Fowlerとは 意味・読み方・使い方

A cell is programmed by hot channel electron injection and erased by Fowler Nordheim tunneling of electrons from the floating gate to the gate electrode.例文帳に追加

セルはホット・チャンネル電子注入でプログラムされ、浮遊ゲートからゲート電極への電子ファウラー・ノルデハイム・トンネリングで消去される。 - 特許庁

A cell is programmed by hot channel electron injection and erased by Fowler Nordheim tunneling of electrons from the floating gate to the gate electrode.例文帳に追加

セルはホット・チャンネル電子注入によりプログラムされ、浮遊ゲートからゲート電極への電子のファウラー・ノルデハイム・トンネリングにより消去される。 - 特許庁

The method of operating the flash memory device is one that devices are selectively programmed by using a channel hot electron injection and devices are erased by Fowler-Nordheim tunneling and hot hole injection.例文帳に追加

チャンネルホット電子注入を利用して素子を選択的にプログラムし、ファウラー・ノルドハイム・トンネリング及びホットホールの注入によって素子をイレースする動作方法である。 - 特許庁

To provide a single transistor electrically erasable programmable memory device capable of being programmed and erased using Fowler-Nordheim tunneling and capable of being operated using low voltages.例文帳に追加

ファウラーノルドハイムトンネリングを用いてプログラミング及び消去でき、更に、低電圧を用いて作動可能な、電気的に消去及びプログラム可能な単一トランジスタのメモリデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, having a memory cell of Fowler-Nordheim (FN) current write erase which enables rapid read in which is effective for an EEPROM mixed loading device.例文帳に追加

本発明は、ＥＥＰＲＯＭ混載デバイスに有効である高速読み出し可能なファウラー−ノルドハイム（ＦＮ）電流書き込み消去のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The cot bed for the ambulance also has some accessories such as an accessory hook which is placed on the lower side of a fowler and a foldable porch accessory which is fixed on the contractible head part and a stretcher frame 17.例文帳に追加

救急車用簡易ベッドはまた、ファウラの下側に取り付けられたアクセサリフック、及び収縮可能な頭部分と担架フレーム１７とに固定された折り畳み可能なポーチアクセサリといった、幾つかのアクセサリを有する。 - 特許庁

In one of programming and erasing, electrons are injected into the charge trapping film 22 from the second gate electrode CG through the tunnel insulating film 23 by FN (Fowler-Nordheim) tunneling method.例文帳に追加

プログラムあるいは消去において、ＦＮトンネル方式により、第２ゲート電極ＣＧから電荷トラップ膜２２へトンネル絶縁膜２３を通して電子が注入される - 特許庁

Hereupon, the flow of the electrons in the film of the barrier insulation layer 6 is subjected to a Fowler-Nordheim(F-N) tunnel-current mechanism or a direct tunnel-current mechanism.例文帳に追加

ここで、バリア絶縁層６の膜中の電子の流れは、Ｆｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ（Ｆ−Ｎ）トンネル電流あるいは直接トンネル電流機構となる。 - 特許庁