「SI FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The SiC wafer 12 temporarily fixed to the Si wafer 18 is overlaid on an Si wafer 14 having the same diameter as that of the Si wafer 18 with an SOG film 16P interposed therebetween.例文帳に追加

Ｓｉウェハ１８に仮留めされたＳｉＣウェハ１２を、ＳＯＧ膜１６Ｐを介してＳｉウェハ１８と同じ口径のＳｉウェハ１４に重ね合わせる。 - 特許庁

The ratio (I_SiOH/I_SiOSi) of the infrared absorption spectrum intensity I_SiOH derived from Si-OH to the infrared absorption spectrum intensity I_SiOSi derived from an Si-O-Si bond, in the silicon oxide film, is at least 0.1.例文帳に追加

酸化ケイ素系皮膜のＳｉ−ＯＨ由来の赤外吸収スペクトル強度Ｉ_ＳｉＯＨと、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合由来の赤外吸収スペクトル強度Ｉ_ＳｉＯＳｉとの比が、少なくとも０．１である。 - 特許庁

On an Si single-crystal substrate 2, a 3C-SiC single-crystal film 6 is formed with a c-BP single-crystal layer 4 and a 3C-SiC single-crystal layer 5 made of a carbonized Si single-crystal layer 5', which are formed on the Si single-crystal substrate 2 interposed in this order.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上にｃ−ＢＰ単結晶層４及びＳｉ単結晶層５′を炭化した３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層５をこの順で介在して３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜６が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, a structure 60 obtained by retreating the Si substrate 50 and the Poly-Si 54 by wet etching is mounted on another Si substrate 62 and an SiO_2 film 64 is grown by thermal oxidation.例文帳に追加

次にＳｉ基板５０とＰｏｌｙ−Ｓｉ５４とをウェットエッチングにより後退させてできた構造体６０を別のＳｉ基板６２に乗せ、熱酸化処理を施すことによりＳｉＯ_２膜６４を成長させる。 - 特許庁

A channel layer by a poly-Si layer 107 is formed on the gate insulating film 104, and the poly-Si layer 107 is covered with an a-Si layer 108.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０４上にｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７によるチャネル層を形成し、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７をａ−Ｓｉ層１０８で覆う。 - 特許庁

To be more precise, the semiconductor device includes the SiC substrate, an Si epitaxial layer formed in the surface of the SiC substrate, the Si oxide film formed on the Si epitaxial layer, a gate electrode formed on the Si oxide film, a source region formed in the Si epitaxial layer, and a drain electrode connected to the SiC substrate.例文帳に追加

具体的には、本発明に係る半導体デバイスは、ＳｉＣ基板と；前記ＳｉＣ基板の表面に形成されたＳｉエピタキシャル層と；前記Ｓｉエピタキシャル層上に形成されたＳｉ酸化膜と；前記Ｓｉ酸化膜上に形成されたゲート電極と；前記Ｓｉエピタキシャル層内に形成されたソース領域と；前記ＳｉＣ基板に接続されたドレイン電極とを備えている。 - 特許庁

This growth method comprises: using an Si-C system melt that has a composition being between the peritectic point and eutectic point in the Si-C two component system phase diagram, as a raw material melt; and bringing the raw material melt into contact with an Si substrate or an SiC film formed on an Si substrate, to perform epitaxial growth of an SiC crystal on the Si substrate or SiC film.例文帳に追加

この液相エピタキシャル成長方法は、Ｓｉ−Ｃの２成分系状態図に示される包晶点と共晶点間の組成を有するＳｉ−Ｃ系融液を原料融液とし、この原料融液とＳｉ基板若しくはＳｉ基板上に設けられたＳｉＣ膜とを接触させて上記Ｓｉ基板上若しくはＳｉＣ膜上にＳｉＣ結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする。 - 特許庁

The method of doping the SiC includes a step of forming an Si film containing a dopant on at least part of the surface of the SiC, and a step of subjecting the SiC and the Si film to heat treatment in a state where the Si film is formed on the SiC.例文帳に追加

ドーパントを含むＳｉ膜をＳｉＣの表面の少なくとも一部に形成する工程と、Ｓｉ膜をＳｉＣに形成した状態でＳｉＣおよびＳｉ膜を熱処理する工程と、を含む、ＳｉＣへのドーピング方法とその方法を用いたＳｉＣ半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In this manufacturing method, when oxidizing the polysilazane coating film 4, H_2O reaches the Si containing film 14, O in H_2O reacts with Si in the Si containing film 14 to form SiO_2, and O is consumed.例文帳に追加

この製造方法の場合、ポリシラザン塗布膜４を酸化するときには、Ｈ_2ＯがＳｉを含有する膜１４に到達して、Ｈ_2Ｏ中のＯと、Ｓｉを含有する膜１４中のＳｉとが反応してＳｉＯ_2が形成され、Ｏが消費されるようになる。 - 特許庁

At least one of the sliding surface and slide receiving surface has an amorphous carbon film (DLC-Si film) consisting of Si, H and C as a balance, and the DLC-Si film is composed of a critical part facing an adhering interface and a surface part connected to the critical part and extending to the side of a surface.例文帳に追加

前記摺動面または前記摺受面の少なくとも一方は、Ｓｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）を有し、このＤＬＣ−Ｓｉ膜は付着する界面に臨む臨界部とこの臨界部に連なり表面側へ延びる表面部とからなる。 - 特許庁

In the photonic crystal 1 having a laminated structure in which a plurality of pairs of an Si film 3 and an SiO_2 film 2 are cyclicly laminated, the Si film 3 has the extinction coefficient in visible rays range of which the wavelength is from 480 to 800 nm is smaller than the extinction coefficient of a bulk Si single crystal.例文帳に追加

Ｓｉ膜３とＳｉＯ_２膜２とのペアを複数周期積層した積層構造を有するフォトニック結晶１において、Ｓｉ膜３は、波長４８０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光領域における消衰係数が、バルクＳｉ単結晶の消衰係数よりも小さくされる。 - 特許庁

The piezo-electric element includes the Si substrate, a piezo-electric film of niobic acid potassium sodium of perovskite structure whose general formula is (K, Na)NbO_3 formed on the upper portion of the Si substrate, and an intermediate layer formed between the Si substrate and the piezo-electric film, which makes the piezo-electric film generate stress in a compressing direction.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子は、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板の上方に形成され、一般式が（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３であるペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウムの圧電膜と、Ｓｉ基板と圧電膜との間に形成され、圧電膜に圧縮方向の応力を生じさせる中間層とを備える。 - 特許庁

On an SOI substrate consisting of an upper layer Si substrate 12, an SiO_2 film layer 14, and a lower layer Si substrate 16, an insulating film for device isolation composed of an SiO_2 film 22 and a Poly-Si 26 is formed and, at the same time, a hole for subcontact filled with padding SiO_2 24 is formed thereon.例文帳に追加

上層Ｓｉ基板１２、ＳｉＯ_２膜層１４、下層Ｓｉ基板１６からなるＳＯＩ基板にＳｉＯ_２膜２２およびＰｏｌｙ−Ｓｉ２６からなる素子分離用絶縁膜を形成すると同時に埋め込みＳｉＯ_２２４を埋め込んだサブコンタクト用のホールを形成する。 - 特許庁

This method comprises a step of forming a poly-Si layer 5 on a conductive layer 2, and a step of forming a Ti film by CVD on the poly-Si layer 5 and forming a TiSix film 6 by reaction with the Ti film and the poly-Si layer.例文帳に追加

導電層２上にｐｏｌｙ−Ｓｉ層５を形成する工程と、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層５の上にＣＶＤによりＴｉ膜を成膜し、Ｔｉ膜とｐｏｌｙ−Ｓｉ層との反応によりＴｉＳｉ_ｘ膜６を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a novel Si-containing film-forming material, in particular a material for low dielectric constant insulating films which contains a siloxane compound and is suitable for PECVD apparatuses and also an Si-containing film obtained by using such a material, and a semiconductor device comprising such an Si-containing film.例文帳に追加

新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したシラン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料を提供すること、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an etching solution which does not damage polycrystal Si(poly-Si) and a Si oxide film (SiO_2), has a highly selective etching rate to a hafnium oxide film of a hardly-soluble high-dielectric material used as a gate insulation film, and does not include hydrofluoric acid.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、Ｓｉ酸化膜（ＳｉＯ_２）などにダメージを与えることなく、ゲート絶縁膜として用いられる難溶性の高誘電体材料であるハフニウム酸化膜等に対する選択エッチチングレートが大きく、なおかつフッ酸を含まないエッチング液を提供する。 - 特許庁

P is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of an n channel MOS transistor part, and B is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of a p channel MOS transistor part, and then heat treatment is carried out so that the amorphous Si film 7 can be crystallized, and impurity can be activated.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタ部の非晶質Ｓｉ膜７にＰをイオン注入し、ｐチャネルＭＯＳトランジスタ部の非晶質Ｓｉ膜７にＢをイオン注入した後、熱処理を行うことにより、非晶質Ｓｉ膜７を結晶化させるとともに、不純物の活性化を行う。 - 特許庁

The Ti film is formed over the entire of the principal surface of the Si wafer on the surface of which the Si oxide film is formed, on which the Pt film is formed, and thereafter the Pt film is etched with the Ti film left behind to remove the unnecessary portion of the Pt film, whereby the Pt electrode film is formed.例文帳に追加

表面にＳｉ酸化物膜が形成されたＳｉウエハの主面全体にＴｉ膜を形成し、その上にＰｔ膜を形成した後、Ｔｉ膜を残しつつＰｔ膜をエッチングして、Ｐｔ膜の不要部分を除去することによりＰｔ電極膜を形成する。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 includes a plurality of quantum dots 31 made of p-type Si.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。 - 特許庁

FILM FORMATION MATERIAL CONTAINING SI CONSTITUTED OF ORGANIC SILANE COMPOUND CONTAINING ALKENYL GROUPS, AND APPLICATION THEREOF例文帳に追加

アルケニル基含有有機シラン化合物から成るＳｉ含有膜形成材料およびその用途 - 特許庁

The n-type silicon oxide film 2 includes a plurality of quantum dots 21 made of n-type Si.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。 - 特許庁

Organic film 12 is formed on a CZ substrate 11 of Si using acryl resin as a base polymer.例文帳に追加

ＳｉからなるＣＺ基板１１上に、アクリル樹脂をベースポリマーとする有機膜１２を形成する。 - 特許庁

ORGANIC SILANE COMPOUND, SI-CONTAINING FILM-FORMING MATERIAL, PRODUCTION METHOD, AND APPLICATION例文帳に追加

有機シラン化合物、それを含むＳｉ含有膜形成材料、製造方法および用途 - 特許庁

The surface of the Si substrate 110 where the oxide film is removed is covered with hydrogen atoms.例文帳に追加

酸化膜を除去したＳｉ基板１１０の表面は、水素原子で被覆されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 2 is formed on an Si substrate 1, and a wiring groove 3 is made in that section.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に層間絶縁膜２を製膜し、その部分に配線溝３を形成する。 - 特許庁

PHOTODETECTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE EMBEDDED Si INSULATING FILM例文帳に追加

光検出器、および半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜の製造方法 - 特許庁

To carry out epitaxial growth of crystalline silicon nitride film on the surface of Si single crystal.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶表面に結晶性窒化ケイ素膜をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

Thereafter, a thermal oxide film is formed within the cavity with thermal oxidation of the Si substrate 1 (BOX oxidation method).例文帳に追加

その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部内に熱酸化膜を形成する（ＢＯＸ酸化工程）。 - 特許庁

A BOX layer 152a left on the single crystal Si thin film transistor 130 is eliminated by etching.例文帳に追加

また、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１３０上に残ったＢＯＸ層１５２ａをエッチング除去する。 - 特許庁

A Si wafer 10 having the surface on which an amorphous silicon film 12 is formed is inserted into a diffusion furnace.例文帳に追加

表面にアモルファスシリコン膜１２が形成されたＳｉウェーハ１０を拡散炉に挿入する。 - 特許庁

The insulating film 25 holds Ta+Si+O=100% and 60 mol%≤O≤75 mol%.例文帳に追加

絶縁膜２５はＴａ＋Ｓｉ＋Ｏ＝１００％、６０モル％≦Ｏ≦７５モル％である。 - 特許庁

On an Si substrate 1, a gate insulating film 3, a gate electrode 4, and a sidewall 5 are provided.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上には、ゲート絶縁膜３，ゲート電極４，サイドウォール５が設けられている。 - 特許庁

Thereafter, thermal oxidation of the Si substrate 1 forms a thermally-oxidized film each in the cavities 25 and 27.例文帳に追加

その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部２５、２７内にそれぞれ熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

A pn-junction is formed between the Si substrate 1 and the β-FeSi_2 film 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１とβ−ＦｅＳｉ_２膜２との間には、ｐｎ接合が形成される。 - 特許庁

Alternatively, the polycrystalline film has a composition of Si_(1-x-y)Ge_xC_y(0<x<1, 0<y<1).例文帳に追加

あるいは、多結晶膜がＳｉ_(1-x-y)Ｇｅ_xＣ_y（０＜ｘ＜１、０＜y＜１）の組成を有している。 - 特許庁

A gate electrode 14 is provided through a gate oxide film 13 on the substrate of single crystal Si.例文帳に追加

単結晶Ｓｉの基板にゲート酸化膜１３を介してゲート電極１４が設けられている。 - 特許庁

The silicon nitride film 10 includes ≥1.4×10^22 groups/cm^3 of Si-H bonding groups.例文帳に追加

シリコン窒化膜１０には、１．４×１０^22個／ｃｍ^3以上のＳｉ−Ｈ結合基が含まれている。 - 特許庁

An AlN piezoelectric film 10 is formed on an Si substrate 12.例文帳に追加

薄膜としてのＡｌＮ圧電薄膜１０は、Ｓｉの基板１２上に形成される。 - 特許庁

Ti-Si ALLOY BASED TARGET MATERIAL, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND FILM COATING METHOD例文帳に追加

Ｔｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材およびその製造方法ならびに皮膜コーティング方法 - 特許庁

When forming a polycrystalline silicon (poly-Si) thin film, ELA is performed following ICP-CVD.例文帳に追加

多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）薄膜形成時にＩＣＰ−ＣＶＤに次いでＥＬＡが行われる。 - 特許庁

A partitioning wall 10 si formed on the top layer of the insulation layer 22, later to laminate an organic thin film layer.例文帳に追加

絶縁膜２２の上層には隔壁１０を形成し、その後、有機薄膜層を積層する。 - 特許庁

To provide a dense silicon nitride film having reduced Si-H bonds and having high gas barrier properties.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｈ結合が少なく、緻密でガスバリア性の高い窒化珪素膜を成膜する。 - 特許庁

The electrode 6 is composed of p^+poly-Si and is formed on the insulating film 5.例文帳に追加

電極６は、ｐ^＋ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、絶縁膜５上に形成される。 - 特許庁

To form a semiconductor thin film of polycrystalline Si, etc., superior in the crystallinity on the entire substrate surface.例文帳に追加

基板の全面に結晶性の優れた多結晶シリコン等からなる半導体薄膜を形成する。 - 特許庁

To obtain a high-quality poly-Si film and MOS interface at a low processing temperature.例文帳に追加

低いプロセス温度で高品質のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜およびＭＯＳ界面を得る。 - 特許庁