SiC orとは 意味・読み方・使い方

MANUFACTURE OF SIC/SIC COMPOSITE MATERIAL OF HIGH THERMAL CONDUCTIVITY USING CARBON NANOTUBE OR NANOFIBER例文帳に追加

カーボンナノチューブ又はナノファイバーを用いたＳｉＣ／ＳｉＣ複合材料の高熱伝導化 - 特許庁

A carbon substrate or an amorphous SiC substrate is used for the carbon atom supply substrate 17.例文帳に追加

前記C原子供給基板17として、カーボン基板又は非晶質SiC基板を用いる。 - 特許庁

An n^- type SiC layer 2 or a p^- type SiC layer 4 is insulated separated in an insulation separating layer 3.例文帳に追加

絶縁分離層３にてｎ^-型ＳｉＣ層２やｐ^-型ＳｉＣ層４を絶縁分離する。 - 特許庁

The SiC monocrystalline ingot is sliced into the substrates, both surfaces of the sliced substrate is polished, and then the SiC substrate is subjected to annealing heat treatment at a temperature of 1,300°C or higher and 2,000°C or lower.例文帳に追加

SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板に両面ラップ研磨を施し、得られたSiC単結晶基板に、１３００℃以上２０００℃以下の温度で焼鈍熱処理を施す。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC-containing sheet having suitable strength from a composite sheet comprising silicon and a carbon component required for producing SiC from crutch scrap or the like.例文帳に追加

クラッチ廃材等のSiC生成に必要な珪素と炭素成分を含む複合体シートから、適当な強度を有するSiC含有シートを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

Then, in order to improve composition controllability of an Fe_3Si layer and form an ordered structure layer having a half metal structure, an Fe_3Si magnetic layer is formed on a silicon substrate using a semiconductor substrate formed of SiC or having SiC on a surface.例文帳に追加

この際Fe_3Si層の組成制御性の向上および、ハーフメタル構造を有する規則構造相形成のためにSiCからなる半導体基板を使用あるいは表面にSiCを有するシリコン基板上にFe_3Si磁性相を形成する。 - 特許庁

Before the infiltration, the powder compact is heated to a prescribed holding temperate of the melting point of Si or higher, the surface of the powder compact is converted into SiC, and is further oxidized so as to convert at least the surface side part of the SiC into silicon oxide.例文帳に追加

溶浸前に、上記粉末成形体をSiの融点以上の所定の保持温度に加熱して、当該粉末成形体の表面をSiCに転化した後更に酸化して、SiCの少なくとも表面側部分を珪素酸化物に転化する。 - 特許庁

This inventive SiC-based joining material is characterized in that in an SiC-based joining material containing SiC powder, it contains an SiC-based joining material having an average particle diameter of 5 μm or smaller in a ratio of 15 wt.% or more when the overall SiC powder is 100 wt.%.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ系接合材は、ＳｉＣ粉末を含むＳｉＣ系接合材において、ＳｉＣ粉末全体を１００ｗｔ％としたときに、平均粒径が５μｍ以下のＳｉＣ粉末を１５ｗｔ％以上の割合で含むことを特徴とする。 - 特許庁