「SI FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR FORMING MONOMOLECULAR FILM ON SI SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上への単分子膜の形成方法 - 特許庁

Al-Si FILM, AND METHOD FOR DEPOSITING THE SAME例文帳に追加

Ａｌ−Ｓｉ膜およびその形成方法 - 特許庁

This method of forming metal wiring contains a step of cleaning the surface of a silicon substrate 10 that is exposed by a contact hole 12h, a step of forming a Ti-Si film on the structure obtained in the preceding step, and a step of forming a Ti-Si-N film 16 on the Ti-Si film 14.例文帳に追加

本発明は、コンタクトホール12hにより露出されたシリコン基板10の表面を洗浄する段階と、前段階で得られた構造物上にTi-Si膜を形成する段階と、前記Ti-Si膜14上にTi-Si-N膜16を形成する段階とを含んでなる金属配線形成方法である。 - 特許庁

To provide the forming method of low dielectric constant porous film consisting of Si-O cohesion mainly through vapor phase method.例文帳に追加

主として、Si-O結合から成る低誘電率多孔質膜を気相法で形成する方法を与える。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION OF COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法 - 特許庁

To provide a laser irradiation method that is excellent in reliability and reproducibility, and forms a high-performance poly-Si thin film.例文帳に追加

信頼性及び再現性良く、高性能poly-Si薄膜が形成可能な、レーザ照射方法を提供する。 - 特許庁

A nitride ferroelectric film 4, that is made of Sr2NbN3, is formed on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

p型Si基板１上にSr_2NbN_3からなる窒化物強誘電体膜４を形成する。 - 特許庁

The Si substrate 1 is a bulk single crystal substrate or a thin film substrate an uppermost layer of which is Si.例文帳に追加

Ｓｉ基板１は、バルク単結晶基板又は最上層がＳｉである薄膜基板である。 - 特許庁

Then, a laser beam is irradiated, the amorphous Si thin film are changed into polycrystalline Si thin films.例文帳に追加

次にレーザービームを照射し、非晶質Ｓｉを多結晶Ｓｉ薄膜にする。 - 特許庁

Alternatively, an Si-rich SiN-based protective film is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

あるいは、Ｓｉ基板１上にＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜を形成する。 - 特許庁

To form a strain Si film on a semiconductor substrate with high producibility efficiency and at a low cost.例文帳に追加

半導体基板上に歪Si膜を生産効率よく低コストで形成すること。 - 特許庁

The steam-proof film contains R (a rare earth element), Si, and O and has Si-O bond.例文帳に追加

本耐水蒸気膜は、Ｒ（希土類元素）、Ｓｉ及びＯを含み、且つ、Ｓｉ−Ｏ結合を有する。 - 特許庁

A striped insulating film 26 is formed between a principal surface of the Si substrate 10 and a buffer layer 60-1.例文帳に追加

Si基板10の主面とバッファ層60-1との間にストライプ状絶縁膜26が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, an Si thin film 39 is grown epitaxially at the exposed part of the Si substrate 31.例文帳に追加

そして、Ｓi基板３１の露出部分にＳi細線３９をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Scattered light, caused by roughness of Si or a metal film surface, has high distribution on its rear side.例文帳に追加

Siや金属膜表面のラフネスで発生する散乱光は後方側に強い分布を持つ。 - 特許庁

Then a gel film is obtained, by uniformly applying the hafnia sol solution to the surface of an Si wafer by the spinner method (500 rpm/5 seconds to 2,000 rpm/30 seconds).例文帳に追加

このゾル液をSiウェハにスピンナー法（500rpm/5秒→2000rpm/30秒）により均一に塗布してゲル膜を得る。 - 特許庁

A HfSiO film 104 is formed by sputtering a Hf metal film 103 on a SiO_2 film (or a SiON film) 102 on a Si wafer 101.例文帳に追加

Si基板101上のSiO_2膜（又はSiON膜）102上にHf金属膜103をスパッタし、それを熱酸化処理してHfSiO膜104を形成する。 - 特許庁

A laminate film of a high melting point metal film and the anti-reflection film comprising Si or Si compound is arranged on a lower-layer aluminum alloy film.例文帳に追加

高融点金属膜と、ＳｉあるいはＳｉ化合物とからなる反射防止膜との積層膜を下層アルミニウム合金膜の上に配する。 - 特許庁

After the SiN film 21, the mask 19 and the Si film 20 are removed, a SiO2 film 23 is formed on the entire surface, and the SiO2 film 23 is removed only in the upper part of the cylinder.例文帳に追加

SiN膜21、マスク19およびSi膜20を除去した後、SiO_2膜23を全面に形成し、円柱の上部のみSiO_2膜23を除去する。 - 特許庁

To provide a composite treating device which continuously subjects a film-like long-sized substrate to deposition of a-Si and p-Si chemical conversion treatment of a-Si.例文帳に追加

フィルム状の長尺基板に対して、ａ−Ｓｉの成膜とａ−Ｓｉのｐ−Ｓｉ化処理を連続的に行う複合処理装置を提供する。 - 特許庁

Namely, an a-Si film is immediately formed on the crystallite film.例文帳に追加

すなわち、微結晶膜上に直ちにａ−Ｓｉ膜が形成される。 - 特許庁

An organic film 2 and an SiO2 film 3 are made in order on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に有機膜２、ＳｉＯ_2 膜３を順次形成する。 - 特許庁

The insulator film includes Si and O, and is, for example, an SiO_2 film.例文帳に追加

絶縁膜は、ＳｉとＯとを含んでおり、たとえばＳｉＯ_2膜である。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SI-CONTAINING FILM, INSULATOR FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

Ｓｉ含有膜の成膜方法、絶縁膜、並びに半導体デバイス - 特許庁

A porous dielectric film useful in a semiconductor industry is prepared by depositing an Si-O-C film using a precursor containing carbon and oxygen, and thereafter by decomposing an organic fragment captured inside by heating the Si-O-C film.例文帳に追加

半導体工業において有用な多孔誘電体膜が、炭素及び酸素を含む前駆体を使用してSi-O-C膜を蒸着し、その後Si-O-C膜を加熱して内部に捕獲された有機断片を分解することにより用意される。 - 特許庁

The diode has an Si substrate 4, a first conductivity-type Si film 3 laminated and formed on the Si substrate and a second conductivity-type SiGe film 2 laminated and formed on the first conductivity-type Si film.例文帳に追加

Ｓｉ基板４と、このＳｉ基板上に積層形成された第１導電型のＳｉ膜３と、この第１導電型Ｓｉ膜の上に積層形成された第２導電型のＳｉＧｅ膜２とを有する。 - 特許庁

In a reflecting film comprising an Mo/Si multilayer film formed by laminating periodically an Mo layer 1 with the thickness of 2.8 nm and an Si layer 2 with the thickness of 4.2 nm as many as 100 (50-pair) layers in total on a substrate 3, an Ru layer 4 is formed on the Si layer 2 on the outermost surface side of a periodical structure.例文帳に追加

基板３の上に、厚さ2.8nmのMo層１と厚さ4.2nmのSi層２が周期的に合計100（５０対）層積層されたMo/Si多層膜からなる反射膜において、周期構造の最表面側にあたるSi層２上に、Ru層４が成膜されている。 - 特許庁

The polycrystalline thin film Si depositing method includes a process for depositing a polycrystalline Si thin film serving as a base on a substrate, a process for depositing an amorphous Si layer on the surface of the polycrystalline Si thin film, a process for partially removing the amorphous Si layer and partially exposing polycrystalline Si, and a process for growing crystal Si by setting a part where polycrystalline Si is exposed as a core.例文帳に追加

多結晶薄膜Ｓｉ堆積法において、少なくとも 下地となる多結晶Ｓｉ薄膜を基板上に堆積する工程と 該多結晶Ｓｉ薄膜表面に非晶質Ｓｉ層を堆積する工程と 該非晶質Ｓｉ層を部分的に除去し、多結晶Ｓｉを部分的に露出させる工程と 該多結晶Ｓｉが露出した部分を核として結晶Ｓｉを成長させる工程とを含むことを特徴とする - 特許庁

The gate insulation film is composed of a layer of silicon oxide film 9 at the drain side and a three-layer insulation film composed of an Si oxide film 7, Si nitride film 8 and Si oxide film 9 laminated one above another at the drain side.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、ドレイン側が１層の酸化シリコン膜９で構成され、ソース側が酸化シリコン膜７と窒化シリコン膜８と酸化シリコン膜９とを積層した３層の絶縁膜で構成される。 - 特許庁

When the film is evaluated, an Si wafer W on which an Si_xN_y film has been formed is housed in the part 1, the Si wafer W is heated, H_2 gas and O_2 gas are supplied onto the Si wafer W so as to be mixed, and an SiO_2 film is formed on the Si_xN_y film.例文帳に追加

膜評価にあたっては、まず、Ｓｉ_xＮ_y膜が成膜されたＳｉウェハＷを膜改質部１に収容し、ＳｉウェハＷを加熱しつつ、Ｈ_2ガス及びＯ_2ガスをＳｉウェハＷ上へ混合するように供給してＳｉ_xＮ_y膜上にＳｉＯ_2膜を形成する。 - 特許庁

To enhance uniformity in the film quality of a laser crystalline poly-Si film and a laser activation doped poly-Si film.例文帳に追加

レーザー結晶化ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜およびレーザー活性化ドープｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の膜質の均一性向上をはかる。 - 特許庁

A polycrystal Si thin film 4 and a single crystal Si thin film 5 are formed on a SiO_2 film 2 deposited on the insulated substrate 1.例文帳に追加

絶縁基板１上に堆積されたＳｉＯ_２膜２上に、多結晶Ｓｉ薄膜４と単結晶Ｓｉ薄膜５とを形成する。 - 特許庁

An a-Si film 12 is formed all over a quartz substrate 11 and a protection film 13 is formed in a region which becomes a display part on the a-Si film 12.例文帳に追加

石英基板１１全面にａ−Ｓi膜１２を形成し、そのａ−Ｓi膜膜１２上の表示部となる領域に保護膜１３を形成する。 - 特許庁

After wet etching the metal film 106, n^+a-Si film 105 and an a-Si film 104 are dry etched.例文帳に追加

金属膜１０６をウエットエッチングした後、ｎ^＋ａ−Ｓｉ膜１０５、ａ−Ｓｉ膜１０４をドライエッチングする。 - 特許庁

The core 42 comprises a structure composed by laminating a Si thin film 421, a polymer thin film 422 and a Si thin film 423 in a direction vertical to the substrate 1.例文帳に追加

コア４２は、Ｓｉ薄膜４２１、ポリマ薄膜４２２およびＳｉ薄膜４２３を基板１に垂直な方向へ積層した構造からなる。 - 特許庁

The core 43 comprises a structure composed by laminating a Si thin film 431, a polymer thin film 432 and a Si thin film 433 in the direction vertical to the substrate 1.例文帳に追加

コア４３は、Ｓｉ薄膜４３１、ポリマ薄膜４３２およびＳｉ薄膜４３３を基板１に垂直な方向へ積層した構造からなる。 - 特許庁

Contamination and the surface oxidation of the a-Si film 13a are prevented, and the characteristics of the TFT using a p-Si film obtained by crystalizing the film are stabilized.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ膜13aの汚染や表面酸化が防止され、これを結晶化して得られたｐ−Ｓｉ膜を用いたＴＦＴの特性が安定化する。 - 特許庁

A Si film 3 is formed on a substrate 4 of a magnetic head by a spatter method, and mixing for the Si film 3 is prevented by film-forming a lower layer ta-C film 2 on the Si film 3 by a FCVA method with a bias voltage OV.例文帳に追加

磁気ヘッドの基板４上にスパッタ法によりＳｉ膜３を形成し、前記Ｓｉ膜３上にバイアス電圧０ＶでのＦＣＶＡ法により下層ｔａ−Ｃ膜２を成膜することでＳｉ膜３とのミキシングを防止する。 - 特許庁

The joining film 3 is a film containing Si skeletons having random atom structures containing siloxane (Si-O) bonds, and releasing groups bonded to the Si skeletons, and the crystallinity of the Si skeletons is ≤45%.例文帳に追加

このような接合膜３は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含む膜であり、かつＳｉ骨格の結晶化度は４５％以下である。 - 特許庁

In this way, the hot dip Al-Zn base alloy coated film having the composition containing 30-70 mass% Al, 0.1-1.0 mass% Si, 0.5-2% of Si to Sr, and the thickness of the interface alloy layer at ≤20% of the coated film thickness is formed.例文帳に追加

これにより、Alが30〜70mass％、Siが0.1 〜1.0mass％、SrがSi含有量の0.5 〜２％含有する組成と、界面合金層の厚みがめっき被膜厚の20％以下である溶融Al−Zn系合金めっき被膜が形成される。 - 特許庁

To make a thin film of a solid compound containing a Si-O-Si bond and to form a fine pattern in a thin film of the solid compound containing the Si-O-Si bond.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物の薄膜化を図り、並びに薄膜化したＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物の微細パターン形成を行う。 - 特許庁

The amorphous Si film 4 is made to contact an Si-contained atmosphere while it is heated to a prescribed temperature, for growing a polycrystal Si particles 5 on the amorphous Si film 4.例文帳に追加

そして、非晶質Ｓｉ膜４を所定の温度に加熱した状態においてＳｉ含有雰囲気に接触させ、非晶質Ｓｉ膜４上に多結晶Ｓｉ粒子５を成長させる。 - 特許庁

The surface of the Si wafer or the surface of the film formed on the Si wafer is subjected to etching, whereby the surface of the Si wafer or the surface of the film formed on the Si wafer is turned uneven.例文帳に追加

Ｓｉウェーハ表面もしくはＳｉウェーハ表面に形成された膜を、エッチングすることによって該Ｓｉウェーハ表面もしくは該Ｓｉウェーハ表面に形成された膜に凹凸を形成するようにした。 - 特許庁

When forming the films, the Ti film 7 reacts with the Al-Si alloy film 8 to form an Al-Ti-Si alloy film 11 on the interface thereof, and the Ti film 9 reacts with the Al-Si alloy film 8 to form an Al-Ti-Si alloy film 12 on the interface thereof.例文帳に追加

成膜時にＴｉ膜７とＡｌ−Ｓｉ合金膜８との反応によりそれらの界面にＡｌ−Ｔｉ−Ｓｉ合金膜１１が、Ｔｉ膜９とＡｌ−Ｓｉ合金膜８との反応によりそれらの界面にＡｌ−Ｔｉ−Ｓｉ合金膜１２が形成される。 - 特許庁

The Si crystal thin film is formed on the main surface of an Si substrate by bringing an Si melt into contact with the main surface of the Si substrate made of a metallurgical Si raw material or the like and performing liquid phase epitaxial growth at a temperature close to the melting point of Si.例文帳に追加

メタラジカルＳｉ原料などからなるＳｉ基板の主面に対してＳｉ融液を接触させ、Ｓｉの融点近傍で液相エピタキシャル成長を行い、前記Ｓｉ基板の前記主面上にＳｉ結晶薄膜を形成する。 - 特許庁