「SI FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

N and P well regions are formed on an Si substrate 1 where an element isolation film 2 is formed.例文帳に追加

素子分離膜２が形成されたＳｉ基板１にＮウェル領域及びＰウェル領域を形成する。 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING HIGH Si-CONTAINING HIGH TENSILE STRENGTH STEEL SHEET HAVING EXCELLENT PHOSPHATE FILM TREATABILITY例文帳に追加

りん酸塩被膜処理性に優れた高Ｓｉ含有高張力鋼板の製造方法 - 特許庁

An SiO2 film 12 is formed on the surface of an Si substrate 10 by performing a thermal oxidation treatment.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の表面に、ＳｉＯ_2 膜１２が熱酸化処理によって形成されている。 - 特許庁

A Si film 51 is formed on a 42-alloy cavity plate 10 with a sputtering method or the like.例文帳に追加

４２合金製のキャビティプレート１０に、スパッタ法等を用いてＳｉ膜５１を形成する。 - 特許庁

A polycrystalline Si film 3 and an SiO2 2 are removed to form a groove element isolation region 9.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜３およびＳｉＯ_2 膜２を除去し、溝素子分離領域９を形成する。 - 特許庁

To prevent the diffusion of N into the vicinity of an interface while improving the interface between an Si substrate and a gate insulating film.例文帳に追加

Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面を改善しつつ、界面付近へのＮの拡散を防止する。 - 特許庁

A diamond is formed into a film on a carbonized Si substrate 1 by a microwave plasma CVD method.例文帳に追加

炭化処理したＳi基坂１上に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法でダイヤモンドを成膜する。 - 特許庁

An opening is provided in the SiN film 3, and a trench 5 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

ＳｉＮ膜３に開口を形成し、Ｓｉ基板１にトレンチ５を形成する。 - 特許庁

First, as shown in Fig.1(a), AlN film 2 used as a seed crystal layer is vapor-deposited on a Si substrate 1.例文帳に追加

先ず、図１（ａ）で示すように、Ｓｉ基板１上に種結晶層となるＡｌＮ膜２を蒸着する。 - 特許庁

This HDTMOS has an Si substrate 10, a buried oxidized film 11, and a semiconductor layer 30.例文帳に追加

ＨＤＴＭＯＳは、Ｓｉ基板１０と、埋め込み酸化膜１１と、半導体層３０とを有している。 - 特許庁

To provide an analytical method in which contents of Si, O, C, N and H in an insulating film containing an organic component are analyzed with satisfactory accuracy.例文帳に追加

有機成分を含む絶縁膜のＳｉ，Ｏ，Ｃ，Ｎ，Ｈ含有量を精度良く分析する。 - 特許庁

A metallic film 31 is first formed on an Si layer 30c of an SOI substrate 30.例文帳に追加

先ず、ＳＯＩ基板３０のＳｉ層３０ｃ上に金属膜３１を形成する。 - 特許庁

The hard film is desired to be a Cr-based nitride, or desired to additionally include Si.例文帳に追加

硬質皮膜はＣｒ系窒化物であることが望ましく、あるいはさらにＳｉを含むことが望ましい。 - 特許庁

Based on the obtained transmission contrast, selection to the p-Si film 23 is performed.例文帳に追加

そして、求めた透過コントラストに基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。 - 特許庁

Preferably, the insulating layer has an SiO_2 film formed on an Si substrate or is a quartz substrate.例文帳に追加

絶縁層としては、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。 - 特許庁

The semiconductor substrate 20 on which the film including Si and C is formed is arranged in a chamber 11.例文帳に追加

Ｓｉ及びＣを含む膜が形成された半導体基板２０をチャンバ１１内に配置する。 - 特許庁

On the film, if necessary, a Ge atom is substituted for a part of the Si atom.例文帳に追加

この膜では、必要ならＳｉ原子の一部をＧｅ原子で置換することもできる。 - 特許庁

The coating (c) is a precise and nondefective amorphous inorganic compound film comprising Si and O as main components.例文帳に追加

被覆膜（ｃ）は、緻密で欠陥のないＳｉとＯとを主成分とする非晶質の無機化合物膜である。 - 特許庁

An insulating film that acts as an etching stopper is formed on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、エッチングストッパとして作用する絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The Si wafer 14 and SOG solidified film 16S are gradually dissolved in the fluoronitric acid solution 36.例文帳に追加

Ｓｉウェハ１４及びＳＯＧ固化膜１６Ｓはフッ硝酸溶液３６に徐々に溶解する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a single crystal Si thin film transistor fabricated on an insulating substrate by transfer, and a poly-Si thin film transistor fabricated on the insulating substrate in which the single crystal Si thin film transistor is protected against damage due to laser beam irradiation for forming a poly-Si thin film.例文帳に追加

絶縁基板上に、転写により形成された単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタと、絶縁基板上で形成された多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタとを有する半導体装置において、多結晶Ｓｉ薄膜を形成するためのレーザ光照射による単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタの損傷を防止する。 - 特許庁

To provide a method for etching by which a High-k film can be etched by suppressing the etching of an element separating region or Si substrate.例文帳に追加

素子分離領域あるいはＳｉ基板のエッチングを抑えつつ、High-k膜のエッチングを行う。 - 特許庁

Further, an Si compound and a resin may be incorporated into the insulating film.例文帳に追加

また、前記絶縁被膜中には、Ｓｉ化合物や樹脂を含有することもできる。 - 特許庁

To form a normal ditch without causing the remaining section of Si to be generated under a thin-film bridge.例文帳に追加

薄膜ブリッジ下にＳｉの残部が発生せず、正常な掘りの形成が行えるようにする。 - 特許庁

At that time, the film thickness of the first Al/Si layer (13) is set so as to range from about 0.04 to 0.2 μm.例文帳に追加

このとき、第１のＡｌ−Ｓｉ層（１３）の膜厚は０．０４〜０．２μｍ程度となるように施す - 特許庁

A thin film 5D containing Si is formed on the irregular surface of a first GaN layer 5C.例文帳に追加

第１のＧａＮ層５Ｃの凸凹表面に、Ｓｉを含む薄膜５Ｄを設ける。 - 特許庁

The SiC wafer 12 is bonded to the Si wafer 14 through the SOG solidified film 16S.例文帳に追加

このＳＯＧ固化膜１６Ｓにより、ＳｉＣウェハ１２がＳｉウェハ１４に接着される。 - 特許庁

A gate insulating film 18 is formed on a part of the Si-Body 14.例文帳に追加

そして、Ｓｉ−Ｂｏｄｙ１４上の一部にゲート絶縁膜１８が形成されている。 - 特許庁

An SiO_2 film 21 is formed on the Si substrate 1 so that the support hole (h) is buried.例文帳に追加

次に、支持体穴ｈを埋め込むようにＳｉ基板１上にＳｉＯ_２膜２１を形成する。 - 特許庁

DEPOSITION OXIDE FILM COATED Fe-Si BASED FERROUS SOFT MAGNETIC POWDER, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

堆積酸化膜被覆Ｆｅ−Ｓｉ系鉄基軟磁性粉末およびその製造方法 - 特許庁

An SiO_2 film 12 of an Si substrate 10 is worked to form an island-like protruding part 14.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０のＳｉＯ_２膜１２を加工し、島状の凸部１４を形成する。 - 特許庁

Si compounds or resin can be contained in the insulating coating film.例文帳に追加

また、前記絶縁被膜中には、Ｓｉ化合物や樹脂を含有することもできる。 - 特許庁

POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, METHOD FOR FORMING THE SAME AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT例文帳に追加

多結晶Ｓｉ薄膜の形成方法、多結晶Ｓｉ薄膜及び光起電力素子 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING STAINLESS STEEL SHEET WITH FINELY ROUGHENED SURFACE AND THIN FILM Si SOLAR CELL例文帳に追加

微細粗面化ステンレス鋼板および薄膜Ｓｉ太陽電池の製造法 - 特許庁

METHOD FOR OPTIMIZING CHANNEL CHARACTERISTICS USING ELA POLY-SI FILM CRYSTALLIZED IN LATERAL DIRECTION例文帳に追加

横方向に結晶化したＥＬＡ多結晶ＳＩ膜を使用してチャネル特性を最適化する方法 - 特許庁

MASK PATTERN DESIGN TO IMPROVE QUALITY UNIFORMITY IN LATERALLY CRYSTALLIZED POLYCRYSTALLINE Si FILM例文帳に追加

横方向に結晶化した多結晶ＳＩ膜の品質の均一性を向上させるマスクパターン設計 - 特許庁

On a Si substrate 120 of a semiconductor device, a field oxide film 101 is provided.例文帳に追加

半導体装置のＳｉ基板１２０上には、フィールド酸化膜１０１が設けられている。 - 特許庁

To prevent an insulating film from being formed on an interface between bit lines, a wiring and an Si substrate.例文帳に追加

ビット線および配線とＳｉ基板の界面での絶縁膜の形成を防止する。 - 特許庁

The insulating film is formed on the Si substrate after cleaning in the state that F is retained.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、Ｆが残留した状態で、洗浄後のＳｉ基板上に、絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Also, the optical element for developing excellent optical functions can be provided by using the DLC-Si film.例文帳に追加

また、このＤＬＣ−Ｓｉ膜を用いて、優れた光学機能を発現する光学素子が得ることができる。 - 特許庁

The photocatalytic material (TiO_2) layer 5 is formed on the Mo/Si multi-layer film.例文帳に追加

このＭｏ／Ｓｉ多層膜の上には、光触媒材料（ＴｉＯ_２）層５が成膜されている。 - 特許庁

Then, material gas is provided to the insulating film to supply Si or C.例文帳に追加

その後、絶縁膜中に、Ｓｉ又はＣを供給するための原料ガスを供給する。 - 特許庁

A thin film sensor part is formed on the top surface of an Si (100) substrate and insulating films are formed on both the surfaces of the substrate.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板表面に薄膜センサ部を形成し、基板両面に絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

The insulating film as a sample formed on an Si substrate is divided into two films (S1).例文帳に追加

Ｓｉ基板上に形成された試料としての絶縁膜を２つに分割する（Ｓ１）。 - 特許庁

To produce a thick, smooth, and relaxed Si_xGe_1-x film with high Ge content.例文帳に追加

高いＧｅ含有率を有する厚く平滑な緩和Ｓｉ_ＸＧｅ_１−Ｘ膜を製造すること。 - 特許庁