Photo transistorsとは 意味・読み方・使い方
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「Photo transistors」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 40件
The pixel 4 has a photo diode 15 and transistors 11 to 14.例文帳に追加
画素4は、フォトダイオード15とトランジスタ11〜14とを有する。 - 特許庁
A light emitting diode 36 and photo-transistors 34 and 35 are disposed inside a slid part 33.例文帳に追加
被摺動部33の内部には発光ダイオード36及びフォトトランジスタ34,35が設けられる。 - 特許庁
The touch panel includes a plurality of pixels each of which has a photo-sensor including first and second transistors including a photo-diode and an oxide semiconductor layer.例文帳に追加
タッチパネルは、フォトダイオードと酸化物半導体層を含む第1及び第2のトランジスタとを有するフォトセンサが各々設けられた複数の画素を有する。 - 特許庁
A pixel unit P_m,n includes an APS type photo-diode PD and five MOS transistors T1-T5.例文帳に追加
画素部P_m,nは、APS方式のものであって、フォトダイオードPDおよび5個のMOSトランジスタT1〜T5を含む。 - 特許庁
Photo-transistors 6a, 6b, 6c are arranged so as to be corresponding to respective lamps 2a, 2b, 2c of operation indicating lamps 2 for a device 1.例文帳に追加
装置1の稼動表示灯2の各ランプ2a,2b,2cに対応させて、フォトトランジスタ6a,6b,6cを配置する。 - 特許庁
A light source and photo receiving elements are arranged opposite to each other on the straddling sides of the face of a substrate X being an object to be measured, and a light source unit 2 composed of a fluorescent light is used as the light source, and a plurality of photo transistors are used as the photo receiving elements.例文帳に追加
計測対象である基板Xの面を挟んで対向配置された光源と受光用素子とを備え、該光源は蛍光灯から構成される光源ユニット2とされ、受光用素子は複数のフォトトランジスタ3とした。 - 特許庁
A shunt circuit is constituted of a current mirror circuit composed of e.g. pnp transistors P1, P2, Pa and an operational amplifier OP1, and shunts a photo current IPD from a photo diode PD.例文帳に追加
たとえば、PNPトランジスタP1,P2,PaおよびオペアンプOP1からなるカレントミラー回路によって分流回路を構成し、フォトダイオードPDからの光電流IPDを分流する。 - 特許庁
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「Photo transistors」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 40件
Related to first, second, and third photo- couplers 4, 5, and 6, light-emitting diodes 4a, 5a, and 6a and photo-transistors 4b, 5b, and 6b are counter-allocated with the rotational locus of the slit 3 in between.例文帳に追加
第1、第2及び第3のホトカプラ4、5、6は、発光ダイオード4a、5a、6aとホトトランジスタ4b、5b、6bとがスリット3の回転軌跡を挟んた状態で対向配置される。 - 特許庁
A microcomputer 4 successively acquires level values of quantities of light received by photo transistors 3a and 3b through each A/D input.例文帳に追加
マイコン4は、各A/D入力を介してフォトトランジスタ3a,3bがそれぞれ受光した光量のレベル値を逐次取得する。 - 特許庁
The group of infrared ray sensors 12 are constituted of infrared photo-diodes, infrared photo-transistors, and the like, and detect infrared rays emitted from both of the right and left arms, wrists, palms, roots of fingers, and the like of the player.例文帳に追加
赤外線センサ群12は、赤外線フォトダイオード、赤外線フォトトランジスタなどで構成され、演奏者の左右両手の腕、手首、掌、指の付け根などから発する赤外線をそれぞれ検知する。 - 特許庁
A body 10a provided with a plurality of photo transistors 2a to 2n, a selection switch 3, a sound source drive circuit 4, and a sound source unit 5 is disposed close to the radio slave unit 14 so that the plurality of photo transistors 2a to 2n may face a plurality of LEDs 1a to 1n of the radio slave unit 14.例文帳に追加
複数のホトトランジスタ2a〜2nと選択スイッチ3と音源ドライブ回路4と音源部5とが設けられた本体10aを、無線子機14の複数のLED1a〜1nに複数のホトトランジスタ2a〜2nが対向するように無線子機14に対して近接して配置する。 - 特許庁
Voltage levels of the photo-diode are accumulated in the capacitor and read out through fourth and fifth transistors toward the end of the second exposure term.例文帳に追加
第2の露光期間の終了時に向かって、フォトダイオードの電圧レベルをキャパシタ内に蓄積して第4と第5のトランジスタを介して読み出す。 - 特許庁
The sensor system is formed on a semiconductor substrate and includes a plurality of pairs of photo gates each including a first photo gate and a second photo gate, a first shared floating diffusion region formed in the semiconductor substrate, and a plurality of first transmission transistors formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加
本センサー系は、半導体基板上に形成され、それぞれが、第1フォトゲートと第2フォトゲートとを含む複数のフォトゲート対と、半導体基板内に形成された第1共有フローティングディフュージョン領域と、半導体基板上に形成された複数の第1伝送トランジスタと、を含む。 - 特許庁
Each of the plurality of the first transmission transistors transmits a plurality of electric charges formed under each of the first photo gates of the plurality of pairs of photo gates to the first shared floating diffusion region according to a first control signal.例文帳に追加
複数の第1伝送トランジスタのそれぞれは、第1制御信号に応答して、複数のフォトゲート対のそれぞれの第1フォトゲート下に形成された複数の電荷を第1共有フローティングディフュージョン領域に伝送する。 - 特許庁
Thus, the thin film transistors 4, 5 with desired characteristics and the PIN diodes 6 with increased photo sensitivity are easily and simultaneously manufactured on the glass substrate 3 with reduced number of processes.例文帳に追加
所望の特性の薄膜トランジスタ4,5と光感度が向上したPINダイオード6とを容易かつ少ない工程数でガラス基板3上に同時に製造できる。 - 特許庁
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