Multiple Quantum Well Laserとは 意味・読み方・使い方

A semiconductor laser device 100 is provided with an active layer 45 having a multiple quantum well structure, and SCH layers 42, 44, 50, and 52 that are formed above and under it.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸構造の活性層４５と、その上下に設けられたＳＣＨ層４２，４４，５０，５２を備えている。 - 特許庁

A red semiconductor laser element is equipped with an n-type AlGaInP bottom cladding layer 4, a GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 5, and a GaInP etching stop layer 7.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層５およびＧａＩｎＰエッチングストップ層７を備えている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser having an active layer of multiple quantum well structure subjected to modulation doping in which emission efficiency and a modulation band are enhanced sufficiently.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層に、変調ドープを行った半導体レーザにおいて、発光効率および変調帯域を十分向上させる。 - 特許庁

A cascade laser device is provided with: a multi-layer film structure including a multiple quantum well including potential barriers 41, 143 and 151 and quantum wells 142 and 144 and an electric field application means for applying an electric field to the multi-layer film structure.例文帳に追加

カスケードレーザ素子は、ポテンシャル障壁41、143、151と量子井戸142、144とを備えた多重量子井戸を含む多層膜構造と、多層膜構造に電界を印加するための電界印加手段を有する。 - 特許庁

To provide a high performance semiconductor laser by improving differential gain also while making increase of number (N_w) of quantum well layers compatible with that of strain amount (ε_w) and layer thickness (L_w) within limit of critical film thickness in a strain multiple quantum well semiconductor laser.例文帳に追加

歪多重量子井戸型半導体レーザにおいて、臨界膜厚の限界内において、量子井戸層の層数Ｎ_ｗの増加と、歪量ε_ｗ及び層厚Ｌ_ｗの増加を両立しつつ、微分利得をも向上させることによって、高い特性を有する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

By constituting a multiple quantum well constituting a laser active layer region of InGaAlAs/InGaAlAs, reliability and a light output level are maintained even when an element is maintained at high temperature.例文帳に追加

レーザ活性層領域を構成する多重量子井戸をＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓで構成することによって、高温に素子を保っても信頼性および光出力レベルをたもつ。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing semiconductor laser capable of suppressing damages generated in the crystal of a multiple quantum well layer, and easily forming a mode-transforming region.例文帳に追加

多重量子井戸層の結晶において損傷発生を抑制してモード変換領域を容易に形成できる半導体レーザーの製造方法を提供する。 - 特許庁

The quantum cascade laser is equipped with a semiconductor substrate and an active layer having a cascade structure wherein unit laminates 16, each consisting of a quantum well light emission layer 17 and an injection layer 18, are stacked in multiple stages.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、量子井戸発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁