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base nとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 ベイスン


ライフサイエンス辞書での「base n」の意味

Basen

同義語(異表記)
Basen
Benjix
Vogseal
ベイグレース
ベイスロース
ベグリラート
ベスタミオン
ベルデリール
ベンジックス
ボグシール
ボグリース
ボグリダーゼ

「base n」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 1194



例文

a base n number発音を聞く 例文帳に追加

nを底とする数 - コンピューター用語辞典

Otherwise, numbers take the form [base#]n, where base is a decimal number between 2 and 64 representing the arithmetic base, and n is a number in that base.発音を聞く 例文帳に追加

ここで base は 2 から 64 の間の10 進数であり、算術的な意味での基数を表します。 - JM

A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加

N^+ドレイン層21上に第2のNベース層3及び第1のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁

If base# is omitted, then base 10 is used.発音を聞く 例文帳に追加

n はその基数における数を表します。 - JM

ARITHMETIC OPERATING METHOD BY 2^N BASE USING N BIT OPERATION TABLE例文帳に追加

nビット演算表を用いた、2^n進法による演算処理方法 - 特許庁

As a result, the base electrode and the n-type emitter layer are formed away from the base electrode and the n-type emitter layer, and the base electrode and the n-type emitter layer do not come in contact with each other.例文帳に追加

その結果、ベース電極とn型エミッタ層とは離れて形成され、ベース電極とn型エミッタ層との接触は起こらない。 - 特許庁

例文

Thereby, the n-type low concentration base layer 14 and the n-type extremely low concentration base layer 15 are formed.例文帳に追加

これにより、n型低濃度ベース層14およびn型極低濃度ベース層15が形成される。 - 特許庁

>>例文の一覧を見る


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日英固有名詞辞典での「base n」の意味

Basen

日本人名前


「base n」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 1194



例文

When the differential value becomes larger than a concentration high threshold value, a concentration high signal is generated, a flap 34 is closed, and then the base value B(n) is calculated by an expression (4): B(n)=B(n-1)+k3[S(n)-B(n-1)]-k4[S(n)-S(n-5)].例文帳に追加

差分値が濃度高しきい値よりも大きくなると、濃度高信号を発生し、フラップ34を閉じ、以降、ベース値B(n)を式(4):B(n)=B(n-1)+k3[S(n)−B(n-1)]−k4[S(n)−S(n-5)]によって算出する。 - 特許庁

The soft recovery diode includes an n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 13 formed on the n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 14 formed on the n^- type base layer 13, and an n^+ type anode layer 15 formed on the n^- type base layer 14.例文帳に追加

n^+型半導体基板12と、上記n^+型半導体基板12上に形成されたn^−型ベース層13と、上記n^−型ベース層13上に形成されたn^−型ベース層14と、上記n^−型ベース層14上に形成されたp^+型アノード層15とを備える。 - 特許庁

The base station 10 is provided with N base station transmission/reception antennas 20.例文帳に追加

基地局10にN個の基地局送受信アンテナ20を設ける。 - 特許庁

AMINE N-OXIDE BASE SURFACTANT例文帳に追加

アミンN−オキシド系界面活性剤 - 特許庁

The urine receptacle N is provided with a deformable base member 1.例文帳に追加

受尿具Nは変形可能な基部材1を備えている。 - 特許庁

METHOD FOR REGENERATING Sm-Fe-N BASE ALLOY POWDER例文帳に追加

Sm−Fe−N系合金粉末の再生方法 - 特許庁

Subsequently, the base 2 and the Al-N film are boiled in water.例文帳に追加

次に、基体2及びAl−N膜を水中で煮沸する。 - 特許庁

例文

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層5とN^+コンタクト層10との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層3、Nリサーフ層2A、及びN^−リサーフ層4が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

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