「Pattern Lithography System」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Lithography data having the identification display of the cell in which the unit lithography area is included, the size of the unit lithography area, the arrangement position of the cell in a coordinate system, the size of a pattern included in the unit lithography area, and the arrangement position of the unit lithography area in the coordinate system are created.例文帳に追加

単位描画領域が含まれるセルの識別表示と単位描画領域の大きさとセルの座標系に対する配置位置と単位描画領域に含まれるパターンの大きさと単位描画領域の座標系に対する配置位置を有する描画データを作成する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING PATTERN DATA FOR ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY AND ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加

電子線描画描画用パターンデータ作成方法、電子線描画用パターンデータ作成装置および電子線描画装置 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR PRINTING INTERFERENCE PATTERN HAVING PITCH IN LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加

リソグラフィシステムにおけるピッチを有する干渉パターンを印刷するためのシステムおよび方法 - 特許庁

To provide an optical lithography system for providing an optical pattern without using a photomask.例文帳に追加

フォトマスクを使用せずに光パターンを与える光リソグラフィーシステムを提供する。 - 特許庁

ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM, METHOD OF EXPOSING HOLE PATTERN, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

電子線描画装置、ホールパターンの露光方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM, BEAM PATTERN LIMITING APERTURE, AND DESIGN METHOD THEREOF例文帳に追加

電子ビーム描画装置並びにビームパターン限定アパーチャ及びその設計方法 - 特許庁

To minimize scattered light in a maskless lithography system having multiple pattern generating devices.例文帳に追加

マルチパターン生成装置をもつマスクレスリソグラフィシステムにおいて、散乱光を最小化する。 - 特許庁

A system, method, and product for manufacturing a semiconductor device by a lithography which are accompanied by a lithography double patterning process for adding a coloring matter to a first or second lithography pattern are provided.例文帳に追加

第１または第２リソグラフィパターンに色素を付加するリソグラフィダブルパターニングプロセスを伴う、半導体デバイスをリソグラフィにより製造するシステムおよび方法、ならびに製造物が提供される。 - 特許庁

In the electron beam lithography method, aperture identification data for cell transfer are included in the data processed, in a process of adding an OPC pattern to a designed pattern or converting a designed pattern with an OPC pattern into the lithography data characteristic of the electron beam lithography system, by incorporating aperture data information for cell transfer in the process by applying a cell projection type electron beam lithography method.例文帳に追加

一括露光方式の電子ビーム描画方式を適用し、設計パタンにＯＰＣパタン付加する処理過程あるいはＯＰＣ付きの設計パタンを描画装置固有の描画データに変換する過程に、一括転写用アパーチャデータ情報を組み込み、上記過程で処理されたデータ内に一括転写用アパーチャ識別データを含ませる。 - 特許庁

ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY METHOD, FINE PATTERN DRAWING SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING PROTRUDING AND RECESSING PATTERN SUPPORT, AND MAGNETIC DISK MEDIUM例文帳に追加

電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体磁気ディスク媒体の製造方法 - 特許庁

MASKLESS LITHOGRAPHY SYSTEM FOR FORMING GRAY SCALE PATTERN ON OBJECT AND METHOD FOR FORMING GRAY SCALE PATTERN ON OBJECT BETWEEN MASKLESS LITHOGRAPHY例文帳に追加

対象上にグレースケールパターンを形成するためのマスクレスリソグラフィシステム及びマスクレスリソグラフィの間に対象上にグレースケールパターンを形成するための方法 - 特許庁

To provide: an electron gun capable of obtaining desired pattern dimensions and pattern accuracy; a charged particle beam lithography system; and a charged particle beam lithography method.例文帳に追加

所望のパターン寸法とパターン精度を実現することが可能な電子銃および荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。 - 特許庁

The lithography system is provided, comprising an illumination system for providing a radiation beam, and a support structure for supporting a pattern forming device.例文帳に追加

放射ビームを提供するための照明システムと、パターン形成デバイスを支持するための支持構造とを備えたリソグラフィ装置である。 - 特許庁

LITHOGRAPHY PROCESS EVALUATION SYSTEM, LITHOGRAPHY PROCESS EVALUATING METHOD, EXPOSURE SYSTEM EVALUATING METHOD, MASK PATTERN DESIGNING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

リソグラフィプロセス評価システム、リソグラフィプロセス評価方法、露光装置評価方法、マスクパターン設計方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide a method for tuning a lithography system so as to be capable of forming a different pattern image in a different lithography system employing a known process which does not necessitate the process of trial and error which is carried out so as to optimize the settings of a process and a lithography system for individual lithography systems.例文帳に追加

それぞれの個別リソグラフィシステム用にプロセス及びリソグラフィシステム設定を最適化するように実行される試行錯誤のプロセスを必要としない既知のプロセスを使用して、異なるリソグラフィシステムで異なるパターンを結像できるようにリソグラフィシステムをチューニングするための方法を提供することにある。 - 特許庁

METHOD FOR FORMATION OF PATTERN, ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM USING THE SAME, AND OPTICAL PARTS MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加

パターン形成方法、この方法を用いる電子ビーム描画装置およびその方法を用いて作製される光学部品 - 特許庁

This transmission function is then input into a model of the lithography system to produce an aerial image of the reticle pattern.例文帳に追加

この透過関数をリソグラフィシステムのモデルに入力し、レチクルパターンの空間像を生成する。 - 特許庁

An interferometric lithography system produces a pattern having a sharp field edge and minimal optical path length difference.例文帳に追加

干渉型リソグラフィシステムは、鋭いフィールドエッジおよび最小の光路長差を有するパターンを生成する。 - 特許庁

To provide an interferometric lithography system for producing a pattern having a sharp field edge and minimal optical path length difference.例文帳に追加

鋭いフィールドエッジおよび最小の光路長差を有するパターンを生成する干渉型リソグラフィシステムを提供する。 - 特許庁

The charged-particle beam lithography apparatus images a pattern on a substrate with the projected charged-particle beam through a projection system.例文帳に追加

本発明は、荷電粒子線を用いて投影系を介して基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置である。 - 特許庁

SYSTEM FOR EXPOSURE OF SUBSTRATE WITH SEVERAL INDIVIDUALLY SHAPED PARTICLE BEAMS FOR HIGH RESOLUTION LITHOGRAPHY OF STRUCTURED PATTERN例文帳に追加

構造パターンの高解像度リソグラフィのための、複数の個々に成形された粒子ビームによって基板を照射する装置 - 特許庁

A preferred embodiment in an ArF excimer laser system is configured as a MOPA (Master Oscillator Power Amplifier) and specifically designed for use as a light source for integrated-circuit pattern lithography.例文帳に追加

好適な実施形態は、MOPAとして構成され、特に集積回路パターン転写用の光源用として設計されたArFエキシマレーザシステムである。 - 特許庁

To provide a lithography projection equipment including an assembly which determines the position of pattern forming means relative to projection system more accurately.例文帳に追加

投影系に対するパターン形成手段の位置をより正確に決定するアセンブリを含むリソグラフィ投影装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a system and a method of an interference lithography, in which a high resolution pattern is produced with desired contrast over the field as a whole.例文帳に追加

高分解能パターンをフィールド全体にわたり所望のコントラストで生成する干渉リソグラフィのシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁

To provide the pattern drawing method and an apparatus for charged particle beam lithography system, capable of accurately performing proximity effect corrections on the peripheral portion of patterns, regarding the pattern drawing method and the apparatus for the charged particle beam lithography system.例文帳に追加

本発明は荷電粒子ビーム描画装置のパターン描画方法及び装置に関し、パターンの周縁部分の近接効果補正を正確に行なうことができる荷電粒子ビーム描画装置のパターン描画方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

A laser lithography equipment comprises a mask 2 having a pattern, laser light source 52 for writing from which laser light for lithography is irradiated on the mask 2, projection optical system 4 for imaging and projecting a pattern image of the mask 2 on a substrate 65 for wiring, substrate holding and moving mechanism 66 for holding and moving the substrate 65 for lithography, and control system 5.例文帳に追加

パタンを有するマスク２と、マスク２を描画用レーザ光により照明する描画用レーザ光源５２と、マスク２のパタン像を描画用基板６５に結像投影する投影光学系４と、描画用基板６５を保持し、描画用基板６５を移動させる基板保持移動機構６６と、制御システム５とを備える。 - 特許庁

To provide a lithography correcting system which forms a resist pattern nearer to design dimensions for forming the resist pattern crossing perpendicularly to a pattern on a substrate having steps.例文帳に追加

段差を有する基板上のパターンと直交するレジストパターンを形成する場合に、設計寸法により近いレジストパターンを形成可能なリソグラフィ補正システムを提供する。 - 特許庁

A system and the method for printing the pattern on a semiconductor by a lithography are executed by using a combination of an illumination and a mask pattern to be optimized so as to generate a desired pattern.例文帳に追加

所望のパターンを生成するように最適化される照明及びマスク・パターンの組み合わせを用いて、半導体上にパターンをリソグラフィにより印刷するシステム及び方法が述べられる。 - 特許庁

To provide a charged particle beam lithography system capable of drawing a chip pattern while varying shot conditions of a specific pattern included in one piece of lithographic data of the chip pattern.例文帳に追加

チップパターンの一つの描画データに含まれる特定のパターンのショット条件を変えながら、チップパターンを描画可能な荷電粒子ビーム描画システムを提供する。 - 特許庁

To provide a method and system for electron beam lithography, by which a photomask can be fabricated with the same accuracy as that of the conventional methods by preventing an increase the writing time of a pattern with an OPC pattern.例文帳に追加

ＯＰＣ付パタンでの描画時間の増加を防ぎ、従来の方法と同等な精度でフォトマスクを作製可能な電子ビーム描画方法および描画装置を実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field effect transistor which can be patterned in a micro-pattern without a ferrodielectric material damaged by a conventional pattern lithography system.例文帳に追加

通常の加工装置で、パターニングし、強誘電体がダメージを受けない、パターンの微細化ができる電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern shape prediction program and a pattern shape prediction system, capable of confirming a pattern shape, with no actual electron beam lithography, when manufacturing a mask pattern by utilizing a shot shape arrangement drawing data in which a dose amount is corresponded for each shot shape.例文帳に追加

ショット形状毎にドーズ量を対応付けたショット形状配列描画データを利用してマスクパターン等を製造する場合に、実際に電子線描画することなく、パターンの形状を確認できるパターン形状予測プログラム、パターン形状予測システムを提供する。 - 特許庁

The lithography system includes an illumination system for providing a radiation beam, a support for supporting a pattern forming device, a substrate table, and a projection system.例文帳に追加

本発明のリソグラフィ装置は、放射ビームを提供するように構成された照明系、パターン形成装置を支持するように構成された支持体、基板テーブル及び投影システムを含む。 - 特許庁

By an imaging method using the lithography system, a desired pattern printed onto a substrate is decomposed into at least two constituting subpatterns that can be decomposed optically by the lithography system, and the piled-up body of two sacrifice hard masks is applied onto the substrate at the upper portion of a target layer patterned by a desired dense line pattern.例文帳に追加

リソグラフィ・システムを使用するイメージング方法は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィ・システムによって光学的に分解することが可能な少なくとも２つの構成サブパターンに分解すること、所望の密なライン・パターンでパターニングされる標的層の上部において、２つの犠牲ハード・マスクの積重体を基板にコーティングすることを含む。 - 特許庁

The lithography system includes an illumination system for providing projection beams, a mask table for supporting a mask that gives a pattern to the cross-section of the projection beams, a substrate table that holds the substrate, and a projection system that projects the pattern-formed beams to the target portion of the substrate.例文帳に追加

投影ビームを提供する照明システムと、投影ビームの断面にパターンを与えるマスクを支持するマスクテーブルと、基板を保持する基板テーブルと、パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを含むリソグラフィシステムに関する。 - 特許庁

The lithography equipment of this invention comprises a substrate table that holds a substrate, radiation system that forms radiation projection means, pattern providing means for patternization of projection beams according to a desired pattern, and projection system that projects patterned beams to the target part of the substrate.例文帳に追加

本発明リトグラフ装置は、基板を保持する基板テーブルと、放射投影ビームを形成する放射系と、所望のパターンに応じて投影ビームをパターン化するように働くパターン付与手段と、基板の目標部分にパターン化されたビームを投影する投影系とを含む。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR ACHIEVING OPTIMUM FEATURE REPRESENTATION FOR MASKLESS LITHOGRAPHY REAL-TIME PATTERN RASTERIZATION BY USING COMPUTATIONALLY COUPLED MIRRORS例文帳に追加

マスクレス・リソグラフィのリアルタイム・パターン・ラスタ化のための、コンピュータ的に結合されたミラーを使用して最適フィーチャ表現を達成する方法及びシステム - 特許庁

The process system includes detailed simulation and characterization of the entire lithography process to verify that the design provides and/or achieves the desired results on a final wafer pattern.例文帳に追加

この処理装置は、デザインが最終ウェーハパターン上の望ましい結果を提供しおよび／または達成することを実証するため詳細なシミュレーションと完全なリソグラフィ過程の描写を含んでいる。 - 特許庁

To provide a method and a system for detecting particle contamination capable of decomposing particles within a size range relevant to EUV lithography, and dynamically adjusting the particles based on received arbitrary pattern data.例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィに関連するサイズ範囲のパーティクルを分解することができ、かつ、受け取った任意のパターンデータに基づいて動的に調整することができるパーティクル汚染を検出する方法およびシステムを提供する。 - 特許庁

To form a pattern by projecting a projection beam of radiation from a radiation beam system only on a function area of an array of independently controllable elements in lithography apparatus.例文帳に追加

リソグラフィ装置において、放射線システムからの放射線の投影ビームを、個別制御可能な要素のアレイの作用領域のみに投影してパターンを形成すること。 - 特許庁

The lens pupil information is linked to mask information used to generate a pattern in the resist layer (310), and evaluate or rank the system determined by the parameter of the pair for the lithography treatment (312).例文帳に追加

レンズ瞳情報は、レジスト層内のパターン発生に使用されるマスク情報に結合され（３１０）、リソグラフ処理に対する組みのパラメータで決定のシステムの評価又はランク付けをする（３１２）。 - 特許庁

To provide a lithography system using a programmable patterning means, in order to turn into pattern a projection beam in which throughput is enhanced, without significantly increasing the update speed of the patterning means.例文帳に追加

投影ビームをパターン化するためにプログラム可能パターニング手段を使うリソグラフィ投影装置に於いて、パターニング手段の更新速度をあまり上げることなくスループットを改善した装置を提供すること。 - 特許庁

To minimize the total length of boundary lines for main fields and sub-fields formed in an effective pattern region per chip area, in a semiconductor device manufactured by using an EB lithography system.例文帳に追加

本発明はＥＢ描画装置を用いて製造される半導体装置に関し、有効なパターン領域内に形成されるメインフィールドやサブフィールドの境界線の総延長を、チップ面積に対して最短化することを目的とする。 - 特許庁

To provide a photomask manufacturing method and a charged particle beam lithography system, which suppress a reduction in pattern dimensional accuracy by absorption of an amine compound of a resist film in blanks.例文帳に追加

ブランクスにおけるレジスト膜のアミン性化合物の吸着によるパターン寸法精度の低下を抑えることが可能なフォトマスクの製造方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

To provide a system and method of interference lithography, which generates desired contrast over the entire of field of a pattern having a pitch of high-resolution dimension.例文帳に追加

高分解能寸法でピッチを有するパターンのフィールド全体にわたり所望のコントラストを生成する干渉リソグラフィのシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁