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Reactive Ion Etching Systemとは 意味・読み方・使い方
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該当件数 : 10件
REACTIVE ION BEAM ETCHING SYSTEM AND PROCESSING METHOD THEREFOR例文帳に追加
反応性イオンビームエッチング装置とその加工方法 - 特許庁
To provide a glass system which behaves advantageously in the construction of a microstructure, especially in a process comprising reactive ion etching.例文帳に追加
微細構造構築時、特に反応性イオンエッチングの方法時に有利に挙動するガラス系を提供する。 - 特許庁
To provide a parallel plate reactive ion etching system which can etch a solar battery substrate with an etching distribution of ±10% in a batch.例文帳に追加
大面積の太陽電池基板を、バッチ内で±10％以下のエッチング分布をもってエッチング処理できる平行平板式反応性イオンエッチング装置を提供する。 - 特許庁
When the recipe of plasma cleaning treatment is set, a decision is made whether the recipe is for the plasma etching (PE) system or the reactive ion etching (RIE) system by means of a personal computer 15, and the limitation of plasma treatment is read from an internal memory if the recipe is for the RIE system.例文帳に追加
プラズマ洗浄処理のレシピ設定をする際には、パソコン１５により、プラズマエッチング（ＰＥ）方式かリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式かのどちらであるかを判定し、ＲＩＥ方式であればプラズマ処理制限を内部メモリから読み込む。 - 特許庁
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「Reactive Ion Etching System」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
The system includes a processor 33 having an element constituted so that the optimum motor bias route for a deep reactive ion etcher 22 is determined on a wafer, a stepper for imprinting a pattern of the gyro in the direction corresponding to the optimum motor bias route calculated to be the nearest to each gyro on the wafer, and a deep reactive ion etcher 37 for etching the gyro on the wafer.例文帳に追加
システムは、ウェハ上で深反応性イオンエッチャ２２用の最適モータバイアス経路を決定するように構成された要素を備えたプロセッサ３３、ウェハ上で各ジャイロに最も近いものと算出された最適モータバイアス経路に対応した向きに該ジャイロのパターンをインプリントするステッパ３５及びウェハにジャイロをエッチングする深反応性イオンエッチャ３７を含む。 - 特許庁
In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加
Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁
In a parallel plate reactive ion etching system, a matching box housing a matching circuit is positioned under a cathode assembly accessory mechanism attached to the external wall surface of a cathode-side vacuum chamber, within an extent containing the center axis line passing through a cathode and an anode, so that an earthing route may become symmetrical with respect to a substrate on the cathode.例文帳に追加
本平行平板式反応性イオンエッチング装置においては、陰極と陽極とを通る中心軸線を含む範囲内でしかもアース経路が陰極上の基板に対して対称形となるように、マッチング回路を収納したマッチングボックスを、陰極側の真空チャンバーの外壁面に取付けられた陰極組立体付属機構の下側に位置決めされる。 - 特許庁
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