SEMI-POLARとは 意味・読み方・使い方

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non- or semi-polar surface of an SiC substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面又は半極性面上に、結晶成長させる。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a nitride semiconductor laser using a non-polar or semi-polar wafer wherein orientation of a laser cavity can be performed easily.例文帳に追加

レーザキャビティの向きづけを容易に行うことが可能であり、非極性または半極性ウエハを用いて、窒化物半導体レーザを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The light source 11 includes: a GaN substrate having a non-polar plane or a semi-polar plane as a principal plane; and a light-emitting element (LED or LD) formed on the principal plane of the GaN substrate.例文帳に追加

光源１１は、非極性面または半極性面を主面として有するＧａＮ基板と、ＧａＮ基板の主面上に形成された発光素子（ＬＥＤまたはＬＤ）とを含む。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor substrate includes a principal surface 11a which is a polar surface or a semi polar surface and a backside 11b and includes P or As as a group V element.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板は、極性面または半極性面である主面１１ａと裏面１１ｂとを含み、Ｖ族元素としてＰまたはＡｓを含んでいる。 - 特許庁

To enhance the flatness of a light emitting end surface, and to turn an emission wavelength into a long wavelength to a green region, in a light emitting element using a non-polar substrate or a semi-polar substrate.例文帳に追加

非極性基板または半極性基板を用いた発光素子において、発光端面の平坦性を向上させ、発光波長を緑色領域まで長波長化させる。 - 特許庁

METHOD OF GROWING SEMI-POLAR NITRIDE SINGLE CRYSTAL THIN FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

半極性窒化物単結晶薄膜の成長方法及びこれを用いた窒化物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor element manufacturing method which can provide excellent contact resistance to a semi-polar group III nitride.例文帳に追加

半極性III族窒化物に対して良好な接触抵抗を提供できる、III族窒化物半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride-based semiconductor light emitting element, by excellent crystal growth, on a semi-polar nitride gallium surface.例文帳に追加

半極性を示す窒化ガリウム表面に良好な結晶成長により、窒化物系半導体発光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁