Z=Sの英語

A sheath image detecting means 53 detects a sheath image and the depth position Z_S of the sheath image from each tomography information r(z).例文帳に追加

シース像検出手段５３において、各断層情報ｒ（ｚ）からそれぞれシース像およびシース像の深さ位置ｚ_ｓが検出される。 - 特許庁

In conclusion, interpolation earthquake motion parameters Z(S_0) at an arbitrary location S_0 are computed by a weighted mean of the predicted specific location earthquake parameters Z(S_i) in a kriging process S5.例文帳に追加

最後に、クリギング工程Ｓ５として、任意地点Ｓ_0での補間地震動パラメタＺ(Ｓ_0)をｎ個の予測特定地点Ｓ_iにおける予測特定地点地震動パラメタＺ(Ｓ_i)の加重平均で算出する。 - 特許庁

The coordinates position of the operating point Z_p(9) reaches an available best quasi-matching point Z_B extremely close to the origin O (the matching point Z_S), and the movement of the operating point Z_p is stopped at this position.例文帳に追加

動作点Ｚ_p(9)の座標位置は原点Ｏ（整合点Ｚ_S）に非常に近い実現可能なベストの擬似的整合点Ｚ_Bであり、この位置で動作点Ｚ_pの移動を止める。 - 特許庁

When representing the Seebeck coefficient as S, an electric resistivity as ρ, a thermal conductivity as κ, Z as Z=S^2/(ρκ), and the absolute temperature as T; it is preferable that the relation of ZT>1 is satisfied at a temperature not lower than 500°C.例文帳に追加

ゼーベック係数をＳとし、電気抵抗率をρとし、熱伝導率をκとし、Ｚ＝Ｓ^2／（ρκ）とし、絶対温度をＴとするとき、５００℃以上でＺＴ＞１を満たすことが好ましい。 - 特許庁

The stability of the system is determined from the locus of a vector of a ratio Z_s/Z_l in a nyquist diagram, defining that, for example, complex impedance on a power source side is Zs and complex impedance on a system side is Z_l.例文帳に追加

系統の安定度は、例えば、電源側の複素インピーダンスをＺ_s、系統側の複素インピーダンスをＺ_lとして、ナイキスト線図における比Ｚ_s／Ｚ_lのベクトル軌跡から判定する。 - 特許庁

The working component for magnetic heat exchange comprises magnetocalorically active phase comprising La_1-aR_a(Fe_1-x-yT_yM_x)_13H_z, a hydrogen content z, having ≥90% of hydrogen saturation value z_s, and values of (a), x and y selected to give a Curie temperature T_c.例文帳に追加

磁気熱交換のための作動コンポーネントは，Ｌａ_１−ａＲ_ａ（Ｆｅ_１−ｘ−ｙＴ_ｙＭ_ｘ）_１３Ｈ_ｚ，水素飽和値ｚ_ｓａｔの９０％以上の水素含有量ｚ，及び，キュリー温度Ｔ_ｃを提供するために選択されるａ，ｘとｙの値から成る磁気熱量活性相を含む。 - 特許庁

In the automatic learning for the matching point correction, a dummy semiconductor wafer which is not an actual processing object is transported into a chamber and plasma processing is carried out under the same condition as the actual process and automatic matching is made to perform to a matching unit under a reference impedance Z_s, and the measured value of reflected wave power obtained by the reflected wave measuring circuit is fetched and stored in a memory.例文帳に追加

この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスＺ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。 - 特許庁