Zinc phosphideとは 意味・読み方・使い方

ZINC SOLID PHASE DIFFUSION METHOD OF INDIUM PHOSPHIDE (InP) SYSTEM LIGHT RECEIVING ELEMENT AND INDIUM PHOSPHIDE SYSTEM LIGHT RECEIVING ELEMENT例文帳に追加

ＩｎＰ系受光素子の亜鉛固相拡散方法とＩｎＰ系受光素子 - 特許庁

Zinc sulfide, gallium nitride, gallium phosphide or indium phosphide is employed as the matrix, and terbium, europium, etc., are used as the activator.例文帳に追加

発光母体として硫化亜鉛又は、窒化ガリウム又は、燐化ガリウム又は、燐化インジウム、付活剤としてテルビウム、ユーロピウム等を使用する。 - 特許庁

The mixture of zinc sulfide powder and indium phosphide powder is put in a graphite-made vessel and heated at 1,250±50°C for 50±20 minutes while making an inert gas flow in the graphite-made vessel to produce the zinc phosphide nanoribbon having the branch-shaped part of the zinc sulfide nanowire.例文帳に追加

硫化亜鉛粉末とリン化インジウム粉末の混合物をグラファイト製容器に入れ、不活性ガスを流しながら、1250±50℃に50±20分間加熱して、硫化亜鉛ナノワイヤーの枝状部を有するリン化亜鉛ナノリボンを製造する。 - 特許庁

To provide a heteronanowire structure the application of which in an optoelectronics field is anticipated and which has a zinc sulfide nanowire in a branch-shaped part and a zinc phosphide nanoribbon in a trunk part, and to provide a method for producing the heteronanowire structure.例文帳に追加

オプトエレクトロニクス分野に応用が期待される枝状部に硫化亜鉛ナノワイヤーを有し、幹部がリン化亜鉛ナノリボンからなるヘテロナノ構造物とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a step to provide a projecting closed tube 3 for braking the sealing state of a tube 1, a step to arrange a wall member 5 that blocks oxide running together with flowing-in outside air during braking, between the projecting closed tube 3 and a wafer 11, and a step to provide red phosphorus 22 and zinc phosphide 22 in the tube.例文帳に追加

管１の封入状態をブレークするための突出閉管３を設ける工程と、突出閉管３とウエハ１１との間に、ブレーク時に、酸化物がその流入外気とともに流動してくるのを受ける壁状部材５を配置する工程と、管内に赤燐２２および燐化亜鉛２２を配置する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁