「SI FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SOFT MAGNETIC POWDER COATED WITH Si OXIDE FILM例文帳に追加

Ｓｉ酸化膜被覆軟磁性粉末 - 特許庁

ETCHING METHOD OF Si FILM例文帳に追加

Ｓｉ膜のエッチング方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING Si CRYSTAL THIN FILM例文帳に追加

Ｓｉ結晶薄膜の形成方法 - 特許庁

An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上に、Ｓｉ酸化膜２及びＳｉ窒化膜３を順次形成する。 - 特許庁

The gate insulation film is given a multilayer structure comprising at least SiO_2 and SRN (Si Rich Nitride) film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を少なくともSiO_2とSRN（Si Rich Nitride）膜との積層構造とする。 - 特許庁

Then, the Si nitride film 3 and the Si oxide film 2 are subjected to an etching process.例文帳に追加

次いで、Ｓｉ窒化膜３及びＳｉ酸化膜２をエッチングする。 - 特許庁

The film is attached by using an organic silicon compound precursor so as to allow a residual film to comprise a backbone structure substantially comprising a Si-O-Si or Si-N-Si group and an organic side group bonded to the backbone structure.例文帳に追加

フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。 - 特許庁

An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加

ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁

The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁

The Si oxide film 6/Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G and the anti-reflection film F are separated by a gap between the poly-Si transfer electrode 7 and the other poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内のSi酸化膜6/Si窒化膜5及び反射防止膜Fは、ポリSi転送電極7と他のポリSi転送電極7との間のギャップ部分で切り離している。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON CONTAINING THIN FILM USING ORGANIC COMPOUND CONTAINING SI WITH SI-SI BOND例文帳に追加

Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する有機Ｓｉ含有化合物を用いたＳｉ含有薄膜の形成方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR REFINING Si AND APPARATUS FOR PRODUCING REFINED Si FILM例文帳に追加

Ｓｉ精製方法、Ｓｉ精製装置及びＳｉ精製膜製造装置 - 特許庁

As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加

金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁

Generation of Si nodules is prevented by depositing an Al3Ti film, having a high solid solubility of Si and an Al film in layer and heat treating at 400°C or above, thereby absorbing excess Si to the Al3Ti film.例文帳に追加

Siの固容量の大きいAl3Ti膜をAl膜と積層するように堆積して、400℃以上の熱処理を加えることにより、過剰なSiをAl3Ti膜に吸収させることでSiノジュールの発生を防止する。 - 特許庁

In an inspection process of crystallinity of a p-Si film 23, irradiation light Lout is emitted to the p-Si film 23 and an a-Si film 230 to acquire transmission images of the p-Si film 23 and the a-Si film 230.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。 - 特許庁

The Si single crystal 1 is curved and the position of the probe 6 is displaced by the bimetal operation between the PZT thin film 3 and the Si single crystal 1.例文帳に追加

ＰＺＴ薄膜３とSi単結晶１とのバイメタル作用により、Si単結晶１が湾曲して探針６の位置が変位する。 - 特許庁

To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.例文帳に追加

Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁

The surface of the multi-crystal Si film 6 is exposed by washing treatment, and then an amorphous Si film 7 is formed on the multi-crystal Si film 6.例文帳に追加

洗浄処理により多結晶Ｓｉ膜６の表面が露出した状態にした後、多結晶Ｓｉ膜６上に非晶質Ｓｉ膜７を形成する。 - 特許庁

To correct an amplitude defect in a Mo/Si multilayer film or Mo_2C/Si multilayer film in an EUVL mask.例文帳に追加

EUVLマスクのMo/Si多層膜またはMo_2C/Si多層膜中の振幅欠陥を修正する。 - 特許庁

To correct phase defect in a Mo/Si multilayer film or Mo_2C/Si multilayer film of the blanks of an EUVL mask.例文帳に追加

EUVLマスクのブランクスのMo/Si多層膜またはMo_2C/Si多層膜中の位相欠陥を修正する。 - 特許庁

The Si/N ratio of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the Si/N ratio of the interlayer silicon nitride film 26.例文帳に追加

ゲート窒化シリコン膜16のＳｉ／Ｎ比を層間窒化シリコン膜26のＳｉ／Ｎ比より高くする。 - 特許庁

To provide a method which selectively perform low-temperature wet etching of an SiN film to an SiO film and Si.例文帳に追加

SiO膜、Si対してSiN膜を選択的に低温ウェットエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

The metal thin film 4 is grounded and a negative voltage is applied to the Si substrate 1 or the boron nitride film 2.例文帳に追加

金属薄膜４を接地し、Si基板１又は窒化硼素膜２にマイナスの電位をかける。 - 特許庁

A gate insulting film 5 and a multi-crystal Si film 6 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にゲート絶縁膜５および多結晶Ｓｉ膜６を順次形成する。 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT例文帳に追加

多結晶Ｓｉ薄膜の堆積法、多結晶Ｓｉ薄膜及び光起電力素子 - 特許庁

METHOD FOR FORMING POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT例文帳に追加

多結晶Ｓｉ薄膜の形成方法、多結晶Ｓｉ薄膜及び光起電力素子 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND TARGET例文帳に追加

多結晶Ｓｉ薄膜の堆積法、多結晶Ｓｉ薄膜及び光起電力素子並びにターゲット - 特許庁

MATERIAL FOR FORMING Si-CONTAINING FILM, Si-CONTAINING FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

Ｓｉ含有膜形成材料、Ｓｉ含有膜及びその製造方法、並びに半導体デバイス - 特許庁

For example, a-Si film 13 and n^+-type a-Si film 15 accomplish the bank.例文帳に追加

例えば、ａ−Ｓｉ膜１３とｎ＋型ａ−Ｓｉ膜１５とがバンクを成している。 - 特許庁

An a-Si film 12 is heat treated to form an a-Si film 12a in which nuclei are generated.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ膜１２に加熱処理を行って、結晶核が発生したａ−Ｓｉ膜１２ａを形成する。 - 特許庁

A first Si oxide film 102, a diamond-like film (DLC film) 103, an ashing protective film (a-Si film) 104 and a second Si oxide film 105 are formed in order on the surface of an Si substrate 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０１表面に第１のＳｉ酸化膜１０２、ダイヤモンドライク膜（ＤＬＣ膜）１０３、アッシング保護膜（ａＳｉ膜）１０４、第２のＳｉ酸化膜１０５を順次形成する。 - 特許庁

A film containing Ar in a Si oxide amorphous insulator film wherein a quantity of Ar in the film is 3% or more in an atomicity ratio for Si (Ar/Si≥3 at.%) is prepared.例文帳に追加

Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にＡｒを含有し、その膜中のＡｒ量がＳｉに対して原子数比で３％以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。 - 特許庁

The steel has a coating of a surface treating agent with 5 to 50 μm film thickness on its surface, the agent containing Si-containing iron powder by 15 to 75% of the solid content by mass ratio, so as to form a dense rust (Fe_2SiO_4) layer containing Si by the reaction of eluted Fe ions and Si ions.例文帳に追加

質量比で、固形分の15〜75％のSi含有鉄粉を含む表面処理剤の被覆を５〜50μｍの膜厚で表面に備え、溶出したFeイオンおよびSiイオンを反応させて、Siを含む緻密なさび(Fe_2SiO_4）層を生成させる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for refining Si efficiently performing refining of low-purity Si to high-purity Si so as to produce solar cell-grade Si from metal-grade Si, and an apparatus for producing a refined Si film.例文帳に追加

金属級Ｓｉから太陽電池級Ｓｉを製造すべく、低純度Ｓｉから高純度Ｓｉへの精製を効率良く行い得るＳｉ精製方法、Ｓｉ精製装置及びＳｉ精製膜製造装置を提供する。 - 特許庁

Preferably, the film with the Ar quantity in the insulator film of 17% or less in the atomicity ratio for Si (Ar/Si≤17 at.%) is prepared.例文帳に追加

また望ましくは前記絶縁体膜中のＡｒ量が、Ｓｉに対して原子数比で１７％以下(Ar/Si ≦ 17 at.%)の膜を作製する。 - 特許庁

Consequently, a bond between Si and C is broken, and Si and oxygen are bonded to each other and the film including Si and C is modified into an SiC film.例文帳に追加

これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。 - 特許庁

An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加

n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁

The piezoelectric thin film resonator includes an Si substrate 12.例文帳に追加

圧電薄膜共振子１０はＳｉ基板１２を含む。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SI WAFER HAVING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

シリコン酸化膜を有するＳｉウェーハの製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM ON SI SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上への化合物半導体薄膜形成方法 - 特許庁

THIN FILM CRYSTALLINE Si SOLAR BATTERY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

薄膜結晶質Ｓｉ太陽電池およびその製造方法 - 特許庁

HARD NITRIDE FILM DEPOSITING METHOD USING Si-CONTAINING GAS例文帳に追加

Ｓｉ含有ガスを用いた硬質窒化膜の形成方法 - 特許庁

Si-CONTAINING COMPOUND NITRIDE FILM, AND COATED CUTTING TOOL例文帳に追加

Ｓｉ含有複合窒化物膜および被覆切削工具 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING CRYSTALLIZATION Si FILM例文帳に追加

結晶化Ｓｉ膜の評価方法及びその装置 - 特許庁

SI-CONTAINING FILM-FORMING MATERIAL AND UTILITY THEREOF例文帳に追加

Ｓｉ含有膜形成材料、及びその用途 - 特許庁