| 意味 | 例文 (11件) |
Si膜の英語
追加できません
(登録数上限)
英訳・英語 Si film
「Si膜」を含む例文一覧
該当件数 : 11件
To form a strain Si film on a semiconductor substrate with high producibility efficiency and at a low cost.例文帳に追加
半導体基板上に歪Si膜を生産効率よく低コストで形成すること。 - 特許庁
A Si film 20 is vapor-deposited on the entire surface, sand a SiN film 21 is formed, and Si is diffused by heat treatment to constrict a current.例文帳に追加
Si膜20を全面に蒸着し、SiN膜21を形成し、熱処理でSiを拡散させ電流を狭窄する。 - 特許庁
After the SiN film 21, the mask 19 and the Si film 20 are removed, a SiO2 film 23 is formed on the entire surface, and the SiO2 film 23 is removed only in the upper part of the cylinder.例文帳に追加
SiN膜21、マスク19およびSi膜20を除去した後、SiO_2膜23を全面に形成し、円柱の上部のみSiO_2膜23を除去する。 - 特許庁
This method of forming metal wiring contains a step of cleaning the surface of a silicon substrate 10 that is exposed by a contact hole 12h, a step of forming a Ti-Si film on the structure obtained in the preceding step, and a step of forming a Ti-Si-N film 16 on the Ti-Si film 14.例文帳に追加
本発明は、コンタクトホール12hにより露出されたシリコン基板10の表面を洗浄する段階と、前段階で得られた構造物上にTi-Si膜を形成する段階と、前記Ti-Si膜14上にTi-Si-N膜16を形成する段階とを含んでなる金属配線形成方法である。 - 特許庁
Each dielectric material multi-layered film 310 and 311 is formed by laminating n layers of films consisting of Si films 320 and SiO2 films 321 and third dielectric material thin films 330 and 331 consisting of the Si film and having prescribed thickness are interposed between each dielectric material multi-layered film 310 and 311 and a magnetic body thin film 307, respectively, to form the magnetooptical body 300.例文帳に追加
磁気光学体300は、Si膜320及びSiO_2膜321をn層積層して誘電体多層膜310,311を形成し、誘電体多層膜310,311のそれぞれと磁性体薄膜307との間に、Si膜の所定厚さの第3の誘電体薄膜330,331を介装した。 - 特許庁
To provide a laser annealing method whereby the crystal grain-sizes of a polysilicon film can be made uniform over the whole of a substrate, a thin-film semiconductor device, a manufacturing method thereof, a display, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
poly-Si膜の結晶粒径を基板全体に渡って均一にすることを可能とするレーザアニール方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁
A substrate 18 having an a-Si film on its surface is scan-irradiated with a pulse laser beam shaped in the form of a line, while the beam is being moved in a short axial direction of the line-shaped laser beam, thus forming an irradiation region 19 with two or more energy densities.例文帳に追加
表面にa-Si膜が形成された基板18に、線状に整形されたパルスレーザ光を、線状レーザ光の短軸方向に移動しながらスキャン照射して、複数のエネルギー密度で、照射領域19を形成する。 - 特許庁
-
履歴機能
過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断
診断回数が
増える! -
マイ単語帳
便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳
文章で
単語を理解! -
「Si膜」を含む例文一覧
該当件数 : 11件
Dielectric material multi-layered films 310 and 311 each of which consists of n-layered films of Si films 320 having a refractive index Ms=3.11 and SiO2 films 321 having a refractive index Mt=1.415 are provided on both sides of a magnetic material thin film 307 to form the magnetooptical body 300.例文帳に追加
磁気光学体300は、磁性体薄膜307の両側に屈折率Ms=3.11のSi膜320と屈折率Mt=1.415のSiO_2膜321とのn層の積層膜からなる誘電体多層膜310,311を設けて構成した。 - 特許庁
As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加
金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μm以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁
In a method for manufacturing an Si substrate for forming a MOS transistor, an SiGe film is formed as lattice-matching it to an Si substrate surface, an Si film is formed as lattice-matching it on the SiGe film, Ge ions and hydrogen ions are injected to an area where an NMOS transistor is formed, and heat treatment is performed to reduce distortion of only the SiGe film in the area.例文帳に追加
MOSトランジスタを形成するためのSi基板の製造方法において、SiGe膜をSi基板表面に格子整合させながら形成し、Si膜をSiGe膜上に格子整合させながら形成し、nMOSトランジスタを形成する領域にGeイオンと水素イオンを注入し、熱処理を施して、前記領域のSiGe膜のみの歪みを緩和する。 - 特許庁
As a result, the deposition of a toner which conventionally prevented this by roughening the substrate can be prevented easily and stably.例文帳に追加
10μm×10μmの範囲における表面粗さRaが9nm未満、好ましくは6nm未満の導電性基体上にa-Si膜を成膜形成し、10μm×10μmの範囲における表面粗さ凹凸の最も深い点を基準に凹凸高さの度数分布の半値幅(F.W.H.M.;Full Width at Half Maximum)が70nm〜400nmの範囲、更に好ましくは90nm〜360nmとすることで従来は基体を粗すことによって対策していたトナー付着を容易かつ安定的に防止する。 - 特許庁
| 意味 | 例文 (11件) |
|
|
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
「Si膜」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|