「base n」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As a result, the base electrode and the n-type emitter layer are formed away from the base electrode and the n-type emitter layer, and the base electrode and the n-type emitter layer do not come in contact with each other.例文帳に追加

その結果、ベース電極とｎ型エミッタ層とは離れて形成され、ベース電極とｎ型エミッタ層との接触は起こらない。 - 特許庁

Thereby, the n-type low concentration base layer 14 and the n-type extremely low concentration base layer 15 are formed.例文帳に追加

これにより、ｎ型低濃度ベース層１４およびｎ型極低濃度ベース層１５が形成される。 - 特許庁

When the differential value becomes larger than a concentration high threshold value, a concentration high signal is generated, a flap 34 is closed, and then the base value B(n) is calculated by an expression (4): B(n)=B(n-1)+k3[S(n)-B(n-1)]-k4[S(n)-S(n-5)].例文帳に追加

差分値が濃度高しきい値よりも大きくなると、濃度高信号を発生し、フラップ３４を閉じ、以降、ベース値B(n)を式(4)：B(n)＝B(n-1)＋k3[S(n)−B(n-1)]−k4[S(n)−S(n-5)]によって算出する。 - 特許庁

The soft recovery diode includes an n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 13 formed on the n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 14 formed on the n^- type base layer 13, and an n^+ type anode layer 15 formed on the n^- type base layer 14.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体基板１２と、上記ｎ^＋型半導体基板１２上に形成されたｎ^−型ベース層１３と、上記ｎ^−型ベース層１３上に形成されたｎ^−型ベース層１４と、上記ｎ^−型ベース層１４上に形成されたｐ^＋型アノード層１５とを備える。 - 特許庁

The base station 10 is provided with N base station transmission/reception antennas 20.例文帳に追加

基地局１０にＮ個の基地局送受信アンテナ２０を設ける。 - 特許庁

AMINE N-OXIDE BASE SURFACTANT例文帳に追加

アミンＮ−オキシド系界面活性剤 - 特許庁

The urine receptacle N is provided with a deformable base member 1.例文帳に追加

受尿具Ｎは変形可能な基部材１を備えている。 - 特許庁

METHOD FOR REGENERATING Sm-Fe-N BASE ALLOY POWDER例文帳に追加

Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系合金粉末の再生方法 - 特許庁

Subsequently, the base 2 and the Al-N film are boiled in water.例文帳に追加

次に、基体２及びＡｌ−Ｎ膜を水中で煮沸する。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

NEW N, N, P-TRIDENTATE SCHIFF BASE LIGAND COMPOUND AND ASYMMETRIC SYNTHESIS USING THE COMPOUND例文帳に追加

新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物および該化合物を用いた不斉合成 - 特許庁

It has a base electrode 8 formed in a region between the n^- region 2a and the n^- region 2b.例文帳に追加

ｎ^-領域２ａとｎ^-領域２ｂとに挟まれる領域に形成されたベース電極８を備える。 - 特許庁

In the general formula (1), n denotes an integer of 1 to 24 and B denotes a base.例文帳に追加

ＨＳ−（ＣＨ_2）n−ＣＯ_2^-・Ｂ^+ （１）（式中、ｎは１〜２４の整数を表し、Ｂは塩基を表す。） - 特許庁

The N data streams may be received from a plurality of base stations, or a plurality of UEs.例文帳に追加

Nのデータストリームは、複数の基地局又は複数のUEから受信されてもよい。 - 特許庁

A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell.例文帳に追加

IGFETの半導体基体は、N^+型の第１のドレイン領域３４とN^-型の第２のドレイン領域３５とP型の第１のボデイ領域３６とP^-型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN^+型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ３１を有する。 - 特許庁

The medical material contains a polymer brush in which a monomer composition containing N-methacryloyloxyethyl-N, N-dimethylammonium-α-N-methylcarboxybetaine expressed by formula (I) is overlapped one on another into a brush shape on a base member surface, and the medical instrument uses the medical material.例文帳に追加

式(I):で表されるN-メタクリロイルオキシエチル-N,N-ジメチルアンモニウム-α-N-メチルカルボキシベタインを含有するモノマー組成物を、基材表面でブラシ状に重合させてなるポリマーブラシを含有してなる医療用材料、及び該医療用材料を用いてなる医療用器具。 - 特許庁

A semiconductor device 100 is formed by laminating an n^--drain layer 101, an n^+-buffer layer 102, and an n^--base layer 103.例文帳に追加

半導体装置１００は、Ｎ^−型ドレイン層１０１、Ｎ^＋型バッファ層１０２及びＮ^−型ベース層１０３を積層するように形成している。 - 特許庁

The semiconductor element has an n^- region 101, n type source region 103, p type base region 105, n^+ region 107, and gate electrode 113.例文帳に追加

半導体素子は、ｎ^-領域１０１、ｎ型ソース領域１０３、ｐ型ベース領域１０５、ｎ^+領域１０７およびゲート電極１１３を含む。 - 特許庁

An n-type buffer layer 2, an n^--type drift layer 3, and a p-type base layer 5 are laminated on an n^+-type 4H-SiC substrate 1 in this order.例文帳に追加

ｎ^+型４Ｈ−ＳｉＣ基板１の上に、ｎ型バッファー層２と、ｎ^-型ドリフト層３と、ｐ型ベース層５とが、この順に積層されている。 - 特許庁

The n-type base region 10 is formed of the n^--type first region 10a and the n-type second region 10b whose impurity concentration is higher than the first region 10a.例文帳に追加

Ｎ型ベース領域１０はＮ^-型の第１の領域１０ａとこれよりも不純物濃度の高いＮ型の第２の領域１０ｂとから成る。 - 特許庁

An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.例文帳に追加

本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

Further, during an initial period after starting, the previous base value B(n-1) is corrected according to the formula: B(n-1)=B(n-1)+L(Na) and the base value B(n) is subsequently calculated and, further, a difference value D(n)=S(n)-B(n) is calculated.例文帳に追加

また、起動後の初期期間には、前回ベース値Ｂ（ｎ−１）をＢ（ｎ−１）＝Ｂ（ｎ−１）＋Ｌ（Ｎａ）の式で補正してから、上記のベース値Ｂ（ｎ）を求め、さらに、差分値Ｄ（ｎ）＝Ｓ（ｎ）−Ｂ（ｎ）を算出する。 - 特許庁

At the time of forming an n--type drift area 1c and a p-type base region 2 and an n+-type source region 3, an n--type well layer 11 and a p-type base region 12 and an n+-type region 13 are also formed at the time same.例文帳に追加

ｎ^-型ドリフト領域１ｃ、ｐ型ベース領域２、及びｎ^+型ソース領域３の形成時に、ｎ^-型ウェル層１１、ｐ型ベース領域１２、及びｎ^+型領域１３も同時に形成する。 - 特許庁

A p-type base layer is selectively formed on an n-type active layer, and an n-type source layer is positioned on the p-type base layer.例文帳に追加

ｎ型活性層上に選択的にｐ型ベース層が形成され、そのｐ型ベース層上にｎ型ソース層が位置する。 - 特許庁

An n-type barrier layer 12 having a depth of 10 μm or more is provided between an n-type base layer 10 and a p-type base layer 22.例文帳に追加

ｎ型ベース層１０とｐ型ベース層２２との間に、１０μｍ以上の深さを有するｎ型バリア層１２を挿設する。 - 特許庁

In this cipher communication system consisting of a base station and plural (n) terminals, the base station generates and holds n pieces of mutually different cryptographic keys.例文帳に追加

基地局と複数(ｎ)台の端末機からなる暗号通信システムにおいて、基地局は、相異なるｎ個の暗号鍵を生成し保持する。 - 特許庁

Carrier lifetime of the n^- type base layer 13 is made longer than that of the n^- type base layer 14.例文帳に追加

上記ｎ^−型ベース層１４のキャリア寿命よりもｎ^−型ベース層１３のキャリア寿命を長くする。 - 特許庁

This gate turnoff thyristor includes: an n-type first emitter layer; a p-type first base layer; an n-type second base layer; and a p-type second emitter layer in this order.例文帳に追加

ｎ型の第１のエミッタ層、ｐ型の第１のベース層、ｎ型の第２のベース層、ｐ型の第２のエミッタ層をこの順に備える。 - 特許庁

Nitrogen ions N+ are implanted into the surface layer part of a p type base region 3.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の表層部に窒素（Ｎ^+ ）をイオン注入する。 - 特許庁

An n-type emitter region 4 is formed in the base region 3.例文帳に追加

そのベース領域３内にｎ形のエミッタ領域４が形成されている。 - 特許庁

An emitter E of the n-type semiconductor is jointed to the base B.例文帳に追加

ｎ型半導体からなるエミッタＥは、ベースＢに接合されている。 - 特許庁

A base band control unit 4 has two or more CH cards #1-#N.例文帳に追加

ベースバンド制御部４は、複数のＣＨカード＃１〜＃Ｎを備えている。 - 特許庁

A light emission structure containing Ga and N is arranged on the base film.例文帳に追加

下地膜の上に、Ｇａ及びＮを含む発光構造が配置されている。 - 特許庁

A p base layer 5 is arranged on a surface of an n^- drift layer 1.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト層１の表面にはｐベース層５が備えられている。 - 特許庁

To provide a base material for optical measurement of an excellent detection S/N ratio.例文帳に追加

検出時のＳ／Ｎ比が良好な光学測定用基材を提供する。 - 特許庁

An n+ base layer 15 has a line pattern extending in the X direction.例文帳に追加

ｎ^＋ベース層１５をＸ方向に延びるラインパターンとする。 - 特許庁

The inner bond strength of a base paper is made to be 280-435 N×m/m^2.例文帳に追加

基紙の内部結合強度を２８０〜４３５Ｎ・ｍ／ｍ^２とする。 - 特許庁

A base station is mounted in a vehicle and includes N pieces of the antenna coils.例文帳に追加

ベースステーションは、Ｎ個のアンテナコイルを含み、車載される。 - 特許庁

An N^+ type source layer 19 is formed on the base layer 18.例文帳に追加

Ｎ^＋型のソース層１９がベース層１８の上部に形成されている。 - 特許庁

The photodiode PDn is arranged on a first base board 100.例文帳に追加

第１基板１００上にはフォトダイオードＰＤ_nが配列されている。 - 特許庁

Other base stations 2, ..., N are installed on the basis of a radius of each cell.例文帳に追加

他の基地局２、・・・、Ｎはセル半径を基準に設置される。 - 特許庁

To prevent short-circuiting between base emitters due to contact of the base electrode and an n-type emitter layer.例文帳に追加

ベース電極とｎ型エミッタ層との接触によるベース・エミッタ間の短絡を防止すること。 - 特許庁

WIRELESS BASE STATION DEVICE AND N+1 REDUNDANT METHOD FOR WIRELESS MEANS IN THE WIRELESS BASE STATION DEVICE例文帳に追加

無線基地局装置及び無線基地局装置における無線手段のＮ＋１冗長方法 - 特許庁

A p-type base layer 3 is formed over the surface of the n-type base layer l.例文帳に追加

ｎ型ベース層１の表面内にはｐ型ベース層３が形成される。 - 特許庁

An IP address and a base station multi-cast address are assigned to each base station (#1-#N).例文帳に追加

各基地局（＃１〜＃Ｎ）にＩＰアドレスおよび基地局マルチキャストアドレスが割り当てられる。 - 特許庁