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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 百科事典 > Metal-induced crystallizationの意味・解説 

Metal-induced crystallizationとは 意味・読み方・使い方

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ウィキペディア英語版での「Metal-induced crystallization」の意味

Metal-induced crystallization

出典:『Wikipedia』 (2009/12/16 20:19 UTC 版)

英語による解説
ウィキペディア英語版からの引用

「Metal-induced crystallization」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 7



例文

THIN FILM TRANSISTOR USING METAL INDUCED LATERAL CRYSTALLIZATION METHOD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

金属誘導側面結晶化方法を用いた薄膜トランジスター及びその製造方法 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR USING METAL INDUCED LATERAL CRYSTALLIZATION METHOD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

金属誘導側面結晶化方法を用いた薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

The amorphous silicon film 104 is then annealed so that a crystallization region (polysilicon film) is formed by pure metal induced crystallization.例文帳に追加

次いで、純粋な金属誘導結晶化によって結晶化領域(ポリシリコン膜)が形成されるように、非晶質シリコン膜104をアニールする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor shortening a crystallization process in the case of using a metal induced lateral crystallization (MILC) method, and its manufacturing method.例文帳に追加

金属誘導化側面結晶化(MILC)法を用いた場合の結晶化工程の時間を短縮する薄膜トランジスター及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The amount of metal adsorbed on a thin film in the amorphous silicon can be adjusted appropriately and finely, and contamination due to metal can be prevented although crystallization temperature is lowered in crystallizing silicon by a metal induced crystallization system.例文帳に追加

本発明によれば、非晶質シリコンの薄膜上に吸着される金属の量を適切に且つ微細に調節でき、金属誘導結晶化方式によるシリコンの結晶化時,結晶化温度を下げながらも金属による汚染が防止される。 - 特許庁

To form a polycrystalline silicon film formed of crystal grains having a specially uniform distribution, concerning a manufacturing method for a thin-film transistor using an electric field-metal induced crystallization (FE-MIC) method.例文帳に追加

電界−金属誘導結晶化(FE−MIC)方法を利用した薄膜トランジスタを製造する方法に係り、特に均等した分布の結晶粒でなる多結晶シリコン膜を形成する。 - 特許庁

例文

To provide a manufacturing method for improving significantly electric characteristics such as electronic mobility, a leakage current or the like of a thin film transistor by a metal induced lateral crystallization(MILC) method.例文帳に追加

MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)法による薄膜トランジスタの電子移動度、漏れ電流などの電気特性を画期的に改善する製造方法を提供する。 - 特許庁

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