「base n」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Radio reception units 1-2-1 to 1-2-N convert respective radio signals 1 to N, received by N units of receiving antennas 1-1-1 to 1-1-N to N units of base band signals 1 to N by frequency conversion.例文帳に追加

無線受信部１−２−１〜１−２−Ｎは、Ｎ個の受信アンテナ１−１−１〜１−１−Ｎで受信した無線信号＃１〜＃Ｎの各々を、周波数変換により、Ｎ個のベースバンド信号＃１〜＃Ｎへ変換する。 - 特許庁

An n^+ source area 11, an n^+ drain area 12, and an n^- offset drain area 16 in contact with the n^+ drain area 12 are formed on the surface layer of a p base area 2.例文帳に追加

ｐベース領域２の表面層にｎ^+ ソース領域１１とｎ^+ ドレイン領域１２とｎ^+ ドレイン領域１２と接するｎ^- オフセットドレイン領域１６を形成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 140 includes an n-contact layer laminated on the base layer 130, and an n-clad layer having a superlattice structure and arranged between the n-contact layer and the luminescent layer 150.例文帳に追加

ｎ型半導体層１４０は、下地層１３０に積層されるｎコンタクト層と、超格子構造を有し、ｎコンタクト層と発光層１５０との間に設けられるｎクラッド層とを備える。 - 特許庁

If the n-type semiconductor substrate is defined as an emitter, the p-type impurity region is defined as a base and the n-type impurity region is defined as a collector, a DC current amplification factor hFE can be made into 100 or more.例文帳に追加

N型半導体基板；エミッタ、P型不純物領域；ベース、N型不純物領域；コレクタとする場合直流電流増幅率ｈFEを100以上とすることが可能となる。 - 特許庁

A high-concentration (n) type buffer layer 12, an (n) type intermediate layer 13, a low-concentration (n) type base layer 14, a (p) type well layer 15, and a high-concentration (n) type emitter layer 16, are sequentially formed on a (p) type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１上に、高濃度ｎ型バッファ層１２、ｎ型中間層１３、低濃度ｎ型ベース層１４、ｐ型ウェル層１５、高濃度ｎ型エミッタ層１６を順次形成する。 - 特許庁

The p-type base layer monotonously decreases in impurity density from an upper-end part 4B of the p-type base layer toward the n-type base layer.例文帳に追加

ｐ形ベース層の不純物濃度は、ｐ形ベース層の上端部４Ｂからｎ形ベース層に向かって単調減少する。 - 特許庁

The base corner parts of the groove parts are covered by the p-base regions 4, and the centers of the base parts of the groove parts are brought into contact with the n-type semiconductor region 3.例文帳に追加

溝部の底部コーナー部はｐベース領域４に覆われており、溝部の底部の中央部はｎ型の半導体領域３に接している。 - 特許庁

This semiconductor device 1 includes: an n- type base region 14 formed on a semiconductor substrate 10; and an n+ type buffer region 13 formed on the undersurface of the n- type base region 14.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０に設けられたｎ−型ベース領域１４と、ｎ−型ベース領域１４の下面に設けられたｎ＋型バッファ領域１３とを有する。 - 特許庁

An n-type hole barrier layer NHB in concentration higher than impurity concentration of n^--type base layer NB is provided between the n^--type base layer NB and a p-type channel forming layer PCH.例文帳に追加

そして、ｎ^−型ベース層ＮＢとｐ型チャネル形成層ＰＣＨの間に、ｎ^−型ベース層ＮＢの不純物濃度よりも高濃度のｎ型ホールバリア層ＮＨＢを設ける。 - 特許庁

An n+ type cathode layer 32, p- type first base layer 22, n- type base layer 18, n+ type buffer layer 16, and p+ type anode layer 14 constitute an IGBT.例文帳に追加

ｎ^+型カソード層３２、ｐ^-型第１ベース層２２、ｎ^-型ベース層１８、ｎ^+型バッファ層１６、ｐ^+型アノード層１４によりＩＧＢＴが構成されている。 - 特許庁

In this cathode film 24, a portion contacting the n^-SiC substrate 29 is formed as a high-density n^+ buffer area 25, a p-base area 27 is formed next to this buffer area and an n+ source area 26 is formed to this base area.例文帳に追加

このカソード膜２４において、ｎ^-ＳｉＣ基板２９と接触する部分が高濃度のｎ^+バッファ領域２５となり、その隣にｐベース領域２７を形成し、さらにその隣にｎ^+ソース領域２６を形成する。 - 特許庁

On this cathode film 24, a portion in contact with the n^--single crystal silicon substrate 29 is formed as a high-density n^+ buffer region 25, a p-base region 27 is formed next to this buffer region and an n^+ source region 26 is further formed next to this base region.例文帳に追加

このカソード膜２４において、ｎ^-単結晶シリコン基板２９と接触する部分が高濃度のｎ^+バッファ領域２５となり、その隣にｐベース領域２７を形成し、さらにその隣にｎ^+ソース領域２６を形成する。 - 特許庁

In the active layer 3 between the N-type buffer region 4 and the P-type base region 6, the N-type base region 12 is provided, and a gate electrode 9 is provided through a gate insulating film 14 extending from the surface of the N-type base region 12 onto the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

Ｎ型バッファ領域４とＰ型ベース領域６との間の活性層３には、Ｎ型ベース領域１２が設けられ、Ｎ型ベース領域１２の表面上からＰ型ベース領域６の表面上に延在するゲート絶縁膜１４を介してゲート電極９が設けられる。 - 特許庁

A stripe base layer arranged alternately and repeatedly with an n-type base layer 21 and a p-type base layer 22 is formed on one surface of an n-type buffer layer 1 and a p-type well layer 3, an n-type emitter layer 4, an emitter electrode 10 and an insulating gate electrode 6 are formed on the base layer.例文帳に追加

ｎ型バッファ層１の一方の表面上にｎ型ベース層２１とｐ型ベース層２２が交互に繰返し配列されたストライプ状のベース層を形成し、このベース層状にｐ型ウェル層３、ｎ型エミッタ層４、エミッタ電極１０及び絶縁ゲート電極６を形成する。 - 特許庁

Syntax: pcbit=membase1,irq1[,membase2,irq2] where membaseN is the shared memory base of the N'th card, and irqN is the interrupt setting of the N'th card. 例文帳に追加

構文は以下の通り。 pcbit=membase1,irq1[,membase2,irq2]membaseN は N 番目のカードの共有メモリのベースアドレスであり、irqN は N 番目のカードの割り込み設定である。 - JM

If "n" or "Xaa" or a modified base or modified/unusual L-amino acid is used in the sequence, the following data elements are mandatory: 例文帳に追加

｢n｣若しくは「Xaa」又は修飾塩基若しくは修飾／異常L-アミノ酸が配列中に使用されるときは，次のデータ要素が強制的である。 - 特許庁

This coating releasant contains an N,N'-dialkyl cyclic urea compound, acetylene glycols, and an organic base as essential components.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ’−ジアルキル環状尿素化合物、アセチレングリコール類及び有機塩基を必須成分として含有することを特徴とする塗料剥離剤。 - 特許庁

For example, phosphorus oxychloride or the like is cited as the chlorinating agent and N,N-di(lower alkyl)aniline or the like is cited as the base.例文帳に追加

塩素化剤としては、例えばオキシ塩化リン等が挙げられ、塩基としては、例えばＮ，Ｎ−ジ（低級アルキル）アニリン等が挙げられる。 - 特許庁

A wireless base station 2 has an array antenna comprising n antenna elements (n is an integer of 2 or more).例文帳に追加

無線基地局２は、ｎ個（ｎは２以上の整数）のアンテナ素子によって構成されるアレイアンテナを有する。 - 特許庁

Extraction means 1-3 extracts M_i units of signal combinations for respective M_1, M_2, ..., M_K from among N units of base band signals 1 to N.例文帳に追加

抽出手段１−３は、Ｎ個のベースバンド信号＃１〜＃Ｎの中から、各Ｍ_１、Ｍ_２、…、Ｍ_Ｋに対して、Ｍ_ｉ個の信号の組み合わせを抽出する。 - 特許庁

An n+ emitter area 14, a p base area 16, and an n- channel area 15 are formed in a second epitaxial layer.例文帳に追加

第二エピタキシャル層にｎ^＋エミッタ領域１４、ｐベース領域１６、ｎ^−チャネル領域１５を形成する。 - 特許庁

The radio communication system 10 contains the base station 100 and first to N-th (N is an integer of not less than 2) terminals 200_1-200_N.例文帳に追加

無線通信システム１０は、基地局１００と、第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の端末２００_１〜２００_Ｎとを含む。 - 特許庁

An n^+-type region 2a is formed apart from a p-type base region 3 below a contact region 5 in an n-type drift layer 2.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２のうちコンタクト領域５の下方において、ｐ型ベース領域３から離間するようにｎ^+型領域２ａを形成する。 - 特許庁

N+ emitter diffusion layers 15A and 15B are formed on the opposite sides of the P+ base lead out diffusion layer 14 through isolation films 17B and 17C.例文帳に追加

P+ベース引き出し拡散層１４の両側に分離絶縁膜１７Ｂ，１７Ｃを介してN+エミッタ拡散層１５Ａ，１５Ｂを形成する。 - 特許庁

The junction interface between the n+ type buffer region 13 and the n- type base region 14 is formed to have unevenness.例文帳に追加

ｎ＋型バッファ領域１３とｎ−型ベース領域１４との接合界面は凹凸を有するように形成されている。 - 特許庁

A p-type base region 104 has a part A positioned between an n^--type drift region 116 and an n^+-type emitter region 122.例文帳に追加

ｐ型ベース領域１０４は、ｎ^−型ドリフト領域１１６とｎ^＋型エミッタ領域１２２の間に位置する部分Ａを有する。 - 特許庁

Each of two or more base stations (BTS_1-BTS_N) in a tracking area (TA1) has a mobility management function (MME) of a mobile station.例文帳に追加

トラッキングエリア（ＴＡ１）内の複数の基地局（ＢＴＳ_1−ＢＴＳ_N）の各々が移動局の移動管理機能（ＭＭＥ）を有する。 - 特許庁

A serial-parallel conversion/encoder 11 receives transport symbol data at a transport symbol rate that is a base symbol rate divided by N.例文帳に追加

直並列変換/エンコーダ１１は、基点シンボル速度のN分の１となる送信シンボル速度で送信シンボルデータを入力する。 - 特許庁

An N-channel MOSFET has a p-type well layer (base layer) 2 and an n-type drift layer 3, which are formed on the surface of a semiconductor layer 1.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳＦＥＴは、半導体層１の表面に形成されたｐ型ウエル層（ベース層）２とｎ型ドリフト層３とを有する。 - 特許庁

The n^- region is so formed on the main surface 12 as to adjoin the p type base region 101 and n^+ region 107.例文帳に追加

ｎ^-領域は、主表面１２において、ｐ型ベース領域１０１およびｎ^+領域１０７と隣接するように形成されている。 - 特許庁

Between the n^--type substrate 1 and the p^--type base region 2, an n^+-type carrier accumulation layer 3a or 3b is selectively formed.例文帳に追加

ｎ^−型基板１とｐ^−型ベース領域２の間にｎ^＋型キャリア蓄積層３ａ，３ｂが選択的に形成されている。 - 特許庁

An optimizing controller formed in the control device includes N pieces of combustion model base controllers 7_i (i=1 to N).例文帳に追加

制御装置に構成された最適化コントローラは、Ｎ個の燃焼モデルベースコントローラ７＿ｉ（ｉ＝１〜Ｎ）を備える。 - 特許庁

A trench groove 6 is formed which penetrates the n^+-type emitter region 4 and the p^--type base region 2 and reaches to the n^--type substrate 1.例文帳に追加

ｎ^＋型エミッタ領域４及びｐ^−型ベース領域２を貫通してｎ^−型基板１まで到達するトレンチ溝６が形成されている。 - 特許庁

Thus the positioning is sequentially carried out from the base side of the breast N and the entire breast N is compressed by the photographing facing portion 52.例文帳に追加

このようにして、乳房Ｎの付根側から順次ポジショニングが行われ、撮影対向部５２で乳房Ｎの全体が圧迫される。 - 特許庁

In the N-type region 202, an N-type drain region 213 and a P-type collector region 203 are formed separately from the base region.例文帳に追加

Ｎ型領域２０２内にベース領域とは離隔してＮ型のドレイン領域２１３及びＰ型のコレクタ領域２０３が形成されている。 - 特許庁

In the base region, an N-type emitter/source region 206 is formed separately from the N-type region 202.例文帳に追加

ベース領域内にはＮ型領域２０２と離隔してＮ型のエミッタ／ソース領域２０６が形成されている。 - 特許庁

The compression factor of the core base paper is preferably not less than 40 N g/m^2 and not more than 80 N g/m^2.例文帳に追加

この中芯原紙の比圧縮強さが４０Ｎ・ｇ／ｍ^２以上８０Ｎ・ｇ／ｍ^２以下であるとよい。 - 特許庁

A base of a vertical N-P-N transistor is provided in a non- contact state, an emitter of the transistor is connected with a terminal to generate positive voltage peaks and a collector of the transistor is grounded.例文帳に追加

垂直ＮＰＮトランジスタのベースを非接触とし、エミッタを正の電圧ピークが発生する端子に接続し、コレクタを接地する。 - 特許庁

The n-type impurities are made to diffuse from the glass film 29 to the p-base region 24, and an n^+ source region 25 is formed in a self aligned manner.例文帳に追加

ガラス膜２９からｐベース領域２４へｎ型不純物を拡散させて、ｎ^+ソース領域２５をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

This multi-language similar document retrieval device previously calculates a concept vector of a word to n (n≥2) pieces of natural languages in each natural language, and stores it into a word concept base.例文帳に追加

本発明は、ｎ個（ｎ≧２）の自然言語に対して、予め自然言語毎に単語の概念ベクトルを計算し、単語概念ベースに格納する。 - 特許庁

On the surface of a base material composed of the kind of steel, JIS SKH, SKD or the corresponding material to these, (Al1-x Crx) N film is formed (wherein, x is atomic ratio, 1.0>x ≥0.02).例文帳に追加

JIS鋼種SKH、SKDあるいはこれらの相当材である鋼からなる母材表面に、（Al_1-x、Cr_x）N被膜（ただしｘは原子比であり、1.0＞ｘ≧0.02）を形成する。 - 特許庁

Each mobile terminal stores history information for specifying an i-th times preceding communication base station with which each mobile terminal makes communication i-th times preceding (i=1, ..., N, N≥2).例文帳に追加

各移動端末に、第ｉ回前（ｉ＝１，…，Ｎ、Ｎ≧２）に通信を行った第ｉ回前通信基地局を特定する履歴情報を蓄積させる。 - 特許庁

Provided is the method for reducing the content of escitalopram N-oxide in the free escitalopram base or its salt, characterized by dissolving the free escitalopram base in diethyl ether and removing the escitalopram N-oxide as a solid substance.例文帳に追加

ジエチルエーテルにエスシタロプラム遊離塩基を溶解し、そしてエスシタロプラムN-オキシドを固体物質として除去することを含む、エスシタロプラム遊離塩基またはその塩におけるエスシタロプラムN-オキシドの量を減少させる方法によって、上記課題は解決される。 - 特許庁

A light-emitting device 100 comprises: an n-type GaN semiconductor base 113; a plurality of n-type GaN rod-shaped semiconductors 121 formed spaced apart from one another on the n-type GaN semiconductor base 113 in an upright position; and a p-type GaN semiconductor layer 123 covering the n-type GaN rod-shaped semiconductors 121.例文帳に追加

この発光素子１００は、ｎ型ＧａＮ半導体基部１１３と、ｎ型ＧａＮ半導体基部１１３上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１と、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１を覆うｐ型ＧａＮ半導体層１２３とを備えた。 - 特許庁

A base station 400 compares a number (n) of times of reception with a preset predetermined threshold N and when the number (n) of times of reception is smaller than the threshold N, the base station carries out first communication mode processing and transmits a state data signal (T43) to a data collection center 500.例文帳に追加

基地局４００において、受信回数ｎがあらかじめ設定される所定の閾値Ｎと比較して、受信回数ｎが閾値Ｎより小さい場合は第１通信モード処理を実行し、データ収集センタ５００に状態データ信号（Ｔ４３）を送信する。 - 特許庁