Pa-tiとは 意味・読み方・使い方

In a process to form the Ti film 18, a physical vapor phase epitaxy method is used under the atmosphere having a pressure of not more than 0.3 Pa.例文帳に追加

ここで、Ｔｉ膜１８を形成する工程において、圧力が０．３Ｐａ以下の雰囲気中で物理気相成長法を用いる。 - 特許庁

The light absorbing films 3, 5 are formed by vapor deposition by using a metal material Ti as the source material and contains oxides TiOx of the metal material produced by introducing a mixture gas containing oxygen during the deposition while keeping a constant vacuum degree in the range from 1×10^-3 Pa to 1×10^-2 Pa.例文帳に追加

記光吸収膜３，５は、金属材料Ｔｉを原料として蒸着により成膜されたものであり、酸素を含む混合ガスを成膜時に導入し、真空度を１×１０^-3Ｐａないし１×１０^-2Ｐａの間で一定に維持した状態で生成した金属材料の酸化物ＴｉＯｘを含有する。 - 特許庁

In the signal transmitter 1 in which at least a pair of signal transmission terminals TI and TO and a conductive pattern PA for connecting them are formed on the front surface A and a ground pattern PB is formed on a rear surface B, the ground pattern PB formed on the rear surface B is formed in a shape superposed on the conductive pattern PA through the substrate 10.例文帳に追加

少なくとも一対の信号伝送端子ＴＩ、ＴＯと、これらを接続する導電パターンＰＡとを表面Ａに形成し、裏面ＢにはグランドパターンＰＢを形成した信号伝送装置１であって、裏面Ｂに形成されたグランドパターンＰＢは、導電パターンＰＡに対応して、基板１０越しに重合した形状にしている。 - 特許庁

This manufacturing method includes depositing either one of targets selected amoug Al, Ti, Mg, Cu, Ag, Au, Zn, Sn and B, on a substrate surface with a vacuum deposition method, under vacuum atmosphere of 1×10^-1 to 1×10^-3 Pa, while keeping the temperature of the Mg alloy substrate at room temperature to 350°C.例文帳に追加

Ｍｇ合金基板の温度を室温から３５０℃に保ちつつ、１×１０^-1から１×１０^-3Ｐａの真空雰囲気にて、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｂのいずれか１種のターゲットを真空蒸着法により基板表面に蒸着させて作成する。 - 特許庁

As an actuator for the ink-jet head 1, the piezoelectric actuator 16 equipped with the piezoelectric film 18, which has a perovskite structure formed through sputtering operation containing Pb, Zr and Ti and which is formed by a manufacturing method at a deposition speed at film-forming of 0.5 μm/h or higher and lower than the sputtering gas pressure in the film formation of 0.5 Pa or lower.例文帳に追加

インクジェットヘッド１のアクチュエータとして、スパッタリングにより形成されたＰｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型構造を有し、成膜時の堆積速度が０．５μｍ／ｈ以上または成膜時のスパッタガス圧が０．５Ｐａ以下による製造方法により作成された圧電膜１８を備えた圧電アクチュエータ１６を用いる。 - 特許庁