Si fieldとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device having a high speed field effect transistor with low power consumption by using the combination of Si and Ge having the same family element as Si.例文帳に追加

Ｓｉおよびこれと同族元素であるＧｅ等の組合せを用いて、低消費電力で高速な電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, FIELD TRANSISTOR, AND SiGe LAYER, AND METHOD OF FORMING DISTORTED Si LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR UTILIZING THE FORMING METHOD例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法 - 特許庁

Further, the efficiency is enhanced to a maximum extent while reducing a leak current, by optimizing the film thickness of the strained Si layer having a channel region, the inactivation of defects, a field plate structure, etc.例文帳に追加

更に、チャネル領域を有する歪Si層の膜厚、欠陥の不活性化、或いはフィールドプレート構造の最適化などによってリーク電流を低減しつつ最大限に効率を高める。 - 特許庁

In this Al-Mg-Si aluminum alloy sheet, the number of Mg-Si compounds with the size of ≥1 μm is ≤300 pieces in the range of a visual field of 1 mm2 by SEM.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系アルミニウム合金板は、大きさが１μｍ以上であるＭｇＳｉ系化合物がＳＥＭ観察による１ｍｍ^2の視野の範囲内に３００個以下である。 - 特許庁

The electrons injected from the n-type Si-semiconductor substrate 1 are accelerated by the strong electric field, and thus electrons having energy exceeding the work function of the thin-film electrode 4 are emitted into a vacuum.例文帳に追加

ｎ型Si半導体基板１から注入された電子は、この強電界で加速を受け、薄膜電極４の仕事関数を越えるエネルギーを有する電子が真空中へ放射される。 - 特許庁

(6) In all documents units of measure shall be expressed in terms of the SI System. If a different system is used units of measure shall be expressed also in terms of the SI System. In general use shall be made of technical terms signs and symbols generally accepted in the field in question where such terms signs or symbols are used.例文帳に追加

(6) すべての書類において，計測単位は，SI系により表示する。他の単位系を用いる場合は，計測単位は，SI系でも表示しなければならない。一般に，専門用語，符号及び記号を用いる場合は，当該分野で一般に受け入れられている専門用語，符号及び記号を用いなければならない。 - 特許庁

After a poly-Si layer 4 is located on a silicon substrate 1 including an upper surface of a field-oxide film 3, the poly-Si layer 4 is patterned, thereby, the poly-Si layer 4a remains in a region constituting a gate electrode in a MOSFET-formed region and a poly-Si layer 4b also remains in a poly-Si resistive-element-formed region.例文帳に追加

フィールド酸化膜３の上を含むシリコン基板１の上にＰｏｌｙ−Ｓｉ層４を配置したのち、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層４をパターニングすることで、ＭＯＳＦＥＴ形成領域のうちゲート電極を構成する領域においてＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ａを残すと共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗体形成領域においてＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ｂを残す。 - 特許庁

An insulating film 105 and a cover insulating film 108 are provided over the Si substrate 120 and the field oxide film 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板１２０およびフィールド酸化膜１０１の上部には、絶縁膜１０５およびカバー絶縁膜１０８が設けられている。 - 特許庁