PVD coatingとは 意味・読み方・使い方

To provide a cutting tool insert for metal machining comprising a substrate with a first coating and an outermost PVD-layer.例文帳に追加

本発明は、第1の被膜、最外層のＰＶＤ層及び基材を含んでなる金属を機械加工するための切削工具インサートに関する。 - 特許庁

The first coating has been removed so that the outermost PVD-layer is the only layer on the clearance face at least close to the cutting edge.例文帳に追加

第１の被膜は、最外層のＰＶＤ層が切れ刃比少なくとも隣接する逃げ面上にただ一つの層であるように、除去される。 - 特許庁

This manufacturing method comprises sequentially electropolishing and ion-etching an uneven substrate as a pretreatment before forming a coating with a physical vapor-deposition (PVD) process.例文帳に追加

凹凸形状の基材を対象に、ＰＶＤ法による皮膜形成の前処理として、電解研磨処理とイオンエッチング処理とを順に行う。 - 特許庁

A conductive coating film is formed on the surface of a substrate 2 consisting of insulating material by such vapor deposition as CVD, PVD and a sputtering method.例文帳に追加

絶縁性材料からなる基材２の表面にＣＶＤ法や、ＰＶＤ法、スパッタリングなどの蒸着法によって導電性被膜を形成する。 - 特許庁

The metal or alloy coating layer 3 is formed by at least one method selected from the group comprising molten-salt plating, CVD, PVD and brazing.例文帳に追加

金属又は合金被覆層３は、溶融塩めっき法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法及びろう接法から成る群から選択される少なくとも１種の方法により形成する。 - 特許庁

The Al layer 12 is formed by a hot dip coating process or vapor deposition, such as a PVD process, and the AlN layer 13 is formed by subjecting the Al layer 12 to a nitriding treatment.例文帳に追加

Ａｌ層１２は、溶融めっき法やＰＶＤ法等の蒸着により形成され、ＡｌＮ層１３は、Ａｌ層１２を窒化処理することにより形成される。 - 特許庁

This method for coating chromium nitride by PVD comprises adjusting respectively arc current, the pressure of a nitrogen-containing gas, and the bias voltage on a substrate to at least 50 A, to at most 2.66 Pa, and to 100-500 V during coating.例文帳に追加

コーティング中のアーク電流を５０Ａ以上、窒素を含むプロセスガス圧力を２．６６Ｐａ以下、及び基材バイアス電圧を１００〜５００Ｖに調整することを特徴とするＰＶＤによる窒化クロムのコーティング方法。 - 特許庁

The valve lifter comprises a hard carbon coating 1a such as a DLC thin film formed on the crowned face and the side face with PVD technique, e.g., which has a hydrogen content of 1 atom % or less.例文帳に追加

バルブリフターの冠面と側面に、例えばＤＬＣ薄膜のような硬質炭素被膜１ａを例えばＰＶＤ法によって形成し、その水素含有量を１原子％以下とする。 - 特許庁