「"SI FILM"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An a-Si film 12 is heat treated to form an a-Si film 12a in which nuclei are generated.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ膜１２に加熱処理を行って、結晶核が発生したａ−Ｓｉ膜１２ａを形成する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING CRYSTALLIZATION Si FILM例文帳に追加

結晶化Ｓｉ膜の評価方法及びその装置 - 特許庁

A TFT element 1 comprises: a P doped n^+a-Si film 6 formed on an a-Si film 5; and an Si film 7 of less than 1 nm formed on the P doped n^+a-Si film 6.例文帳に追加

ＴＦＴ素子１は、ａ−Ｓｉ膜５上に形成されたＰドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６と、Ｐドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６上に形成された１ｎｍ以下のＳｉ酸化膜７を有している。 - 特許庁

Al-Si FILM, AND METHOD FOR DEPOSITING THE SAME例文帳に追加

Ａｌ−Ｓｉ膜およびその形成方法 - 特許庁

To enhance uniformity in the film quality of a laser crystalline poly-Si film and a laser activation doped poly-Si film.例文帳に追加

レーザー結晶化ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜およびレーザー活性化ドープｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の膜質の均一性向上をはかる。 - 特許庁

To prevent an Si film from separating off and cracking from occurring in a nitride semiconductor when the nitride semiconductor is grown in crystal on the Si film.例文帳に追加

Ｓｉ上に窒化物半導体を結晶成長する際に、Ｓｉのはがれをなくすとともに、窒化物半導体中のクラックの発生を抑制する。 - 特許庁

Then, the a-Si film 102a is crystallized into a p-Si film 102b by nickel, which promotes its crystallization through subjecting it to thermal treatment.例文帳に追加

次に、加熱処理することによって、ａ−Ｓi膜１０２aを結晶化を助長するニッケルにより結晶化させてｐ−Ｓi膜１０２bを形成する。 - 特許庁

An a-Si film 12 is formed all over a quartz substrate 11 and a protection film 13 is formed in a region which becomes a display part on the a-Si film 12.例文帳に追加

石英基板１１全面にａ−Ｓi膜１２を形成し、そのａ−Ｓi膜膜１２上の表示部となる領域に保護膜１３を形成する。 - 特許庁

To enhance power generation efficiency by facilitating to increase optical intensity on the interface of a p-type Si film and an n-type Si film.例文帳に追加

本発明は、該ｐ型Ｓｉ膜とｎ型Ｓｉ膜との界面の光強度を上げやすくして発電効率を高めることを課題とする。 - 特許庁

After that, a TFT and capacity are created on the Poly-Si film with superior uniformity and the Poly-Si film with large surface area, respectively.例文帳に追加

その後、均一性の良いＰｏｌｙ−Ｓｉ膜上にＴＦＴを、表面積の大きなＰｏｌｙ−Ｓｉ膜上に容量をそれぞれ作製する。 - 特許庁

After wet etching the metal film 106, n^+a-Si film 105 and an a-Si film 104 are dry etched.例文帳に追加

金属膜１０６をウエットエッチングした後、ｎ^＋ａ−Ｓｉ膜１０５、ａ−Ｓｉ膜１０４をドライエッチングする。 - 特許庁

Consequently, a transmission image (transmission image data D1) of the p-Si film 23 and a-Si film 230 is obtained.例文帳に追加

これにより、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像（透過画像データＤ１）を取得する。 - 特許庁

Consequently, an interference fringe image (interference fringe image data D1) of the p-Si film 23 and a-Si film 230 is obtained.例文帳に追加

これにより、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の干渉縞画像（干渉縞画像データＤ１）を取得する。 - 特許庁

A linearly polarized beam light 13 is applied to an amorphous Si film 11 for laser annealing to form a polycrystal Si film 12.例文帳に追加

非晶質Ｓｉ膜１１に直線偏光のビーム光１３を照射してレーザアニールをすることにより、多結晶Ｓｉ膜１２を形成する。 - 特許庁

Contamination and the surface oxidation of the a-Si film 13a are prevented, and the characteristics of the TFT using a p-Si film obtained by crystalizing the film are stabilized.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ膜13aの汚染や表面酸化が防止され、これを結晶化して得られたｐ−Ｓｉ膜を用いたＴＦＴの特性が安定化する。 - 特許庁

Thereafter, dehydrogenation annealing of the a-Si film 13a is performed by RTA.例文帳に追加

その後、ＲＴＡによりａ−Ｓｉ膜13aの脱水素アニールを行う。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN Ge-Si FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

Namely, an a-Si film is immediately formed on the crystallite film.例文帳に追加

すなわち、微結晶膜上に直ちにａ−Ｓｉ膜が形成される。 - 特許庁

The method of crystallizing the amorphous Si film 22 includes doping the amorphous Si film 22 formed on a substrate 20 with predetermined metal ions, and annealing the amorphous Si film 22 doped with the metal ions, to crystallize the amorphous Si film 22.例文帳に追加

基板２０上に形成された非晶質シリコン層２２に所定の金属イオンをドーピングする段階と、金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層２２をアニーリングして非晶質シリコン層２２を結晶化する段階と、を有する非晶質シリコン層２２の結晶化方法である。 - 特許庁

To obtain a high-quality poly-Si film at a low process temperature.例文帳に追加

低いプロセス温度で高品質のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を得る。 - 特許庁

The thickness of the seed Si film 8 is ≥0.1 nm and not more than 5 nm.例文帳に追加

シードＳｉ膜８の膜厚は、０．１ｎｍ以上５ｎｍ未満である。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR REFINING Si AND APPARATUS FOR PRODUCING REFINED Si FILM例文帳に追加

Ｓｉ精製方法、Ｓｉ精製装置及びＳｉ精製膜製造装置 - 特許庁

To form a high-quality Poly-Si film containing a trace of impurities.例文帳に追加

極めて不純物の少ない高品質なＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成する。 - 特許庁

Finally, an a-Si film 104 containing Ni and P is removed.例文帳に追加

最後に、Ｎｉ,Ｐを含有するａ−Ｓｉ膜１０４を除去する。 - 特許庁

In inspection processing on the crystallinity of a p-Si film 23, an LED 12 irradiates the p-Si film 23 and an a-Si film 230 with irradiation light Lout.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて、ＬＥＤ１２によって照射光Ｌoutを照射する。 - 特許庁

In an inspection step for the crystallinity of a p-Si film 23, the p-Si film 23 and an a-Si film 230 are each irradiated with irradiation light Lout by an LED 12.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて、ＬＥＤ１２によって照射光Ｌoutをそれぞれ照射する。 - 特許庁

Subsequently, a second (third layer) poly-Si film 33 is formed on the oxide film on the first poly-Si film and the second poly-Si film is subjected to anisotropic etching using a resist opened at the light receiving part before an electrode DV3 is formed.例文帳に追加

次に第１多結晶Ｓｉ膜上の酸化膜上に第２（３層目）の多結晶Ｓｉ膜３３を形成後、受光部を開口したレジストを用い第２の多結晶Ｓｉ膜を異方性エッチングし、電極ＤＶ３を形成する。 - 特許庁

A Si film 3 is formed on a substrate 4 of a magnetic head by a spatter method, and mixing for the Si film 3 is prevented by film-forming a lower layer ta-C film 2 on the Si film 3 by a FCVA method with a bias voltage OV.例文帳に追加

磁気ヘッドの基板４上にスパッタ法によりＳｉ膜３を形成し、前記Ｓｉ膜３上にバイアス電圧０ＶでのＦＣＶＡ法により下層ｔａ−Ｃ膜２を成膜することでＳｉ膜３とのミキシングを防止する。 - 特許庁

The method of doping the SiC includes a step of forming an Si film containing a dopant on at least part of the surface of the SiC, and a step of subjecting the SiC and the Si film to heat treatment in a state where the Si film is formed on the SiC.例文帳に追加

ドーパントを含むＳｉ膜をＳｉＣの表面の少なくとも一部に形成する工程と、Ｓｉ膜をＳｉＣに形成した状態でＳｉＣおよびＳｉ膜を熱処理する工程と、を含む、ＳｉＣへのドーピング方法とその方法を用いたＳｉＣ半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

After catalyst metal is selectively introduced all over a region which becomes a peripheral driving circuit on the a-Si film 12, the a-Si film 12 is heated, crystal growth is carried out, and a CG silicon film 14 and a-p-Si film 15 are formed.例文帳に追加

次に、上記ａ−Ｓi膜１２上の周辺駆動回路となる領域全面に触媒金属を選択的に導入した後、ａ−Ｓi膜１２を加熱することにより結晶成長させてＣＧシリコン膜１４およびｐ−Ｓi膜１５を形成する。 - 特許庁

An a-Si film 14 containing P is then formed directly on the entire surface of the CGS film 13 and Ni element is gettered from the CGS film 13 to the a-Si film 14 by heat treating the CGS film 13 and the a-Si film 14.例文帳に追加

ＣＧＳ膜１３上の全面に、Ｐを含有したａ−Ｓｉ膜１４を直接形成して、ＣＧＳ膜１３,ａ−Ｓｉ膜１４に加熱処理を施すことにより、ＣＧＳ膜１３からａ−Ｓｉ膜１４にＮｉ元素をゲッタリングする。 - 特許庁

In the inspection processing of a p-Si film 23, an LED 12 irradiates the p-Si film 23 with an irradiating light Lout from a rear side of a movable stage 11, on which a transparent substrate 20 (Si thin-film substrate 2) formed with the p-Si film 23 is mounted.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３が形成された透明基板２０（Ｓｉ薄膜基板２）を搭載する可動ステージ１１の裏側から、ｐ−Ｓｉ膜２３へ向けてＬＥＤ１２によって、照射光Ｌoutを照射する。 - 特許庁

P is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of an n channel MOS transistor part, and B is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of a p channel MOS transistor part, and then heat treatment is carried out so that the amorphous Si film 7 can be crystallized, and impurity can be activated.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタ部の非晶質Ｓｉ膜７にＰをイオン注入し、ｐチャネルＭＯＳトランジスタ部の非晶質Ｓｉ膜７にＢをイオン注入した後、熱処理を行うことにより、非晶質Ｓｉ膜７を結晶化させるとともに、不純物の活性化を行う。 - 特許庁

An a-Si film 3 is formed on a glass substrate 1 and nickel 5 which are used as catalyst elements are introduced in the film 3.例文帳に追加

ガラス基板１上にａ‐Ｓi膜３を成膜し、触媒元素としてのニッケル５を導入する。 - 特許庁

The amorphous film (a-Si film) 3 is formed through a sputtering method using Ar gas.例文帳に追加

非晶質膜（ａ−Ｓｉ膜）３は、Ａｒガスを用いたスパッタ法にて形成する。 - 特許庁

A polycrystalline Si film 8a and a silicide film 14a are formed on the layer 13.例文帳に追加

ｎ型拡散層１３の上に、多結晶Ｓｉ膜８ａおよびシリサイド膜１４ａを形成する。 - 特許庁

Then, a chemical oxide film is produced on the surface of the a-Si film by a hydrogen-peroxide processing.例文帳に追加

次に、過酸化水素処理によりａ−Ｓｉ膜の表面にケミカル酸化膜を生成させる。 - 特許庁

To obtain a high-quality poly-Si film and MOS interface at a low processing temperature.例文帳に追加

低いプロセス温度で高品質のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜およびＭＯＳ界面を得る。 - 特許庁

On the basis of the determined transmission contrast, screening of the p-Si film 23 is performed.例文帳に追加

そして求めた透過コントラストに基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。 - 特許庁

To form a strain Si film on a semiconductor substrate with high producibility efficiency and at a low cost.例文帳に追加

半導体基板上に歪Si膜を生産効率よく低コストで形成すること。 - 特許庁

A gate insulting film 5 and a multi-crystal Si film 6 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にゲート絶縁膜５および多結晶Ｓｉ膜６を順次形成する。 - 特許庁

A Si film 51 is formed on a 42-alloy cavity plate 10 with a sputtering method or the like.例文帳に追加

４２合金製のキャビティプレート１０に、スパッタ法等を用いてＳｉ膜５１を形成する。 - 特許庁

A polycrystalline Si film 3 and an SiO2 2 are removed to form a groove element isolation region 9.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜３およびＳｉＯ_2 膜２を除去し、溝素子分離領域９を形成する。 - 特許庁

Based on the obtained transmission contrast, selection to the p-Si film 23 is performed.例文帳に追加

そして、求めた透過コントラストに基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。 - 特許庁

A Si film 20 is vapor-deposited on the entire surface, sand a SiN film 21 is formed, and Si is diffused by heat treatment to constrict a current.例文帳に追加

Si膜20を全面に蒸着し、SiN膜21を形成し、熱処理でSiを拡散させ電流を狭窄する。 - 特許庁