X-ray rocking curveとは 意味・読み方・使い方

The cap layer 16 is of a polycrystalline structure in which a half width of an X-ray diffraction rocking curve on a (004) plane is within an angle range of 4,000-12,000 seconds.例文帳に追加

キャップ層１６は、（００４）面におけるＸ線回折ロッキングカーブの半値幅が４０００秒〜１２０００秒の角度範囲内に含まれる多結晶構造とする。 - 特許庁

The half-value width of the X-ray rocking curve of the first AlGaN layer 13 on the (0002) plane and the (10-12) plane is less than 1000 [arcsec].例文帳に追加

第１のＡｌＧａＮ層１３の（０００２）面及び（１０−１２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅は、１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満である。 - 特許庁

The piezoelectric layer 5B in the peripheral area has a rocking curve half-value width of X-ray diffraction, which is less than or equal to two degrees, and a surface roughness indicated by RMS fluctuations of the top surface height of the base, which is less than or equal to 2 nm.例文帳に追加

周辺領域の圧電体層５Ｂは、Ｘ線回折のロッキングカーブ半値幅が２．０度以下で、下地の上面の高さのＲＭＳ変動で表される表面粗さが２ｎｍ以下である。 - 特許庁

A group III nitride base layer including at least aluminum and having a dislocation density of 1×10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともＡｌを含み、転位密度が１×１０^11／ｃｍ^2以下であり、（００２）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であるIII族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁

When a theoretical diffraction X-ray intensity distribution is calculated based on a diffraction surface normal distribution function P by using overlapped orientation density distribution functions to which periodicity is given as the diffraction surface normal distribution function P(ϕ), its rocking curve reflects excellently an actual diffraction phenomenon.例文帳に追加

回折面法線分布関数Ｐ（φ）として，配向密度分布関数を周期化し，かつ，重ね合わせたものを用いることにより，この回折面法線密度分布関数Ｐに基づいて理論的な回折Ｘ線強度分布を計算すると，そのロッキングカーブは，現実の回折現象を良く反映したものになる。 - 特許庁

The degree is analyzed by simultaneous use of the rocking curve method by XRD and a fluorescent X-ray fundamental parameter method.例文帳に追加

ＸＲＤによるロッキングカーブと蛍光Ｘ線ファンダメンタル・パラメータ法の併用により、結晶性の基板または層上に製膜された、格子定数のミスマッチによる結晶歪みを有する組成比未知の結晶性固溶体薄膜の結晶歪み度合いを分析する。 - 特許庁

This nitride semiconductor self-supporting substrate has a mirror-finished surface of the substrate, and the half-value width of the nitride semiconductor crystal (0002) plane from the result obtained by X-ray rocking curve measurement for the nitride semiconductor self-supporting substrate is 15 sec or more but less than 30 sec.例文帳に追加

本発明に係る窒化物半導体自立基板は、該基板の表面が鏡面であり、前記窒化物半導体自立基板に対するＸ線ロッキングカーブ測定により得られる結果で窒化物半導体結晶の(０００２)面の半値幅が15 sec以上30 sec未満であることを特徴とする。 - 特許庁

The skirt portion 13 which is the sliding surface of a piston 10 is coated with a highly oriented specific graphite 15 (exhibiting a remarkable low frictional property) in which the full width at half maximum is equal to or less than 7° in the rocking curve at a (002) diffraction position of graphite-2H by X-ray diffraction measurement.例文帳に追加

ピストン１０の摺動面であるスカート部１３が、Ｘ線回折測定によるグラファイト−２Ｈ ００２回折位置でのロッキングカーブにおける半値幅が７°以下の高配向性の特定グラファイト（著しい低摩擦特性を示す）１５で被覆されている。 - 特許庁