a c-BPとは 意味・読み方・使い方

CAAT_signal CAAT box; part of a conserved sequence located about 75 bp up-stream of the start point of eukaryotic transcription units which may be involved in RNApolymerase binding; consensus=GG (C or T) CAATCT発音を聞く 例文帳に追加

CAAT_signal CAATボックス。 RNAポリメラーゼ結合に関与することがある真核生物転写単位の開始点の約75bp上流に位置する保存配列の一部。コンセンサス=GG(C又はT)CAATCT - 特許庁

Or the alcohol and the aluminum nitride powder are brought into contact with each other at a temp. ranging 40°C to below the b.p. of the alcohol and are heat treated at 40-400°C.例文帳に追加

３．アルコール類と窒化アルミニウム粉末を４０℃以上かつ当該アルコール類の沸点未満の温度下で接触させ、次いで４０〜４００℃で熱処理することを特徴とする窒化アルミニウム系粉末の製造方法。 - 特許庁

On an Si single-crystal substrate 2, a 3C-SiC single-crystal film 6 is formed with a c-BP single-crystal layer 4 and a 3C-SiC single-crystal layer 5 made of a carbonized Si single-crystal layer 5', which are formed on the Si single-crystal substrate 2 interposed in this order.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上にｃ−ＢＰ単結晶層４及びＳｉ単結晶層５′を炭化した３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層５をこの順で介在して３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜６が形成されている。 - 特許庁

The addition of an org. solvent having a b.p. higher than 60°C gives a cleaning solvent which does not evaporate at a low temp. before IPB or NPB evaporates, and thus a flammable atmosphere does not appear in the course of drying the cleaning solvent.例文帳に追加

また、沸点が６０℃以上の有機溶剤を選択したことで、ＩＰＢまたはＮＰＢよりも先に低温で揮発せずに済み、本洗浄用溶剤を乾燥させる過程で、引火性のある雰囲気が発生することがない。 - 特許庁

For example, actuation for retraction to a simulator piston is regulated by a C-ring CR to the position of the simulator piston SP to the piston member as the retraction limit when a brake operation member (BP) is not operated.例文帳に追加

例えばＣリングＣＲにより、ブレーキ操作部材（ＢＰ）の非操作時におけるシミュレータピストンＳＰのピストン部材に対する位置を後退限度として、シミュレータピストンの後退作動を規制する。 - 特許庁

A storage capacitor C_ST' corresponding to the thin film transistor in the white sub-pixel area WP is arranged in one (BP) of the sub-pixel areas of the three primary colors.例文帳に追加

白色サブピクセル領域ＷＰの薄膜トランジスタに対応するストレージキャパシタＣ_ＳＴ’は、３原色サブピクセル領域の１つ（ＢＰ）に設置される。 - 特許庁

In the diamond semiconductor, a single-crystal diamond film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 100 nm to 3 μm and a single-crystal c-BN layer 4 having a thickness of about 5-80 nm in this order.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１上に厚さ１００ｎｍ〜３μｍ程度のｃ−ＢＰ単結晶層３及び厚さ５〜８０ｎｍ程度のｃ−ＢＮ単結晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のダイヤモンド単結晶膜５が形成されている。 - 特許庁

In the GaN semiconductor, a single-crystal c-GaN film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 50 nm to 1 μm and a single-crystal GaP layer 4 having a thickness of about 1-10 nm in this order.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１上に厚さ５０ｎｍ〜１μｍ程度のｃ−ＢＰ単結晶層３及び厚さ１〜１０ｎｍ程度のＧａＰ単結晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のｃ−ＧａＮ単結晶膜５が形成されている。 - 特許庁