「SI FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

That is, a structure where the Ni layer 14 is interposed between the base material 12 and the Al layer 16 as a barrier layer is attained, and at heat treatment for forming an Si thin film for a solar battery, for instance, mutual diffusion occurring between the Al layer 16 and the substrate 12 is prevented, and generation of a weak intermetallic compound, based on the mutual diffusion, is suppressed.例文帳に追加

即ち、基材１２とＡｌ層１６との間にＮｉ層１４がバリア層として介在している構造となり、例えば太陽電池用のＳｉ薄膜を形成する熱処理の際に、Ａｌ層１６と基材１２との間で生起する相互拡散を防止し、その相互拡散に基づく脆弱な金属間化合物の生成を抑制している。 - 特許庁

Then an organic silicon compound gas including an Si-C combination in molecules is directly supplied to near a surface of a silicon thermal oxide film substrate which is heated up to 700 to 800°C to decompose by the hydrogen radical, by which crystal growth of the cubic silicon carbide film with orientation (100) on the surface of a silicon thermal oxide film is obtained.例文帳に追加

水素ガスを熱分解させるホットワイア触媒体を１４００〜１８００℃に加熱して水素ガスを熱分解させて水素ラジカルを生成させるとともに、分子内にＳｉ−Ｃ結合を有する有機珪素化合物ガスを７００〜８００℃に加熱したシリコン熱酸化膜基板の表面近傍に直接供給して該水素ラジカルで分解することによってシリコン熱酸化膜表面に（100）配向の立方晶炭化珪素膜を結晶成長させることを特徴とする(100)配向した立方晶炭化珪素結晶膜の作製方法。 - 特許庁

This reflectionproof film comprises the reflectionproof layer 3 which is formed of a dry cured film of a solution containing (A) a siloxane oligomer obtained by condensation-polymerizing a hydrolyzable alkoxysilane composed mainly of a tetraalkoxysilane represented by formula (1): Si(OR)_4 (wherein, R is a methyl group or an ethyl group) after partial hydrolysis and (B) a chemical compound having a fluoroalkyl structure and a polysiloxane structure.例文帳に追加

反射防止層３が、一般式（１）：Ｓｉ（ＯＲ）_４（式中Ｒは、メチル基またはエチル基を示す）で表されるテトラアルコキシシランを主成分する加水分解性アルコキシシランを部分的に加水分解後縮重合させたシロキサンオリゴマー（Ａ）と、フルオロアルキル構造およびポリシロキサン構造を有する化合物（Ｂ）を含有する溶液の乾燥硬化膜により形成されたものであることを特徴とする反射防止フィルム。 - 特許庁

The coating fluid for forming a hydrophilic film comprises a partial hydrolyzate of an alkoxysilane, a partial hydrolyzate of a zirconium alkoxide, and an alcohol and, based on the sum of silicon (Si) in terms of SiO_2 and zirconium (Zr) in terms of ZrO_2 in this coating fluid for forming a hydrophilic film, the weight percentage of the above SiO_2 is 30 to 70 weight%.例文帳に追加

本発明の親水性被膜形成用塗布液は、アルコキシシランの部分加水分解生成物と、ジルコニウムアルコキシドの部分加水分解生成物と、アルコールとを含有し、この親水性被膜形成用塗布液中の珪素（Ｓｉ）をＳｉＯ_２に、ジルコニウム（Ｚｒ）をＺｒＯ_２にそれぞれ換算した場合の、これらＳｉＯ_２及びＺｒＯ_２の合計量に対する前記ＳｉＯ_２の重量百分率は、３０重量％以上かつ７０重量％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In the photomechanical process in which a planographic printing original plate having at least a hydrophilic undercoat layer on the substrate and a thin silver film layer on the undercoat layer is subjected to laser exposure to heat the thin silver film layer and to expose the hydrophilic undercoat layer, at least titanium particles and a resin containing a siloxane bond comprising Si atoms connected by way of oxygen atoms are contained in the hydrophilic undercoat layer.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも親水性下塗り層を有し、該親水性下塗り層上に銀薄膜層を設置してなる平版印刷原版を、レーザ露光により銀薄膜層を加熱して前記親水性下塗り層を露出させる平版印刷版の製版方法において、当該親水性下塗り層中の酸化チタン粒子及びＳｉが酸素原子を介して繋がったシロキサン結合含有の樹脂を少なくとも含有することを特徴とする平版印刷版の製版方法。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: supplying a hydrogen chloride gas into a reaction chamber simultaneously with supply at least a B source out of a material gas including the B source containing Cl and a Si source containing H when growing a polysilicon film doped with B on a semiconductor substrate by supplying the material gas into the reaction chamber; and supplying a purge gas into the reaction chamber to discharge the material gas and the hydrogen chloride gas.例文帳に追加

Ｃｌを含むＢ源と、Ｈを含むＳｉ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢがドープされたポリシリコン膜を成長させる際に、前記原料ガスのうち、少なくともＢ源の供給と同時に塩化水素ガスを前記反応室内に供給する工程と、パージガスを前記反応室内に供給して、前記原料ガス及び前記塩化水素ガスを排出する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Gate electrodes 15 are formed through a gate insulation film 14 on a semiconductor substrate 11 and element isolations, the gate electrodes are formed so as to adjoin both sides of a certain one gate electrode, and a skew ion implanting is made so that the shadows of adjacent gate electrodes overlie source or drain regions 19, thus making it possible to selectively implant a channel impurity in Si substrate regions 13 beneath the gate electrodes.例文帳に追加

半導体基板１１上及び素子分離部上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を形成し、ある１つのゲート電極に対しその両側に隣接するようにゲート電極を形成し、隣接するゲート電極の陰がソース又はドレイン領域１９に重なるように、斜めイオン注入を行うことにより、ゲート電極下のシリコン基板領域１３に選択的にチャネル不純物を注入することが可能になる。 - 特許庁

In the dust core obtained by pressurizing and forming soft magnetic powder with Fe coated with an insulated film as a main component, the soft magnetic powder consists of particles which contain 2 to 5 mass % Si and which have 30 to 70 μm weight average particle size, 1 to 3 average aspect ratio and ≤200A/m coercive force (iHc).例文帳に追加

本発明の圧粉磁心は、絶縁皮膜で被覆されたＦｅを主成分とする軟磁性粉末を加圧成形してなる圧粉磁心において、前記軟磁性粉末は、Ｓｉを２〜５質量％含み、重量平均粒径が３０〜７０μｍで、平均アスペクト比が１〜３であると共に保磁力（ｉＨｃ）が２００Ａ／ｍ以下の粒子からなり、軟磁性粉末の真密度（ρ_０）に対する嵩密度（ρ）の比である密度比（ρ／ρ_０：％）が９２％以上であると共に周波数が１〜５０ｋＨｚの交番磁界中で使用されることを特徴とする。 - 特許庁

This coating liquid for forming colored film is characterized by adding an acetylenediol, e.g. a compound obtained by adding ethylene oxide to OH group of tetramethyldecynediol or tetramethyldecynediol to an organic solvent in which an alkoxide of at least one element selected from Si alkoxide, Ti alkoxide, Al alkoxide and Zr alkoxide, a noble metal compound and/or noble metal fine particles are dissolved or dispersed.例文帳に追加

Ｓｉアルコキシド、Ｔｉアルコキシド、Ａｌアルコキシド、Ｚｒアルコキシドより選ばれた少なくとも一つの元素のアルコキシドと、貴金属化合物および／または貴金属微粒子を溶解または分散させた有機溶媒中に、アセチレンジオール類、例えば、テトラメチルデシンジオールまたはテトラメチルデシンジオールのＯＨ基にエチレンオキサイドを付加させた化合物を添加したことを特徴とする着色膜形成用塗布液。 - 特許庁