TRIMETHOXYSILANEとは 意味・読み方・使い方

As the siloxane compound, trimethoxysilane having high solubility to a nonpolar solvent, and hexamethyldisiloxane and octamethylcyclotetrasiloxane dissolving even into a polar solvent are preferably adopted.例文帳に追加

シロキサン化合物としては、無極性溶媒への溶解度の高いトリメトキシシランや、極性溶媒にも溶解するヘキサメチルジシロキサンやオクタメチルシクロテトラシロキサンを採用すればよい。 - 特許庁

The zinc powder-containing slurry is obtained by adding an amino group-containing trimethoxysilane to ion exchanged water and mixing with a surfactant and zinc powder and is extremely high in stability.例文帳に追加

イオン交換水にアミノ基含有トリメトキシシランを添加して、これに界面活性剤と亜鉛粉末を混合して得られる亜鉛粉末含有スラリーは、極めて安定性が高い。 - 特許庁

The photosensitive resin composition is prepared by dispersing the reaction product of silica with fluoroalkyl trimethoxysilane and a silane coupling agent in a photosensitive resin varnish.例文帳に追加

シリカと、フルオロアルキルトリメトキシシランおよびシランカップリング剤とを反応させた反応生成物が、感光性樹脂ワニスに分散されてなることを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 特許庁

The surface treatment of the substrate is carried out by forming a Langmuir-Blodgett film with 2-(4-chlorosulfonylphenyl)ethyl trimethoxysilane, etc., to form a polymerization starting group.例文帳に追加

この時、基材の表面処理は、２−（４−クロロスルフォニルフェニル）エチルトリメトキシシラン等にてラングミュアー・ブロジェット膜を形成させ、重合開始基とする。 - 特許庁

As a specific example, acetylene is reacted with trimethoxysilane in the presence of a tetramethyldivinyldisiloxaneplatinum solution in xylene as the catalyst in the xylene liquid phase to produce trimethoxyvinylsilane in high yield.例文帳に追加

具体例として、テトラメチルジビニルジシロキサン白金、キシレン溶液を触媒として、キシレン液相中で、アセチレンとトリメトキシシランとを反応させ、トリメトキシビニルシランを高収率で製造した。 - 特許庁

In the method of forming a film of phosphosilicate glass or borophosphosilicate glass by plasma chemical evaporation, trimethoxysilane is used as a source of silicon.例文帳に追加

プラズマ化学蒸着によるフォスフォシリケートグラスまたはボロフォスフォシリケートグラスの成膜方法において、シリコン源としてトリメトキシシランを用いることを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

An insulation film 17 being a final protection film and the insulation film for the thin film resistor protection is deposited on the entire surface of the semiconductor substrate 1 by a plasma CVD manner using a trimethoxysilane as the base material (C).例文帳に追加

トリメトキシシランを原材料としたプラズマＣＶＤ法により最終保護膜及び薄膜抵抗体保護用の絶縁膜としての絶縁膜１７を半導体基板１上全面に堆積させる（Ｃ）。 - 特許庁

The cylindrical molecular structure 1 is formed by using a compound having a silane group, such as 3-APMS (aminopropyl trimethoxysilane) or the like, in an organic film forming process, and produced by using a substrate made of a material except silicon.例文帳に追加

この筒状分子構造１は、有機膜形成工程において３−ＡＰＭＳ等のシラン基を有する化合物を用いて形成されるもので、シリコン基板以外の基板を用いても作製される。 - 特許庁