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Pattern Lithography Systemとは 意味・読み方・使い方
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「Pattern Lithography System」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 90件
METHOD FOR CONTROLLING IMAGE PATTERN DISTORTION OF LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加
リソグラフィーシステムの画像パターン歪みの制御方法 - 特許庁
PATTERN DRAWING METHOD AND APPARATUS FOR CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加
荷電粒子ビーム描画装置のパターン描画方法及び装置 - 特許庁
VERIFICATION TOOL FOR WRITING PATTERN DATA FOR VARIABLE SHAPED BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加
可変成形型描画装置用の描画図形データの検証ツール - 特許庁
CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM, RESIZING DEVICE FOR PATTERN DIMENSIONS, CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY METHOD AND RESIZING METHOD OF THE PATTERN DIMENSIONS例文帳に追加
荷電粒子ビーム描画装置、パターン寸法のリサイズ装置、荷電粒子ビーム描画方法及びパターン寸法のリサイズ方法 - 特許庁
PROJECTION LITHOGRAPHY SYSTEM AND PATTERN FORMING METHOD USING SAME例文帳に追加
投影露光装置、及び該投影露光装置を用いたパターン形成方法 - 特許庁
SYSTEM AND METHOD FOR PRINTING INTERFERENCE PATTERN HAVING PITCH IN LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加
リソグラフィシステムにおけるピッチを有する干渉パターンを印刷するためのシステムおよび方法 - 特許庁
To provide an optical lithography system for providing an optical pattern without using a photomask.例文帳に追加
フォトマスクを使用せずに光パターンを与える光リソグラフィーシステムを提供する。 - 特許庁
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「Pattern Lithography System」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 90件
ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM, BEAM PATTERN LIMITING APERTURE, AND DESIGN METHOD THEREOF例文帳に追加
電子ビーム描画装置並びにビームパターン限定アパーチャ及びその設計方法 - 特許庁
ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY METHOD, FINE PATTERN DRAWING SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING PROTRUDING AND RECESSING PATTERN SUPPORT, AND MAGNETIC DISK MEDIUM例文帳に追加
電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体磁気ディスク媒体の製造方法 - 特許庁
LITHOGRAPHY PROCESS EVALUATION SYSTEM, LITHOGRAPHY PROCESS EVALUATING METHOD, EXPOSURE SYSTEM EVALUATING METHOD, MASK PATTERN DESIGNING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
リソグラフィプロセス評価システム、リソグラフィプロセス評価方法、露光装置評価方法、マスクパターン設計方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING PATTERN DATA FOR ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY AND ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加
電子線描画描画用パターンデータ作成方法、電子線描画用パターンデータ作成装置および電子線描画装置 - 特許庁
MASKLESS LITHOGRAPHY SYSTEM FOR FORMING GRAY SCALE PATTERN ON OBJECT AND METHOD FOR FORMING GRAY SCALE PATTERN ON OBJECT BETWEEN MASKLESS LITHOGRAPHY例文帳に追加
対象上にグレースケールパターンを形成するためのマスクレスリソグラフィシステム及びマスクレスリソグラフィの間に対象上にグレースケールパターンを形成するための方法 - 特許庁
ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM, METHOD OF EXPOSING HOLE PATTERN, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
電子線描画装置、ホールパターンの露光方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁
To minimize scattered light in a maskless lithography system having multiple pattern generating devices.例文帳に追加
マルチパターン生成装置をもつマスクレスリソグラフィシステムにおいて、散乱光を最小化する。 - 特許庁
To provide: an electron gun capable of obtaining desired pattern dimensions and pattern accuracy; a charged particle beam lithography system; and a charged particle beam lithography method.例文帳に追加
所望のパターン寸法とパターン精度を実現することが可能な電子銃および荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。 - 特許庁
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