「SI FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To stably grow a metal film except Si by using a liquid raw material.例文帳に追加

液体原料を用いてＳｉ以外の金属膜を安定して成長させる。 - 特許庁

In this way, a part of the a-Si:H film 61 becomes solid phase and crystallized.例文帳に追加

これによって、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜６１の一部が固相結晶化する。 - 特許庁

In this way, a part of the a-Si:H film 61 is melted and crystallized.例文帳に追加

これによって、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜６１の一部が溶融結晶化する。 - 特許庁

DEPOSITION METHOD OF ELECTRICALLY ACTIVE DOPED SI-CONTAINING CRYSTALLINE FILM例文帳に追加

電気的に活性なドープト結晶性Ｓｉ含有膜の堆積方法 - 特許庁

To provide a light emitting element comprising a β-FeSi_2 film on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にβ−ＦｅＳｉ_２膜を備える発光素子を提供する。 - 特許庁

The DCL film 15 includes 0-50 wt.% of Si.例文帳に追加

ＤＬＣ膜１５には、０〜５０ｗｔ％の比率でＳｉが添加されている。 - 特許庁

The hard film optionally further contains B and Si as metal components.例文帳に追加

さらには、金属成分としてＢ（ホウ素）またはＳｉ（ケイ素）を含んでいてもよい。 - 特許庁

In the inspection processing of a p-Si film 23, an LED 12 irradiates the p-Si film 23 with an irradiating light Lout from a rear side of a movable stage 11, on which a transparent substrate 20 (Si thin-film substrate 2) formed with the p-Si film 23 is mounted.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３が形成された透明基板２０（Ｓｉ薄膜基板２）を搭載する可動ステージ１１の裏側から、ｐ−Ｓｉ膜２３へ向けてＬＥＤ１２によって、照射光Ｌoutを照射する。 - 特許庁

To form a high-quality Poly-Si film containing a trace of impurities.例文帳に追加

極めて不純物の少ない高品質なＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成する。 - 特許庁

Next, an Si thin film 13 is formed on the solid phase mixed layer 12.例文帳に追加

次に、固相混合層１２上にＳｉ薄膜１３を形成する。 - 特許庁

Finally, an a-Si film 104 containing Ni and P is removed.例文帳に追加

最後に、Ｎｉ,Ｐを含有するａ−Ｓｉ膜１０４を除去する。 - 特許庁

The β-FeSi_2 film 12 has the same conductivity as that of the Si substrate.例文帳に追加

β−ＦｅＳｉ_２膜１２はＳｉ基板と同じ導電型を有している。 - 特許庁

To dissolve problems on the manufacture of a Si containing film.例文帳に追加

Ｓｉ含有膜の製造における幾つかの問題を解決すること。 - 特許庁

Film thickness of the p-type a-Si:H layer 5 is 50 to 200 Å.例文帳に追加

このｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５の膜厚は５０〜２００Åである。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING TINNED STEEL SHEET HAVING Si-CONTAINING CHEMICAL CONVERSION FILM例文帳に追加

Ｓｉ含有化成皮膜を有する錫系めっき鋼板の製造方法 - 特許庁

Each dielectric material multi-layered film 310 and 311 is formed by laminating n layers of films consisting of Si films 320 and SiO2 films 321 and third dielectric material thin films 330 and 331 consisting of the Si film and having prescribed thickness are interposed between each dielectric material multi-layered film 310 and 311 and a magnetic body thin film 307, respectively, to form the magnetooptical body 300.例文帳に追加

磁気光学体３００は、Si膜３２０及びSiO_2膜３２１をｎ層積層して誘電体多層膜３１０，３１１を形成し、誘電体多層膜３１０，３１１のそれぞれと磁性体薄膜３０７との間に、Si膜の所定厚さの第３の誘電体薄膜３３０，３３１を介装した。 - 特許庁

A plasma, an excimer laser 4 or an ion beam is irradiated on a silicon oxide or nitride film to cut coupling of Si-O or Si-N.例文帳に追加

プラズマ、エキシマレーザ、イオンビームなどを酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜状に照射することによって、Si-OもしくはSi-Nの結合を切断することができる。 - 特許庁

An Nb-Al-Si intermetallic compound containing 20 atomic % Al and 47 atomic % Si, forming a dense alumina protective film on the surface in a high temperature atmosphere and excellent in oxidation resistance, is obtained.例文帳に追加

Alを20原子%、Siを47原子%含有し、高温大気中において表面に緻密なアルミナ保護膜を形成し、耐酸化性に優れるNb-Al-Si系金属間化合物を得る。 - 特許庁

To provide a method for forming 3C-SiC single crystal thin film of a single phase having less crystal defects on an Si wafer by making hetero epitaxial growth on the surface of an Si substrate.例文帳に追加

Si基板表面にヘテロエピタキシャル成長させることにより、Siウェハ上に結晶欠陥の少ない単相の3C-SiC単結晶薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

There is provided the light receiving element with the reflective structure which is composed of a multilayer film of a-Si/c-Si formed by changing a part of Si crystal constituting a photoelectric conversion layer into an a-Si layer.例文帳に追加

反射構造を備えた光受光素子を、 前記反射構造が、光電変換層を構成するＳｉ結晶の一部をａ−Ｓｉ層に変質させて形成されたａ−Ｓｉ／ｃ−Ｓｉによる多層膜によって構成する。 - 特許庁

Then, a hole for exposing the Si substrate 1 is formed at the Si layer 5 and the SiGe layer, and an SiO_2 film 11 is formed on the Si substrate 1 so that the hole is buried and the Si layer 5 is covered.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層にＳｉ基板１を露出させる穴を形成し、穴が埋め込まれ且つＳｉ層５が覆われるようにして、Ｓｉ基板１上にＳｉＯ_２膜１１を形成する。 - 特許庁

It is also possible that a film of Si or Si oxide is formed on a quartz glass substrate with ITO and by ion injecting on this film, and furthermore by ion injecting directly on the Si substrate, a light emitting thin film is formed.例文帳に追加

ＩＴＯ付き石英ガラス基板上にＳｉやＳｉ酸化物の薄膜を形成し、この薄膜に対してイオン注入することにより、さらにはＳｉ基板に直接イオン注入することにより形成することも可能である。 - 特許庁

An intermediate layer containing at least any one of an amorphous Si oxide layer, an amorphous Si nitride film and an amorphous Si oxide nitride film may be provided between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート絶縁層と半導体層との間に、アモルファスＳｉ酸化膜、アモルファスＳｉ窒化膜およびアモルファスＳｉ酸窒化膜の少なくともいずれか１つを含む中間層を設けることもできる。 - 特許庁

In inspection processing on the crystallinity of a p-Si film 23, an LED 12 irradiates the p-Si film 23 and an a-Si film 230 with irradiation light Lout.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて、ＬＥＤ１２によって照射光Ｌoutを照射する。 - 特許庁

The layer 30 is composed of an upper Si film 12 and epitaxially grown Si layer 13, SiGe film 14, and Si film 15.例文帳に追加

半導体層３０は、上部Ｓｉ膜１２と、各々エピタキシャル成長されたＳｉバッファ層１３，ＳｉＧｅ膜１４，Ｓｉ膜１５とから構成されている。 - 特許庁

When the semiconductor device is formed, the insulating film containing Si is firstly formed on a substrate, and then the Si-rich layer more rich in Si than the chemically logical composition of the material of the insulating film is formed on the surface of the insulating film.例文帳に追加

この半導体装置を形成する際には、まず、基板上にＳｉを含む絶縁膜を形成し、この絶縁膜の表面に、その組成が、絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもＳｉ過剰なＳｉリッチ層を形成する。 - 特許庁

In an inspection step for the crystallinity of a p-Si film 23, the p-Si film 23 and an a-Si film 230 are each irradiated with irradiation light Lout by an LED 12.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて、ＬＥＤ１２によって照射光Ｌoutをそれぞれ照射する。 - 特許庁

Thereby, an SiON film in a part which is subjected to ion implantation turns into an Si layer containing a very small amount of N, and the projection part 23 of the island-like Si thin-film layer 33 and the polycrystalline Si film 6 for a gate electrode are connected electrically.例文帳に追加

これによりイオン注入された部分のＳｉＯＮ膜はＮを微量に含んだＳｉ層となり、島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３とゲート電極用の多結晶Ｓｉ膜６は電気的に接続される。 - 特許庁

And a supporting body hole is formed by partially etching the Si thin film 13 and the solid phase mixed layer 12, and a supporting body for covering and supporting the Si thin film 13 is formed from over the Si thin film 13 to the supporting body hole.例文帳に追加

そして、Ｓｉ薄膜１３と固相混合層１２とを部分的にエッチングして支持体穴を形成し、Ｓｉ薄膜１３を覆って支持する支持体を当該Ｓｉ薄膜１３上から支持体穴にかけて形成する。 - 特許庁

In the second step, the Hf-Si film is irradiated with near ultraviolet light when the Hf-Si film is oxidized and a surface layer portion of the Si substrate is oxidized to form an SiO_2 film 104.例文帳に追加

第２工程において、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化する際にＨｆ−Ｓｉ膜に近紫外光を照射し、Ｓｉ基板の表層部を酸化してＳｉＯ_２膜１０４を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which a non-single crystal Si thin film and a single crystal Si thin-film device are formed and a high-performance system is integrated, to provide a method for manufacturing it, and to provide a single-crystal Si substrate for forming the single crystal Si thin-film device of the semiconductor device.例文帳に追加

非単結晶Ｓｉ薄膜と単結晶Ｓｉ薄膜デバイスとを形成し、高性能なシステムを集積化した半導体装置およびその製造方法、ならびに該半導体装置の単結晶Ｓｉ薄膜デバイスを形成するための単結晶Ｓｉ基板を提供する。 - 特許庁

At a position where a boron contamination is measured, an Si wafer 11 where an SiO2 film 12 is formed on the surface is held, an Sb is diffused in an Si wafer 16, while the Si wafer 11 and the p-type Si wafer 16 are adjoining each other, for obtaining an impurities concentration profile in the Si wafer 16.例文帳に追加

ボロン汚染を測定すべき位置に、表面にＳｉＯ_2 膜１２が形成されているＳｉウェハ１１を保持し、Ｓｉウェハ１１とｐ型のＳｉウェハ１６とを互いに隣接させた状態でＳｉウェハ１６中にＳｂを拡散させ、Ｓｉウェハ１６における不純物濃度プロファイルを求める。 - 特許庁

The semiconductor device 20 comprises an SiO_2 film 3; a MOS non-single crystal Si thin film transistor 1a, containing a non-single crystal Si thin film 5' of polycrystalline Si; a MOS single-crystal Si thin-film transistor 16a provided with a single-crystal Si thin-film 14a; and a metal wiring 22 on an insulation substrate 2.例文帳に追加

半導体装置２０は、絶縁基板２上に、ＳｉＯ_2膜３、多結晶Ｓｉからなる非単結晶Ｓｉ薄膜５’を含むＭＯＳ型の非単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１ａ、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａを備えたＭＯＳ型の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａ、金属配線２２を備えている。 - 特許庁

The depositing method of the polycrystalline thin film Si includes a process for depositing an amorphous Si thin film serving as a base on a substrate, a process for forming a metal oxide film on the surface of the amorphous Si thin film, a process for partially reducing the metal oxide film, a process for forming silicide by reduced metal and amorphous Si, and a process for growing crystal Si with silicide as a core.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ薄膜の堆積法において、少なくとも 下地となる非晶質Ｓｉ薄膜を基板上に堆積する工程と 該非晶質Ｓｉ薄膜表面に金属酸化膜を形成する工程と 該金属酸化膜を部分的に還元する工程と 還元された金属と非晶質Ｓｉとによりシリサイドを形成する工程と 該シリサイドを核として結晶Ｓｉを成長させる工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To attain the reduction of film deposition cost and the improvement of film deposition efficiency in an Si oxide film or the like suitable for an optical thin film at the time of film-depositing the Si oxide film or the like by sputtering.例文帳に追加

光学薄膜に好適なＳｉ酸化膜等をスパッタ成膜するにあたって、Ｓｉ酸化膜等の成膜コストの低減および成膜効率の向上を図る。 - 特許庁

A metallic silicide film 4 is obtained by successively forming an amorphous Si film, a metallic film, and an Si film 5 on the gate insulating film 3 and siliciding the metallic film by a heat treatment.例文帳に追加

金属シリサイド膜４は、ゲート絶縁膜３上にアモルファスＳｉ膜、金属膜及びＳｉ膜５を順次形成し、熱処理によって金属膜をシリサイド化することにより得られる。 - 特許庁

On one end face, an approximately 1 nm Si film (14a) is formed, the surface of the Si film (14a) is oxidized for forming a thin SiO_x film (14b), and a λ/2 Al_2O_3 film (14c) is formed on the SiO_x film for forming a low reflection film 14.例文帳に追加

端面の一方に、Ｓｉ膜(14a)を１nm程度形成し、Ｓｉ膜(14a)の表面を酸化して薄いＳｉＯ_x膜(14b)を形成し、その上にＡｌ_2Ｏ_3膜(14c)をλ/２形成して低反射膜14を形成する。 - 特許庁

An a-Si film 14 containing P is then formed directly on the entire surface of the CGS film 13 and Ni element is gettered from the CGS film 13 to the a-Si film 14 by heat treating the CGS film 13 and the a-Si film 14.例文帳に追加

ＣＧＳ膜１３上の全面に、Ｐを含有したａ−Ｓｉ膜１４を直接形成して、ＣＧＳ膜１３,ａ−Ｓｉ膜１４に加熱処理を施すことにより、ＣＧＳ膜１３からａ−Ｓｉ膜１４にＮｉ元素をゲッタリングする。 - 特許庁

A method of depositing an insulating film includes: a first step of depositing an Hf-Si film 102 on an Si substrate 101 by sputtering; a second step of depositing an HfSiO film 103 by oxidizing the Hf-Si film; and a third step of forming an HfSiON film 105 by nitriding the HfSiO film.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０１の上にスパッタによりＨｆ−Ｓｉ膜１０２を形成する第１工程と、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化してＨｆＳｉＯ膜１０３を形成する第２工程と、ＨｆＳｉＯ膜を窒化してＨｆＳｉＯＮ膜１０５を形成する第３工程を含む。 - 特許庁

The lift mechanism 6 raises the tray T against the film Fm and the silicone film sheet SI.例文帳に追加

リフト機構６は、フィルムＦｍおよびシリコンフィルムシートＳＩに対してトレーＴを突き上げる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR THIN FILM AND FORMING METHOD THEREOF, AMORPHOUS Si SOLAR CELL USING THE SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加

半導体薄膜及びその形成方法，半導体薄膜を使用したアモルファスＳｉ太陽電池 - 特許庁

Thus, the SiGe crystal film 4a suppresses the natural oxidization of the Si crystal film 4b.例文帳に追加

前述の構成によれば、ＳｉＧｅ結晶膜４ａがＳｉ結晶膜４ｂの自然酸化を抑制する。 - 特許庁

An a-Si film 3 is formed on a glass substrate 1 and nickel 5 which are used as catalyst elements are introduced in the film 3.例文帳に追加

ガラス基板１上にａ‐Ｓi膜３を成膜し、触媒元素としてのニッケル５を導入する。 - 特許庁

The hard carbon film or the diamond-like carbon film may contain Si, Ti, Cr, and W.例文帳に追加

硬質炭素膜又はダイヤモンド様炭素膜は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗを含むことができる。 - 特許庁

A carbon film 15 is formed on a silicon oxide film 14 on an Si substrate 11.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１上の酸化シリコン膜１４上にカーボン膜１５を形成する。 - 特許庁