「SI FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The reactive gas is supplied to a space Sb inside of the chamber 2 and reacts with Si on the Si wafer Wa, and the SiON film is formed.例文帳に追加

この反応ガスＸは、チャンバ２内の空間Ｓｂに供給され、ＳｉウェハＷａ上のＳｉと反応し、ＳｉＯＮ膜が形成される。 - 特許庁

The bonding film 3 contains an Si frame having an atom structure containing a siloxane bond, and a leaving group which is bonded to the Si frame.例文帳に追加

接合膜３は、シロキサン結合を含む原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含むものである。 - 特許庁

The substrate 10 is comprised of a base material 11 made of Si, and an Si oxide film 12 formed on the base material 11.例文帳に追加

基板１０は、Ｓｉからなる基体１１と、基体１１の上面に形成されたＳｉ酸化膜１２から構成されている。 - 特許庁

The gel film is used for setting the temperature of the electric furnace, and the Si wafer is put directly in the furnace and baked in the furnace for 30 minutes.例文帳に追加

電気炉はゲル膜を設定温度としておき、Siウェハを直接投入して30分間保持して焼成する。 - 特許庁

After forming an element isolation insulation film, an n-well, and a p-well on the surface of an Si substrate, the Si substrate is cleaned as a pretreatment (step S1).例文帳に追加

Ｓｉ基板の表面に、素子分離絶縁膜、ｎウェル及びｐウェルを形成した後、前処理として、Ｓｉ基板の洗浄を行う（ステップＳ１）。 - 特許庁

The substrate 10 comprises a tabular base 11 comprising Si, and an Si oxide film 12 formed on the upper surface of the base 11.例文帳に追加

基板１０は、Ｓｉからなる平板状の基体１１と、基体１１の上面に形成されたＳｉ酸化膜１２から構成されている。 - 特許庁

An opening is bored in part of an insulating film deposited on an Si substrate to expose an Si surface.例文帳に追加

上記課題を解決するため、Ｓｉ基板上に堆積された絶縁膜の一部をＳｉ表面が露出するように開口を設ける。 - 特許庁

To provide a sputtering target for coating an Si based ceramic film capable of stable continuous coating for a long time.例文帳に追加

長時間安定した連続コーティングが可能な、Si系のセラミック膜をコーティングするためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Thus the deformed resist pattern 11a is formed, through which an Si film 12 is etched to obtain an Si island 12a.例文帳に追加

これにより、Ｓｉ膜１２をエッチングしてＳｉアイランド１２ａを形成するための変形レジスト・パターン１１ａを形成する。 - 特許庁

This glass is formed by coating the surface of a glass substrate with an Si film consisting of 100 wt.% Si component deposited by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板表面に、スパッタリング法により成膜されたＳｉ成分が１００重量％よりなるＳｉ膜が被覆されてなること。 - 特許庁

Then, the upper surface of the Si substrate 1 facing the inside of the cavity 25 and the lower surface of the Si layer 5 are thermally oxidized to form an SiO_2 film 27.例文帳に追加

そして、空洞部２５の内部に面するＳｉ基板１の上面及びＳｉ層５の下面をそれぞれ熱酸化してＳｉＯ_2膜２７を形成する。 - 特許庁

Then the Si wafer, having the formed gel film, is put in an electric furnace and baked within the temperature range of 550-1,300°C by a quick heating method (at a temperature increase rate of 10°C/minute).例文帳に追加

ゲル膜を形成したSiウェハを電気炉に投入し、急速加熱法（昇温速度10℃/1分で昇温）により550℃-1300℃の温度範囲で焼成する。 - 特許庁

A ZnO thin film 14 whose upper part and lower part are sandwiched by a lower electrode 13 and an upper electrode 15 is provided onto a Si substrate 11 at a middle part of which a cavity 12 is provided.例文帳に追加

中央に空洞１２を設けたSi基板１１の上に、下部電極１３と上部電極１５で上下を挟んだZnO薄膜１４を設ける。 - 特許庁

The multilayer film reflection mirror is provided with: an Mo/Si multilayer film 6 having a structure in which a layer principally comprising Mo and a layer principally comprising Si are alternately and periodically formed on the surface of a substrate 4; and an Ru/Si multilayer film 8 having a structure in which a layer principally comprising Ru and a layer principally comprising Si are alternately and periodically formed on the Mo/Si multilayer film.例文帳に追加

基板（４）表面にＭｏを主成分とする層とＳｉを主成分とする層を交互に周期的に成膜した構造を有するＭｏ／Ｓｉ多層膜（６）と、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜上にＲｕを主成分とする層とＳｉを主成分とする層を交互に周期的に成膜した構造を有するＲｕ／Ｓｉ多層膜（８）とを備える。 - 特許庁

Thereafter, undercoats such as a silicon nitride film 102 and a silicon oxide film 103 are formed, an a-Si film is formed by a CVD method, and the a-Si film is converted to a polysilicon film by laser anneal.例文帳に追加

その後窒化シリコン膜１０２および酸化シリコン膜１０３等のアンダーコートをし、ａ−Ｓｉ膜をＣＶＤ法によって形成し、該ａ−Ｓｉ膜をレーザーアニールによってポリシリコン膜に変換する。 - 特許庁

More particularly, the laminated structure is formed by subjecting the alloy film formed in contact with the Si film to heat treatment, thereby forming the Si film side of the alloy film as the silicide film.例文帳に追加

特に、Ｓｉ膜に接して形成された前記合金膜に、加熱処理を施すことで、前記合金膜の前記Ｓｉ膜側をシリサイド膜とすることにより前記積層構造を形成する。 - 特許庁

The charge holding film is made up of the Si oxide/nitride film as a main charge holding film and the Si nitride film disposed above or under the charge holding film to form a potential barrier against only holes.例文帳に追加

また、電荷保持膜を、主たる電荷保持膜となるＳｉ酸窒化膜と、その上層または下層に位置するＳｉ窒化膜とで構成し、正孔だけに対する電位障壁を形成する。 - 特許庁

Contrarily, on the other at a opposite side, an approximately 1 nm Si film (14a) is formed, the surface of the Si film (14a) is oxidized for forming a thin SiO_x film (14b), and the lamination structure of a λ/4 oxide is formed on the SiO_x film for forming a high reflection film.例文帳に追加

反対側の端面には、Ｓｉ膜を１nm程度を形成し、Ｓｉ膜の表面を酸化して薄いＳｉＯ_x膜を形成し、その上にλ/４酸化物の積層構造を形成して高反射膜を形成する。 - 特許庁

The antireflective film is formed on the surface of a member capable of transmitting visible light, and a film constituting the outermost surface of the antireflective film is Si-Al_2O_3 film or F-Al_2O_3 film as Al_2O_3 to which Si or F is added.例文帳に追加

反射防止膜は、可視光が透過可能な部材の表面に形成された反射防止膜であって、反射防止膜の最表面を構成する膜が、Ｓｉ又はＦを添加したＡｌ_2Ｏ_3であるＳｉ−Ａｌ_2Ｏ_3膜又はＦ−Ａｌ_2Ｏ_3膜である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Si semiconductor thin film having good film electrical characteristics such as mobility or the like, and capable of preventing a contamination of the film and a thin film transistor using this Si semiconductor thin film.例文帳に追加

移動度などの膜電気特性がよく、膜の汚染を防ぐ事の可能な、Ｓｉ系半導体薄膜の製造方法、このＳｉ系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

In the deposition method for depositing the Si oxide film on a substrate by sputtering, an oxygen gas is supplied onto the substrate and the Si oxide film is deposited by sputtering Si from a direction oblique to the surface of the substrate using Si as a target.例文帳に追加

基板上にスパッタリングによりＳｉ酸化膜を形成する方法であって、基板上に酸素ガスを供給するとともに、ＳｉをターゲットとしてＳｉを基板面に対して斜め方向からスパッタリングしてＳｉ酸化膜を形成するＳｉ酸化膜の形成方法。 - 特許庁

When such a multilayer film is immersed in an etchant for dissolving the Mo layers 3, since the etchant infiltrates, while successively dissolving the Mo layers 3 from the layer on the surface side, the Mo/Si multilayered film can be peeled off in a very short period of time, even if an etchant that does not dissolve the Si layers is used 4.例文帳に追加

このような多層膜を、Mo層３を溶かすエッチング液に浸漬すると、表面側の層から順にMo層３を溶かしながらエッチング液が侵入して行くので、Si層４は溶かさないエッチング液を用いても、ごく短時間でMo/Si多層膜を剥離することが可能になる。 - 特許庁

The inorganic mask 3 is formed by implanting Si and O or N ions into the GaN layer 2 and then heating it, by implanting Si ions into the GaN layer 2 and then heating it in an atmosphere containing O or N ions, or by selectively forming an Si film on the GaN layer and then oxidizing or nitrifying the Si film.例文帳に追加

無機マスク３はＧａＮ層２にＳｉとＯまたはＮをイオン注入後加熱するか、ＧａＮ層２にＳｉをイオン注入後、ＯまたはＮを含む雰囲気中で加熱するか、ＧａＮ層上にＳｉ膜を選択的に形成後Ｓｉ膜を酸化または窒化することにより形成される。 - 特許庁

An Si nitride film 3b is an etching stopper film in forming on a TEOS film 6a a trench pattern 7 into which a second layer wiring M2 is buried, but the trench pattern 7 is not formed on the Si nitride film 3b, hence there is no need of applying an excessive over-etching to the Si nitride film 3b and no undercut appears at the Si nitride film 3b.例文帳に追加

窒化シリコン膜３ｂは、第２層目の配線Ｍ_2 が埋め込まれる溝パターン７をＴＥＯＳ膜６ａに形成する際のエッチングのストッパ膜であるが、この窒化シリコン膜３ｂには溝パターン７は形成されないので、窒化シリコン膜３ｂに過剰なオーバーエッチングを施す必要がなく、窒化シリコン膜３ｂにはアンダーカットが生じない。 - 特許庁

A cylinder core film, having an aperture for forming a capacitor electrode, is formed on a semiconductor substrate 1 formed via a prescribed semiconductor manufacturing process and thereafter, a first non-doped amorphous Si film 9a, a second impurity-containing amorphous Si film 9b and a third non-doped amorphous Si film 9c are formed, in order to form an amorphous Si film 9 on the silicon core film.例文帳に追加

所定の半導体製造プロセスを経た半導体基板１上に、キャパシタ電極形成用の開口を有するシリンダコア膜を形成した後、ノンドープの第１の非晶質Ｓｉ膜９ａ、不純物を含む第２の非晶質Ｓｉ膜９ｂおよびノンドープの第３の非晶質Ｓｉ膜９ｃを順次形成して、非晶質Ｓｉ膜９を形成する。 - 特許庁

After catalyst metal is selectively introduced all over a region which becomes a peripheral driving circuit on the a-Si film 12, the a-Si film 12 is heated, crystal growth is carried out, and a CG silicon film 14 and a-p-Si film 15 are formed.例文帳に追加

次に、上記ａ−Ｓi膜１２上の周辺駆動回路となる領域全面に触媒金属を選択的に導入した後、ａ−Ｓi膜１２を加熱することにより結晶成長させてＣＧシリコン膜１４およびｐ−Ｓi膜１５を形成する。 - 特許庁

After the deposition of an a-Si:H film, for removing (cleaning) the a-Si:H film or a stacked film including the a-Si:H film, a gas of NF_3 is introduced into a chamber 1, NF_3 plasma is excited in a discharge space, and plasma cleaning is performed.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の成膜後、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜またはａ−Ｓｉ：Ｈ膜を含んだ積層膜を除去（クリーニング）するため、チャンバー１内にＮＦ_3のガスを導入して放電空間にＮＦ_3プラズマを励起させて、プラズマクリーニングを実施する。 - 特許庁

Subsequently, the Si wafer surface is coated with an oxide film to form an Si wafer with oxide film prior to the final polishing stage (S107) and then a surface of the oxide film is planarized, to obtain a planar substrate (Si substrate with oxide film) having no steps on the surface thereof (S108).例文帳に追加

そして、最終研磨段階に先立って予めＳｉウェハ表面を酸化膜で被覆して酸化膜付きＳｉウェハとし（Ｓ１０７）、この酸化膜表面を平坦化することで表面に段差のない平坦な基板（酸化膜付きＳｉ基板）を得ている（Ｓ１０８）。 - 特許庁

A silicon oxide film 102, a Pt film 103x, a Ti film 104x, and a PZT film 105x are deposited sequentially on an Si substrate 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０１の上に、シリコン酸化膜１０２，Ｐｔ膜１０３ｘ，Ｔｉ膜１０４ｘ，ＰＺＴ膜１０５ｘを順次堆積する。 - 特許庁

Moreover, the insulating film contacts with the barrier film and an amorphous layer containing Si, C is formed between the conductive film and the barrier film.例文帳に追加

また、絶縁膜とバリア膜は接しており、導電膜とバリア膜の間にはＳｉ，Ｃを含むアモルファス層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The relation between the total film thickness d1 of the Si film of a first layer and the SiO_x film of a second layer and SiO_x film d2 of the second layer is 0.1≤d2/d1≤0.9.例文帳に追加

第１層のＳｉ膜と第２層のＳｉＯ_x膜との合計膜厚d1と第２層のＳｉＯ_x膜d2との関係が、0.1≦ｄ2/ｄ1≦0.9となるようにする。 - 特許庁

To form a high-quality thin film such as an amorphous silicon thin film by improving the quality of the amorphous silicon thin film, particularly the Si-H bond ratio of the film.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜の膜質、特にＳｉ−Ｈ結合比を改善し、良質なアモルファスシリコン膜等の薄膜を形成する。 - 特許庁

The resistance of the MoSi_2 thin film 3 to oxidization prevents the reflectivity of the film 3 from lowering due to the oxidization of the Mo/Si multilayer film 2 when the carbon adhering to the multilayer film reflector is removed through the oxidization of it.例文帳に追加

MoSi_２薄膜３は酸化されにくいので、この多層膜反射鏡に付着した炭素を酸化して除去する際に、Mo/Si多層膜２が酸化されて反射率が低下するのを防止できる。 - 特許庁

The area of the region where the Mo/Si multilayer film 3 is formed is smaller than the region where the copper thin film 1 is formed, exposing a part of the copper thin film 1 from the Mo/Si multilayer film 2.例文帳に追加

Ｍｏ／Ｓｉ多層膜３の成膜されている領域の面積は、銅薄膜１の成膜領域よりも狭くなっており、銅薄膜１の一部がＭｏ／Ｓｉ多層膜３から露出している。 - 特許庁

When this fluorine F is introduced into the process chamber 2, the fluorine F reacts chemically with the Si film and SiO2 film sticking to the inside wall, etc., of the process chamber 2 and the Si film and SiO2 film are decomposed away.例文帳に追加

このフッ素Ｆがプロセスチャンバー２内に導入されると、プロセスチャンバー２の内壁等に付着したＳｉ膜やＳｉＯ_2膜に対してフッ素Ｆが化学反応し、Ｓｉ膜及びＳｉＯ_2膜が分解除去される。 - 特許庁

An amorphous Si thin film in film thickness of 35 nm is formed with reference to a substrate 2, it is patterned to be in a prescribed shape, and then an amorphous Si thin film in a film thickness of 50 nm is formed additionally.例文帳に追加

基板２に対して３５ｎｍの膜厚で非晶質Ｓｉ薄膜を形成し、これを所定形状にパターニングしてから５０ｎｍの膜厚で非晶質Ｓｉ薄膜を更に形成する。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect type head, a fixed layer is constituted of a ferromagnetic film 12/an oxide film 13/a ferromagnetic film 14 and oxygen diffusion is suppressed by incorporating an element (Mg, Al, Si, Ca, Ti, Zr, etc.), having strong bonding force to oxygen into the oxide film 13.例文帳に追加

固定層を強磁性膜１２／酸化物膜１３／強磁性膜１４で構成し、酸化物膜１３に酸素との結合力の強い元素（Mg、Al、Si、Ca、Ti、Zrなど）を含ませることによって酸素拡散を抑止した磁気抵抗効果型ヘッドとする。 - 特許庁

Only an Si wafer 21 and the insulating tin film 22 formed on the Si wafer 21 are used for samples 23, the infrared spectroscopic method (refer to Figure 1(B)) is applied to the insulating thin film 22 to measure and evaluate the film quality of the insulating thin film 22.例文帳に追加

Ｓｉウエハ２１及びＳｉウエハ２１上に形成された絶縁薄膜２２のみを試料２３とし、赤外分光法（図１（Ｂ）参照）を適用して絶縁薄膜２２の膜質を測定し評価する。 - 特許庁

They are formed as an active layer, a transistor for a pixel is formed in a polycrystalline Si thin film 4b into a thick film, and a transistor for a drive circuit is formed into a polycrystalline Si thin film 4a in a thin film.例文帳に追加

これらを活性層として、厚膜の多結晶Ｓｉ薄膜４ｂの部分に画素用トランジスタを形成し、薄膜の多結晶Ｓｉ薄膜４ａの部分に駆動回路用のトランジスタを形成する。 - 特許庁

Since hydrogen is trapped by the amorphous film (a-Si film) and prevented from penetrating into the transmissive conductive film (SnO2 film) when forming the p-type-SiC:H layer 4 and the p-type-Si:H layer 5.例文帳に追加

ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ層４及びびｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５の形成時に、水素が非晶質膜（ａ−Ｓｉ膜）３でトラップされて透光性導電膜（ＳｎＯ_2 ）２に侵入しない。 - 特許庁

A Si film 6 is film-deposited on a substrate 5 of a magnetic head by a sputtering method, a DLC film 7 is film-deposited on the Si film 6 by a CVD method and a ta-C film 8 is film-deposited on the DLC film 7 by a cathodic arc method.例文帳に追加

磁気ヘッドの基板５上にＳｉ膜６をスパッタ法により成膜し、そのＳｉ膜６上にＣＶＤ法によりＤＬＣ膜７を成膜し、そのＤＬＣ膜７上にカソーディックアーク法によりｔａ−Ｃ膜８を成膜する。 - 特許庁

A protection film 13 and a reflection prevention film 12 are formed on a semiconductor thin film 3, and each thickness is separately set, thus forming a Poly-Si film with superior uniformity and a Poly-Si film with large surface area on the semiconductor thin film under the protection film and under the reflection protection film, respectively, when a laser beam is applied.例文帳に追加

半導体薄膜上に保護膜と反射防止膜を形成しそれぞれの膜厚を個別に設定することで、レーザ光照射時に保護膜下の半導体薄膜に均一性の良いＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を、また反射防止膜下には表面積の大きなＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成する。 - 特許庁

The film thickness t_1 of the Si film 11 and the film thickness t_2 of the silicon nitride film 12 are present within a range X formed by sequentially connecting points A1 to A36 listed in Table 1, in Fig.1 that shows the relationship of the film thickness t_1 of the Si film and the film thickness t_2 of the silicon nitride film.例文帳に追加

Ｓｉ膜１１の膜厚をｔ_１、窒化ケイ素膜１２の膜厚をｔ_２としたとき、Ｓｉ膜の膜厚ｔ_１と窒化ケイ素膜の膜厚ｔ_２との関係を表す図１において、（ｔ_１、ｔ_２）が表１で表される点Ａ１〜Ａ３６を順次直線で結んで形成される範囲Ｘ内にあることを特徴とする。 - 特許庁

The bonding film 3 contains an Si skeleton including a siloxane (Si-O) bond and having a random atom structure, and a leaving group bonded to the Si skeleton.例文帳に追加

この接合膜３は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含むものである。 - 特許庁

The amorphous Si film 23 is laser-annealed in this state, and a single crystal of the same orientation as the Si pillar 13 is formed at the contact part with the Si pillar 13.例文帳に追加

この状態でアモルファスＳｉ膜２３をレーザアニールして、Ｓｉ柱１３との接触部に、Ｓｉ柱１３と同一方位の単結晶を形成する。 - 特許庁