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alsiとは 意味・読み方・使い方
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「alsi」を含む例文一覧
該当件数 : 8件
To provide a method of manufacturing a combined body of SiC having no SiO_2 present in the surface and AlSi alloy.例文帳に追加
表面にSiO_2が存在しないSiCとAlSi合金の複合体の製造方法を提供すること。 - 特許庁
An n-layer 6 is formed on the surface of a third region R3, and further, the AlSi layer 14c serving as a step 20 is formed at a distance from an AlSi layer 14b located at the outermost periphery.例文帳に追加
第3領域R3の表面にはn層6が形成され、さらに、最外周に位置するAlSi層14bから距離を隔てて、段差部20となるAlSi層14cが形成されている。 - 特許庁
To provide a process for producing an SnZnAlSi solder by adding an AlSi mother alloy satisfying predetermined requirements into molten ZnSn.例文帳に追加
ZnSn溶湯中に所定条件のAlSi母合金を添加して、SnZnAlSiはんだを製造する方法を提供する。 - 特許庁
After treating the wafer 102, an electrode 108 is formed to a thickness of 0.1-1 μm on the wafer 102 by vapor-depositing Al, AlSi, or poly-Si.例文帳に追加
処理後のSiCウェハ102上に、Al、AlSiまたはポリSiを蒸着して、電極108を層厚0.1〜1μm形成する。 - 特許庁
An AlSi layer 14c and a semi-insulating silicon nitride film 17 are formed in the second region R2, and further, an overcoat film 18 is formed.例文帳に追加
第2領域R2には、AlSi層14cと半絶縁性シリコン窒化膜17が形成され、さらに、オーバーコート膜18が形成されている。 - 特許庁
Moreover, an n-electrode 8 where an AlSi alloy film 6 and a Zn film 7 are stacked in order is made in close contact on the n-GaN layer 2, making ohmic contact.例文帳に追加
また、n−GaN層2上に、AlSi合金膜6およびZn膜7が順に積層されてなるn電極8が密着して形成されオーミック接触している。 - 特許庁
Further, the semiconductor device includes a back electrode 7 having a laminate structure including AlSi electrodes 7a which are formed apart from one another in stripes on the P-type collector layer 4 and are made of Al alloy of Al and Si.例文帳に追加
そして、P型コレクタ層4上にストライプ状に互いに離間して形成された、AlとSiとのAl合金からなるAlSi電極7aを含む積層構造の裏面電極7を備える。 - 特許庁
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「alsi」を含む例文一覧
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Further, a source electrode 63 includes: a tungsten layer 61 for a source packaged in a source trench 20; and an AlSi layer 62 contacting the tungsten layer 61 for the source and covering a source layer 14 and the gate electrode 53 via a thick film insulating film 17.例文帳に追加
またソース電極63を、ソーストレンチ20内に充填されるソース用タングステン層61と、ソース用タングステン層61に接し、厚膜絶縁膜17を介してソース層14およびゲート電極53を覆うAlSi層62とで構成する。 - 特許庁
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