SI FILMとは 意味・読み方・使い方

METHOD FOR FORMING Si CRYSTAL THIN FILM例文帳に追加

Ｓｉ結晶薄膜の形成方法 - 特許庁

An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上に、Ｓｉ酸化膜２及びＳｉ窒化膜３を順次形成する。 - 特許庁

The gate insulation film is given a multilayer structure comprising at least SiO_2 and SRN (Si Rich Nitride) film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を少なくともSiO_2とSRN（Si Rich Nitride）膜との積層構造とする。 - 特許庁

Then, the Si nitride film 3 and the Si oxide film 2 are subjected to an etching process.例文帳に追加

次いで、Ｓｉ窒化膜３及びＳｉ酸化膜２をエッチングする。 - 特許庁

The film is attached by using an organic silicon compound precursor so as to allow a residual film to comprise a backbone structure substantially comprising a Si-O-Si or Si-N-Si group and an organic side group bonded to the backbone structure.例文帳に追加

フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。 - 特許庁

An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加

ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁

The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁

The Si oxide film 6/Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G and the anti-reflection film F are separated by a gap between the poly-Si transfer electrode 7 and the other poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内のSi酸化膜6/Si窒化膜5及び反射防止膜Fは、ポリSi転送電極7と他のポリSi転送電極7との間のギャップ部分で切り離している。 - 特許庁