multiple quantum well semiconductorとは 意味・読み方・使い方

This nitride semiconductor light-emitting element contains a light-emitting layer 106 having a multiple quantum well structure consisting of a plurality of quantum wells and a plurality of barrier layers alternately stacked on each other, wherein each quantum well layer is composed of InGaNP, and each barrier layer is composed of a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、複数の量子井戸層と複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する発光層１０６を含み、その量子井戸層はＩｎＧａＮＰからなり、障壁層は窒化物半導体層からなることを特徴としている。 - 特許庁

A vertical light-emitting diode (VLED) die includes a metal base (base) 12, a mirror 14 on the metal base, a p-type semiconductor layer 16 on the mirror, a multiple quantum well (MQW) layer 18 on the p-type semiconductor layer configured to emit light, and an n-type semiconductor layer 20 on the multiple quantum well (MQW) layer.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイは、金属ベース（基部）１２と、金属ベース上のミラー１４と、ミラー上のｐ型半導体層１６と、光を放出するように構成された、ｐ型半導体層上の多重量子井戸（ＭＱＷ）層１８と、多重量子井戸（ＭＱＷ）層上のｎ型半導体層２０と、を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element of a multiple quantum well structure that provides a wide bandwidth and superior life characteristics, and a wavelength variable light source.例文帳に追加

広帯域で且つ寿命特性に優れた多重量子井戸構造の半導体発光素子及び波長可変光源装置を提供する。 - 特許庁

To enhance efficiency by absorbing the light penetrating a multiple quantum well layer again by a third semiconductor layer, and to enhance energy efficiency by decreasing the number of layers in the multiple quantum well layer thereby suppressing recombination on the interface.例文帳に追加

多重量子井戸層を透過した光を再度第３の半導体層により吸収させて効率を向上させ、かつ、多重量子井戸層における層数を減らすことを可能にすることで界面における再結合を抑制し、エネルギー変換効率を向上させる。 - 特許庁

The gain region is constituted of 24 bulk semiconductor crystals, and the saturable absorption region 26 is constituted of a multiple-quantum-well structure.例文帳に追加

利得領域は、２４バルク半導体結晶によって構成され、及び、可飽和吸収領域２６は、多重量子井戸構造によって構成される。 - 特許庁

A semiconductor laser device 100 is provided with an active layer 45 having a multiple quantum well structure, and SCH layers 42, 44, 50, and 52 that are formed above and under it.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸構造の活性層４５と、その上下に設けられたＳＣＨ層４２，４４，５０，５２を備えている。 - 特許庁

A red semiconductor laser element is equipped with an n-type AlGaInP bottom cladding layer 4, a GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 5, and a GaInP etching stop layer 7.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層５およびＧａＩｎＰエッチングストップ層７を備えている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser having an active layer of multiple quantum well structure subjected to modulation doping in which emission efficiency and a modulation band are enhanced sufficiently.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層に、変調ドープを行った半導体レーザにおいて、発光効率および変調帯域を十分向上させる。 - 特許庁