「SI FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor film manufacturing method, Si ions are accelerated by an accelerating electrode after ionizing Si atoms or Si clusters, and a substrate 7 is irradiated with the accelerated ions to form a Si film, using Si ions which are controlled to energy of 2-8 eV.例文帳に追加

Ｓｉ原子、または、Ｓｉクラスタをイオン化後、加速電極６でＳｉイオンを加速し、該イオンを基板７に照射してＳｉ膜を成膜する半導体薄膜の製法であって、前記Ｓｉイオンとしてエネルギーが２〜８ｅＶに制御されたＳｉイオンを用いることを特徴とする半導体薄膜の製法。 - 特許庁

Upon forming the gate insulating film, the laminated film of SiO_2 film and Si_xN_(1-x) film, the laminated film of SiO_2 film, HfO_2 film, and Si_xN_(1-x) film or the like, concretely for example, is formed.例文帳に追加

具体的に例えば、ゲート絶縁膜形成の際には、ＳｉＯ_２膜と、Ｓｉ_ｘＮ_（１−ｘ）膜との積層膜や、ＳｉＯ_２膜と、ＨｆＯ_２膜と、Ｓｉ_ｘＮ_（１−ｘ）膜との積層膜等を形成する。 - 特許庁

The lithium fluoride layer 3' is stable on the Mo/Si multilayer film 2 but adhesion to the Mo/Si multilayer film 2 is relatively weak.例文帳に追加

フッ化リチウム層３’は、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２上で安定しているが、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２との密着力は比較的弱い。 - 特許庁

On a semiconductor layer 2, a tensile stress nitride film 15 is formed which includes an SiN film containing Si having three or more Si-N bonds.例文帳に追加

半導体層２上には、Ｓｉ−Ｎ結合を３以上有するＳｉを含むＳｉＮ膜からなる引張応力窒化膜１５が形成されている。 - 特許庁

ORGANIC SILANE COMPOUND FOR FORMING Si-CONTAINING FILM BY PLASMA CVD AND METHOD FOR FORMING Si-CONTAINING FILM例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物及びＳｉ含有膜の成膜方法 - 特許庁

Following to formation of an SiN film 2 on an Si substrate 1, Si+ ions are implanted into the ion implanting region 3 of the SiN film 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１にＳｉＮ膜２を形成した後に、Ｓｉ^+イオンをＳｉＮ膜２のイオン注入領域３にイオン注入する。 - 特許庁

The a-Si film 3 and the Si oxide film 4 remain on the sidewalls, so that the sidewalls 5 can be prevented from having varying widths.例文帳に追加

側壁部には、ａ−Ｓｉ膜３とＳｉ酸化膜４が残存するため、側壁部５の幅にばらつきが生じなくなる。 - 特許庁

A cell plate, having a polycide structure composed of a polycrystalline Si film and a WSiX film, is formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に多結晶Ｓｉ膜とＷＳｉ_x 膜とのポリサイド構造を有するセルプレート１５を形成する。 - 特許庁

An n-type polycrystalline Si thin film 3 and a p-type polycrystalline Si thin film 4 are formed on the metal electrode 2 by an epitaxial growth method.例文帳に追加

ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４は、エピタキシャル成長法により金属電極２上に形成する。 - 特許庁

To prevent an Si film from separating off and cracking from occurring in a nitride semiconductor when the nitride semiconductor is grown in crystal on the Si film.例文帳に追加

Ｓｉ上に窒化物半導体を結晶成長する際に、Ｓｉのはがれをなくすとともに、窒化物半導体中のクラックの発生を抑制する。 - 特許庁

An amorphous Si film 4 is formed on a first SiO2 film 3 formed by thermal oxidation on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板１上の、熱酸化によって形成された第１のＳｉＯ_２膜３上に、非晶質Ｓｉ膜４を形成する。 - 特許庁

Heating treatment is performed in a reaction furnace in the atmosphere of O2, and the SiO2 film 2 of film thickness A is formed on an Si substrate 1 being an Si layer.例文帳に追加

反応炉内で、Ｏ_2 雰囲気中で加熱処理を行い、Ｓｉ層であるＳｉ基板１上に膜厚ＡのＳｉＯ_2 膜２を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laminated film is configured, that comprises a (100) Si substrate, and an NiSi polycrystalline film with (111) orientation formed on the (100) Si substrate.例文帳に追加

（１００）Ｓｉ基板と、この（１００）Ｓｉ基板上に形成された、（１１１）配向のＮｉＳｉ多結晶膜とからなる半導体積層膜を構成する。 - 特許庁

A test wafer with a a-Si film 3 formed on a Si wafer 1 through a SiN film 2 is used for the evaluation.例文帳に追加

Ｓｉウェハ１上にＳｉＮ膜２を介してａ−Ｓｉ膜３が形成されてなるテストウェハを用いる。 - 特許庁

Then, the a-Si film 102a is crystallized into a p-Si film 102b by nickel, which promotes its crystallization through subjecting it to thermal treatment.例文帳に追加

次に、加熱処理することによって、ａ−Ｓi膜１０２aを結晶化を助長するニッケルにより結晶化させてｐ−Ｓi膜１０２bを形成する。 - 特許庁

This cold cathode has layers on a Si substrate 1 formed from bottom to top in the following order: a boron nitride film 2, a SiO2 layer 3 and a metal thin film 4.例文帳に追加

Si基板１の上に窒化硼素膜２が形成され、その上SiＯ_2層３が形成されており、さらにその上に金属薄膜４が形成されている。 - 特許庁

To enhance power generation efficiency by facilitating to increase optical intensity on the interface of a p-type Si film and an n-type Si film.例文帳に追加

本発明は、該ｐ型Ｓｉ膜とｎ型Ｓｉ膜との界面の光強度を上げやすくして発電効率を高めることを課題とする。 - 特許庁

After that, a TFT and capacity are created on the Poly-Si film with superior uniformity and the Poly-Si film with large surface area, respectively.例文帳に追加

その後、均一性の良いＰｏｌｙ−Ｓｉ膜上にＴＦＴを、表面積の大きなＰｏｌｙ−Ｓｉ膜上に容量をそれぞれ作製する。 - 特許庁

A recess 26 is formed on the under surface of an SOI substrate formed by laminating an Si substrate 22 on an Si thin film 24 through an SiO_2 film 23.例文帳に追加

Ｓｉ基板２２とＳｉ薄膜２４をＳｉＯ_２膜２３を介して貼り合わせたＳＯＩ基板の下面に凹部２６を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a monomolecular film on an Si substrate by which the monomolecular film can be accumulated directly on the Si substrate by utilizing a radical reaction.例文帳に追加

Ｓｉ基板上へダイレクトにラジカル反応を利用して集積化することができるＳｉ基板上への単分子膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 9 and a polycrystalline Si film 10 are successively formed on an Si substrate 1 where a transistor is formed.例文帳に追加

トランジスタが形成されたＳｉ基板１上に層間絶縁膜９、多結晶Ｓｉ膜１０を順次形成する。 - 特許庁

The electrode 5 is formed in contact with the Si thin film 423, and the electrode 6 is formed in contact with the Si thin film 433.例文帳に追加

電極５は、Ｓｉ薄膜４２３に接して形成され、電極６は、Ｓｉ薄膜４３３に接して形成される。 - 特許庁

Consequently, a transmission image (transmission image data D1) of the p-Si film 23 and a-Si film 230 is obtained.例文帳に追加

これにより、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像（透過画像データＤ１）を取得する。 - 特許庁

The amorphous thin film 41 consists of i-type a-Si:H, and the crystal thin film 42 consists of (i) type poly-Si.例文帳に追加

非晶質薄膜４１は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、結晶薄膜４２は、ｉ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる。 - 特許庁

BLUE LIGHT-EMITTING Si:SiO2 FILM, BLUE LIGHT-EMITTING ELEMENT HAVING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING BLUE LIGHT-EMITTING Si:SiO2 FILM例文帳に追加

青色発光Ｓｉ：ＳｉＯ２膜とそれを具備した青色発光素子ならびに青色発光Ｓｉ：ＳｉＯ２膜の製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and a substrate processing apparatus for planarizing a film shape when depositing a semiconductor film of Si, SiGe and the like based on selective growth on a substrate such as an Si wafer.例文帳に追加

Ｓｉウエハなどの基板にＳｉ、ＳｉＧｅなどの半導体膜を選択成長にて成膜する際の、膜形状を平坦化させる。 - 特許庁

Consequently, an interference fringe image (interference fringe image data D1) of the p-Si film 23 and a-Si film 230 is obtained.例文帳に追加

これにより、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の干渉縞画像（干渉縞画像データＤ１）を取得する。 - 特許庁

An a-Si film 12 becoming the active layer of a TFT is crystallized into polycrystal Si by enhancing a crystal growth length while adding Ni into the film 12.例文帳に追加

ＴＦＴの活性層となるａ‐Ｓi膜１２にＮiを添加することによって結晶生成長を促進して多結晶Ｓiに結晶化する。 - 特許庁

The laser light transmitted through the transparent region 32 is irradiated on an a-Si:H film to anneal and polycrystallize the a-Si:H film.例文帳に追加

透過領域３２を透過したレーザ光が、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜に照射されてこの部分をアニールして多結晶化する。 - 特許庁

It is then heat treated in an oxidizing atmosphere in order to convert the Si rich silicon oxide film 106 into an SiO2 film while extinguishing internal voids.例文帳に追加

次いで、酸化性の雰囲気で熱処理をして、Siリッチなシリコン酸化膜１０６を内部のボイドを消滅させつつSiO_2膜に変化させる。 - 特許庁

A linearly polarized beam light 13 is applied to an amorphous Si film 11 for laser annealing to form a polycrystal Si film 12.例文帳に追加

非晶質Ｓｉ膜１１に直線偏光のビーム光１３を照射してレーザアニールをすることにより、多結晶Ｓｉ膜１２を形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing an Si substrate for forming a MOS transistor, an SiGe film is formed as lattice-matching it to an Si substrate surface, an Si film is formed as lattice-matching it on the SiGe film, Ge ions and hydrogen ions are injected to an area where an NMOS transistor is formed, and heat treatment is performed to reduce distortion of only the SiGe film in the area.例文帳に追加

MOSトランジスタを形成するためのSi基板の製造方法において、SiGe膜をSi基板表面に格子整合させながら形成し、Si膜をSiGe膜上に格子整合させながら形成し、nMOSトランジスタを形成する領域にGeイオンと水素イオンを注入し、熱処理を施して、前記領域のSiGe膜のみの歪みを緩和する。 - 特許庁

Thereafter, dehydrogenation annealing of the a-Si film 13a is performed by RTA.例文帳に追加

その後、ＲＴＡによりａ−Ｓｉ膜13aの脱水素アニールを行う。 - 特許庁

Mo/Si MULTILAYER FILM AND METHOD FOR IMPROVING ITS HEAT RESISTANCE例文帳に追加

Ｍｏ／Ｓｉ多層膜及びその耐熱性を向上させる方法 - 特許庁

An Mo/Si multilayer film is formed on a substrate 5 by a sputtering method.例文帳に追加

基板５の上にスパッタリング法でＭｏ／Ｓｉ多層膜を成膜した。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Si SUBSTRATE HAVING NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加

窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板の製造方法。 - 特許庁

CYCLIC SILOXANE COMPOUND, SI-CONTAINING FILM-FORMING MATERIAL, AND USE THEREOF例文帳に追加

環状シロキサン化合物、Ｓｉ含有膜形成材料、およびその用途 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN Ge-Si FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

An Mo/Si multilayer film 2 is formed on the surface of a substrate 1.例文帳に追加

基板１の表面には、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２が成膜されている。 - 特許庁

An Si (epitaxial film 8) is selectively grown on a silicon substrate 1 (diffused layer).例文帳に追加

シリコン基板１（拡散層）上にＳｉ（エピ膜８）を選択成長させる。 - 特許庁

Then the low dielectric constant insulating film is formed on the Si-rich layer.例文帳に追加

その後、このＳｉリッチ層上に、低誘電率絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A first interlayer insulation film 2 is formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に第１の層間絶縁膜２を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR THIN FILM ON SI SUBSTRATE AND ITS STRUCTURE例文帳に追加

Ｓｉ基板上への半導体薄膜形成方法及びその構造物 - 特許庁

On an Si substrate 1, the Ru film 2 and an SiO_2 layer 4 are formed.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、Ｒｕ膜２、ＳｉＯ_2層４を形成する。 - 特許庁

The method of crystallizing the amorphous Si film 22 includes doping the amorphous Si film 22 formed on a substrate 20 with predetermined metal ions, and annealing the amorphous Si film 22 doped with the metal ions, to crystallize the amorphous Si film 22.例文帳に追加

基板２０上に形成された非晶質シリコン層２２に所定の金属イオンをドーピングする段階と、金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層２２をアニーリングして非晶質シリコン層２２を結晶化する段階と、を有する非晶質シリコン層２２の結晶化方法である。 - 特許庁