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MDT1とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「MDT1」の意味 |
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MDT1
| human | 遺伝子名 | MDT1 |
| 同義語（エイリアス） | Prostate short-chain dehydrogenase/reductase 1; RALR1; HCV core-binding protein HCBP12; HCBP12; ARSDR1; retinol dehydrogenase 11 (all-trans/9-cis/11-cis); retinol dehydrogenase 11 (all-trans and 9-cis); Retinol dehydrogenase 11; Retinal reductase 1; CGI-82; SCALD; FLJ32633; RDH11; RalR1; PSDR1 | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q8TC12 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:51109 | |
| その他のDBのID | HGNC:17964 |
| mouse | 遺伝子名 | Mdt1 |
| 同義語（エイリアス） | Arsdr1; Ube-1c; HCBP12; C85936; AU045252; Retinal reductase 1; Retinol dehydrogenase 11; UBE-1c1; SCALD; all-trans and 9-cis; Rdh11; Psdr1; RalR1; AI428145; Prostate short-chain dehydrogenase/reductase 1; M42C60; 2610319N22Rik; Short-chain aldehyde dehydrogenase; CGI-82; retinol dehydrogenase 11; Cell line MC/9.IL4-derived protein 1 | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q9QYF1 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:17252 | |
| その他のDBのID | MGI:102581 |
| yeast | 遺伝子名 | MDT1 |
| 同義語（エイリアス） | YBL051C; YBL0516; PIN4; Probable RNA-binding protein YBL051C; YBL0506 | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P34217 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:852229 | |
| その他のDBのID | SGD:S000000147 |
本文中に表示されているデータベースの説明
- SWISS-PROT
- スイスバイオインフォマティクス研究所と欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発・運営されているタンパク質のアミノ酸配列のデータベース。
- EntrezGene
- NCBIによって運営されている遺伝子データベース。染色体上の位置、配列、発現、構造、機能、ホモロジーデータなどが含まれている。
- HGNC
- HUGO遺伝子命名法委員会により運営される、ヒト遺伝子に関するデータベース。
- MGI
- 様々なプロジェクトによる、研究用マウスの遺伝的・生物学的なデータを提供するデータベース。
- SGD
- スタンフォード大学医学部内で運営されている、出芽酵母の一種のSaccharomyces cerevisiaeの生態や遺伝子情報に関するデータベース。
「MDT1」を含む例文一覧
該当件数 : 2件
The overcurrent protection circuit 30 detects an overcurrent flowing into an output transistor MDT1 in between the source of the output transistor MDT1 and a resistor R1, and then suppresses the overcurrent.例文帳に追加
過電流保護回路３０は、出力トランジスタＭＤＴ１に流れる過電流を出力トランジスタＭＤＴ１のソースと抵抗Ｒ１の間で検出して、過電流を抑制する。 - 特許庁
When (+) ESD is applied on the terminal PVo, the current source 3, capacitor C1, and 2-input NAND circuit 4 turn on the output transistor MDT1 by changing the signal level of a node N3 on the output side of the 2-input NAND circuit 4 to "High" and release the ESD electric charges to the side of a low-potential-side power source Vss.例文帳に追加
電流源３、コンデンサＣ１、及び２入力ＮＡＮＤ回路４は、端子ＰＶｏに（＋）ＥＳＤが印加されたとき、２入力ＮＡＮＤ回路４の出力側のノードＮ３の信号レベルを“Ｈｉｇｈ”レベルにして、出力トランジスタＭＤＴ１をオンさせてＥＳＤの電荷を低電位側電源Ｖｓｓ側に逃がす。 - 特許庁
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