

標準的なバージョンのldd - JM

If you use ldd発音を聞く 例文帳に追加

このようなプログラムに対してldd - JM

does not work with some extremely old a. out programs which were built before ldd例文帳に追加

は非常に古い a.out プログラム( ldd - JM

To provide a gate overlap type LDD polysilicon TFT.例文帳に追加

ゲートオーバーラップ型LDD ポリシリコンTFT を提供する。 - 特許庁

Otherwise both have the same behavior, and use the same support files and programs ldd (1),発音を聞く 例文帳に追加

それ以外の点では両方とも同じように動作し、同じサポートファイルとプログラムldd (1), - JM

例文

To provide an active matrix display device having a novel structure of an LDD region.例文帳に追加

LDD領域の新規な構造を有するアクティブマトリクス表示装置を提供する。 - 特許庁

>>例文の一覧を見る


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Wiktionary英語版での「Ldd.」の意味

Ldd.

固有名詞

Ldd.

  1. Abbreviation of Londonderry.

「Ldd.」を含む例文一覧

該当件数 : 428



例文

Therefore, the concentration of electric field in the pn junction part is relieved and the merits of an LDD structure are utilized effectively.例文帳に追加

このため、pn接合部における電界の集中が緩和され、LDD構造の利点が有効に生かされる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING LDD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置のLDDを形成する方法 - 特許庁

The polysilicon layer has a channel region 38, an LDD structure 36 in a periphery of the channel region, and a source/ drain region 34 in a periphery of the LDD structure.例文帳に追加

ポリシリコン層は、チャネル領域38、前記チャ ネル領域周辺のLDD 構造36、前記LDD 構造周辺のソース/ドレイン領域34とを備える。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE IN LDD STRUCTURE例文帳に追加

LDD構造の半導体装置の製造方法 - 特許庁

LDD DEVICE AND ITS SIGNAL TRANSMISSION METHOD例文帳に追加

LDD装置及びその信号伝送方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR HAVING LDD例文帳に追加

LDDを有する薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

An electrostatic discharge(ESD) protecting circuit 20 includes an active load circuit 22 connected with a lateral diffused MOS transistor having a low density doped drain(LDD).例文帳に追加

静電放電(ESD)保護回路(20)が、低濃度ドープドレイン(LDD)を有する横方向拡散MOSトランジスタに接続された能動負荷回路(22)を含む。 - 特許庁

例文

To form an impurity region having an LDD structure, only through a one-time ion implantation step, without forming a gate spacer film.例文帳に追加

ゲートスペーサ膜を形成せずに1回のイオン注入工程のみでLDD構造の不純物領域を形成する。 - 特許庁

>>例文の一覧を見る


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