「SI FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

An SiO_2 film 2 is formed as a thermal oxidation film on the surface of an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面に熱酸化膜としてＳｉＯ_2膜２を形成する。 - 特許庁

The wafer 101 is formed by successively depositing a Ta film and a Cu film on a Si substrate.例文帳に追加

ウェハ１０１は、Ｓｉ基板上にＴａ膜及びＣｕ膜をスパッタ法で順次堆積したものである。 - 特許庁

The nitride film 16 serves as a protective film for protecting the backside of the Si substrate 12 against the flaw 32.例文帳に追加

窒化膜１６がＳｉ基板１２の裏面を傷３２から守るための保護膜となる。 - 特許庁

A CGS film 13 is formed by crystallizing an a-Si film 12 using Ni.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ膜１２にＮｉをを用いて結晶化してＣＧＳ膜１３を形成する。 - 特許庁

An opening is provided to the polycrystalline Si film 10, and an inner wall film 12a is formed on the inner wall of the opening.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜１０に開口を形成し、その内壁に内壁膜１２ａを形成する。 - 特許庁

A metal thin film is formed on the top surface of the Si substrate and an insulating film for a mask is formed thereupon.例文帳に追加

Ｓｉ基板表面に金属薄膜を成膜し、その上にマスク用絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

The amorphous Si film 3 may be made thinner in film thickness than the usual one and hence the productivity is improved.例文帳に追加

さらに、ａ−Ｓｉ膜３の膜厚を通常よりも薄くできるため生産性が向上する。 - 特許庁

In this way, elements such as Si and C that the insulating film lacks are provided to the insulating film.例文帳に追加

これにより、絶縁膜中において、欠乏するＳｉやＣ等の元素を、絶縁膜中に供給する。 - 特許庁

A a-Si:H film 30 and a gate SlN film 22 are formed into the same pattern.例文帳に追加

a−Ｓｉ:Ｈ膜３０とゲートＳｉＮ膜２２とを同一のパターンに加工する。 - 特許庁

The film with non-transparency is a polycrystalline Si film which is formed by the low-pressure vapor phase growth method.例文帳に追加

非透明性を有する膜は、低圧気相成長法で形成された多結晶Ｓｉ膜である。 - 特許庁

This oxide film is a silicon oxide-based film and is formed using at least Si, O, C and H.例文帳に追加

酸化ケイ素系の膜であって、少なくともＳｉ，Ｏ，Ｃ及びＨが用いられて構成されてなる。 - 特許庁

An amorphous film made of Si is formed on a substrate 11 via a protective film 12.例文帳に追加

基板１１の上に保護膜１２を介してＳｉよりなる非晶質膜を形成する。 - 特許庁

The joining film 3 is formed by a plasma polymerization method, and is a film containing Si skeletons having random atom structures containing siloxane (Si-O) bonds, and releasing groups bonded to the Si skeletons.例文帳に追加

このような接合膜３は、プラズマ重合法により形成されたものであり、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含む膜である。 - 特許庁

The semiconductor layer 30 comprises an upper Si film 12 and an Si buffer layer 13, an SiGe film 14, and an Si cap layer 15 which are epitaxial-grown, respectively.例文帳に追加

半導体層３０は、上部Ｓｉ膜１２と、各々エピタキシャル成長されたＳｉバッファ層１３，ＳｉＧｅ膜１４，Ｓｉキャップ層１５とから構成されている。 - 特許庁

Si-containing gas such as monosilane gas and disilane gas is introduced together with atmospheric gas, and Si decomposed by using an ionization-activation mechanism is ionized to increase Si content in the film, and to enhance the mechanical characteristic of the film.例文帳に追加

モノシランガスやジシランガス等のＳｉ含有ガスを雰囲気ガスと共に導入し、イオン化活性機構を用いて分解されたＳｉをイオン化し、被膜のＳｉ含有量を増加することができ、被膜の機械的特性が向上できる。 - 特許庁

This method for forming Si particles comprises forming a GeO_2 film containing Si (silicon) on a substrate by sputtering, and forming Si particles by heat treatment of the GeO_2 film.例文帳に追加

基板上に、スパッタリングによりＳｉ（シリコン）を含有するＧｅＯ_２膜を形成し、該ＧｅＯ_２膜を加熱処理してＳｉ粒子を形成することを特徴とするＳｉ粒子の形成方法。 - 特許庁

Then, when the insulating film is formed, a fluorine terminating part including Si-F bond is formed near the interface between the insulating film and the Si substrate with the F retained on the Si substrate.例文帳に追加

この時、絶縁膜の形成と共に、Ｓｉ基板上に残留したＦにより、絶縁膜と、Ｓｉ基板との界面近くに、Ｓｉ−Ｆ結合を含むフッ素終端部が形成される。 - 特許庁

In some embodiments, a hardmask film includes a high-hardness boron-containing film selected from the group consisting of Si_xB_yC_z, Si_xB_yN_z, Si_xB_yC_zN_w, B_xC_y and B_xN_y.例文帳に追加

ハードマスク膜は、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＮ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚＮ_ｗ、Ｂ_ｘＣ_ｙ、およびＢ_ｘＮ_ｙから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。 - 特許庁

A semiconductor device (chip 4) comprises a first Si substrate 1 as the supporting substrate and a second Si substrate 3 laminated on the principal surface of the first Si substrate 1 via an SiO_2 film 9 as a first insulating film.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置（チップ４）は、支持基板としての第１Ｓｉ基板１と、第１Ｓｉ基板１の一主面上に第１の絶縁膜であるＳｉＯ_2膜９を介して積層された第２Ｓｉ基板３とを有している。 - 特許庁

Subsequently, the a-Si film is so subjected to a heat treatment in a high-vacuum reaction furnace that an HSG-Si comprising a plurality of irregular crystal grains is formed based on HSG nuclei on the surface of the non-doped a-Si film.例文帳に追加

次に、高真空の反応炉中で熱処理が施され、ノンドープａ−Ｓｉ膜表面にＨＳＧ核をもとに複数の凹凸状の結晶粒であるＨＳＧ−Ｓｉが形成される。 - 特許庁

More specifically, when the temp. of a heated part of the Si film which is heated exceeds a fixed temp. over Si m.p., the carrying speed of the substrate 5 is controlled to reduce the heating rate of the heated part of the Si film.例文帳に追加

具体的には、加熱されているシリコン薄膜の加熱部の温度がシリコンの融点以上の一定温度を越えると、基板５の搬送速度を制御してシリコン薄膜の加熱部の加熱量を低減する。 - 特許庁

Accordingly, when the holder 18 is rotated, the Si substrate 20 to be film-formed by the vapor deposition source 30 is replaced by the Si substrate 20B, and thus the six Si substrates 20A to 20F held on the holder 18 can be sequentially film-formed.例文帳に追加

そのため、このホルダ１８を回転させると、蒸着源３０によって成膜されるＳｉ基板２０がＳｉ基板２０Ｂに換わって、ホルダ１８に保持された６枚のＳｉ基板２０Ａ〜２０Ｆが順次成膜可能な状態となる。 - 特許庁

Since an Si rich silicon oxide film is employed, voids are extinguished, the SiO2 film is protected against cracking due to contraction during oxidation and the Si substrate is protected against eneration of defect due to expansion.例文帳に追加

Ｓiリッチなシリコン酸化膜とすることにより、ボイドを消滅させ、酸化時の収縮によるSiO_2膜のクラックや、膨張によるSi基板への欠陥発生を防止する。 - 特許庁

There are provided: an Si layer 5 formed on an Si substrate 1 via an insulating film 3; an Si layer 9 formed on the Si layer 5 via an insulating film 7; a PMOS 20 formed at least on one side face of the Si layer 5; and an NMOS 30 formed at least on one side face of the Si layer 9.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に絶縁膜３を介して形成されたＳｉ層５と、Ｓｉ層５上に絶縁膜７を介して形成されたＳｉ層９と、Ｓｉ層５の少なくとも一つの側面に形成されたＰＭＯＳ２０と、Ｓｉ層９の少なくとも一つの側面に形成されたＮＭＯＳ３０と、を備え、ＰＭＯＳ２０及びＮＭＯＳ３０は、共通のコントロール・ゲート１７及び共通のフローティング・ゲート１３を有する。 - 特許庁

When the SiGeC semiconductor film is formed by CVD method, a cyril methane gas including Si-C-Si joint is used as a C source gas.例文帳に追加

ＣＶＤ法でＳｉＧｅＣ半導体膜を形成するにあたり、Ｃ源ガスとしてＳｉ−ＣーＳｉ結合を含むシリルメタン系ガスを使用する。 - 特許庁

The drain bus wiring 61 is formed of aluminum wiring with an SiO2 film interposed with the Si substrate.例文帳に追加

ドレインバス配線61はアルミ配線で形成されており、Si基板との間にSiO_2膜を挟んだ構造になっている。 - 特許庁

Ni-Cr-Si ALLOY BASED AND Ni-Cr-Si-Cu ALLOY BASED ELECTRODE FILM, AND SPUTTERING TARGET例文帳に追加

Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ合金系およびＮｉ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｃｕ合金系の電極膜およびスパッタリングターゲット - 特許庁

Alternatively Si-CH_2-CH_2-Si bond and Si-CH_2-Si bond are formed in the insulating film by irradiation with the UV rays.例文帳に追加

あるいは、紫外線照射により、絶縁膜中にＳｉ−ＣＨ_2−ＣＨ_2−Ｓｉ結合およびＳｉ−ＣＨ_2−Ｓｉ結合を形成させる。 - 特許庁

Next, an Mo/Si multilayer film is formed in an (optical) effective region that is one size smaller than the protection layer 2.例文帳に追加

次に、この保護層２よりも一回り小さい（光学的な）有効領域内へ、マグネトロンスパッタリングによりMo/Si多層膜を形成する。 - 特許庁

The light-absorbing film 32 is constituted of a material having high absorptance of light, such as a-Si or p-Si.例文帳に追加

光吸収膜３２は、ａ−Ｓｉまたはｐ−Ｓｉなどの光吸収率の高い材料により構成する。 - 特許庁

To provide a new thin film Si solar cell regarding a photovoltaic (PV) apparatus including a silicon (Si) nano-wire as an active PV element.例文帳に追加

能動ＰＶ要素としてシリコン（Ｓｉ）ナノワイヤを含む光起電（ＰＶ）装置に関する新規な薄膜Ｓｉ太陽電池を提供する。 - 特許庁

A buffer layer 2 is formed on the upper part of an Si single crystal 1, and a PZT thin film 3 is formed on it.例文帳に追加

Si単結晶１の上部には、バッファー層２が形成されており、その上に、ＰＺＴ薄膜３が成膜されている。 - 特許庁

Subsequently, the backside of the Si substrate 50 is ground by CMP to expose the bottom of the SiO_2 film 52 and the Poly-Si 54.例文帳に追加

その後、Ｓｉ基板５０の裏面をＣＭＰにより研削し、ＳｉＯ_２膜５２とＰｏｌｙ−Ｓｉ５４の底部を露出させる。 - 特許庁

The cold rolled steel sheet has a coating film containing oxides which contain, by mass, ≥ 0.05 mass% Mn and ≤ 0.020 mass% S, and contain Si on at least one side.例文帳に追加

Mn:0.05mass%以上およびS:0.020mass%以下を含有し、少なくとも一方の表面にSiを含有する酸化物を含む皮膜を有することを特徴とする冷延鋼板。 - 特許庁

Si is epitaxially grown on a SiC substrate, a vertical MOSFET is formed by forming a silicon oxide film on the Si.例文帳に追加

本発明においては、ＳｉＣ基板上にＳｉをエピタキシャル成長させ、Ｓｉ上にシリコン酸化膜を形成して縦型ＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

Also, the insulating separative layer 6 comprises an insulating film 6a and a conductive layer 6b, and separates in an insulating way its Si layer 12 from its Si substrate 1.例文帳に追加

また、絶縁分離層６は、絶縁膜６ａおよび導電層６ｂからなり、Ｓｉ層１２とＳｉ基板１との間を絶縁分離する。 - 特許庁

An Si single crystal substrate 12, a silicon oxide film 13, and an Si-body 14 are successively laminated for the formation of an SOI substrate 11.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１２，シリコン酸化膜１３及びＳｉ−Ｂｏｄｙ１４が順次積層されたＳＯＩ基板１１を用いている。 - 特許庁

The surface of the chemical conversion treatment layer is preferably provided with a film comprising a silanol group-containing organic compound of 0.05 to 5 mg/m^2 in terms of an Si content.例文帳に追加

化成処理層上に、Si量として0.05〜5mg/m^2のシラノール基含有有機化合物を含む皮膜を少なくとも有することが好ましい。 - 特許庁

A dummy layer 13 is installed between the Si substrate 12 and the piezoelectric thin film 16 and on a peripheral part of the hollow part 17 in the Si substrate 12.例文帳に追加

Ｓｉ基板１２および圧電薄膜１６の間、かつ、Ｓｉ基板１２における空洞部１７の周囲部上にダミー層１３を設ける。 - 特許庁

A ZnO thin film 14 whose upper part and lower part are sandwiched by a lower electrode 13 and an upper electrode 15 is provided onto a Si substrate 11 provided with a cavity 12.例文帳に追加

空洞１２を設けたSi基板１１上に、下部電極１３と上部電極１５で上下を挟んだ圧電体薄膜１４を設ける。 - 特許庁

Thereafter, the wafer is irradiated with an ultraviolet ray to cut molecular bonds of Si-N and molecular bonds of Si-H in the coating film (step S3).例文帳に追加

その後、ウェハに紫外線を照射し、塗布膜中のＳｉ−Ｎの分子結合及びＳｉ−Ｈの分子結合を切断する（ステップＳ３）。 - 特許庁

HIGH-PURITY Si-Ge ALLOY TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SPUTTERED HIGH-PURITY Si-Ge FILM例文帳に追加

高純度Ｓｉ−Ｇｅ系合金ターゲット及びその製造方法並びに高純度Ｓｉ−Ｇｅ系スパッタ膜 - 特許庁

The Si partial pressure in a reaction tube 2 during film deposition is controlled by utilizing the fact that the vapor pressure of the Si material 5 is changed when it is heated.例文帳に追加

Ｓｉ材料５は加熱によってその蒸気圧が変化するため、それによって成膜中の反応管２内のＳｉ分圧を制御する。 - 特許庁

It is preferable that the surface of the chemical conversion treatment layer is provided with a film containing a silanol group-containing organic compound of 0.2 to 2 mg/m^2 in terms of an Si content.例文帳に追加

さらに、化成処理層上に、Si量として0.2〜2mg/m^2のシラノール基含有有機化合物を含む皮膜を有することが好ましい。 - 特許庁

A Ge thin film is formed on an Si (100) substrate 1 and heat treated to form a solid phase mixed layer 12 including Si and Ge.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にＧｅ薄膜を形成し、熱処理を施して、ＳｉとＧｅとを含有する固相混合層１２を形成する。 - 特許庁